CMPとは
読み: しーえむぴー Chemical Mechanical Polishing 半導体の用語
CMPとは、薬液と砥粒でウエハー表面を平らに磨く工程。銅配線の多層化に必須で、砥粒にはセリア (酸化セリウム=軽レアアース) 系が使われる。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。抜粋は体系解説でこの語が出てくる箇所から引いた。続きはリンク先にある。
基礎知識篇
まず押さえる仕組み
第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
…3.5 平らにする (CMP) — 銅の配線に欠かせない工程 アルミの配線には要らなかった工程である。銅は削って形を作れない (プラズマで削れない) ため、90ナノ以降はダマシン法に替わった: 二酸化ケイ素に溝を掘る 銅を全面に埋める はみ出した銅を研磨で削り落とす ← ここが欠かせない 求められる平坦度は0.5%以下。研磨液 (中国では安集科技がほぼ唯一) と研磨布、そして研磨機 (アプライドマテリアルズと荏原製作所) の3つがそろって初めて成り立つ。 3.6 材料 — シリコン一強から、用途で使い分ける時代へ 帯の隙間の広さ (バンドギャップ) と、壊れずに耐えられる電界の強さが、どの材料をどの用途に使うかを決める。 電気自動車の変換器が炭化ケイ素を選ぶのは、同じ耐圧なら厚さが10分の1で済み、通電時の抵抗が100分の1になるためである。損失が減り、航続距離はおよそ1割伸びる。 3.…
高級知識篇
一段深い原理
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