🧬 半導体技術 体系解説 — 設計理由の深堀り
バンドギャップとドーピングという材料の原理から、リソグラフィ波長の選択理由・SAQP コスト爆発・Dennard Scaling 崩壊・ 歩留まり数式・中国 7nm の構造的限界まで、「なぜそう設計されているのか」を物理学・経済学・地政学の三層で通す。 微細化競争はデジタル半導体だけの話であり、パワー・光・後工程という物差しの外側にこそ日本の持ち分が残る 構図まで扱い、当サイトの半導体 DB の中国 30 社と日本半導体大手・研究機関 18 機関を相互リンクで結びつける。
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⑩ 結論 — 中国半導体産業の構造的課題と日本の位置
中国半導体は 「設計はできる、製造で壁」 の状況。これは米中対立 (BIS Entity List) によるものでなく、 ASML EUV + JSR EUV レジスト + Cadence EDA + TSMC 製造ノウハウ の四位一体が物理的・経済的に複製不可能なため。
日本は 装置 (Tokyo Electron)、材料 (JSR、SUMCO)、後工程 (Disco)、メモリ (KIOXIA)、車載 (Renesas)、CMOS (Sony) の各領域で世界級プレイヤーを保有。 Rapidus 2nm 計画 (2027) が成功すれば、日本は EUV 時代の foundry に再参入する唯一の道筋。 中国の 7nm は EUV 不在で物理限界、5nm 以下は absent EUV で原理的に不可能。
「ハードウェアはアルゴリズムを最適化するために設計され、アルゴリズムはハードウェアの制約を回避するために設計される」 — この共進化が半導体の本質。中国がアルゴリズム側 (DeepSeek 等) で追いつき得る一方、ハードウェア側で世代差を埋めるのは 10 年単位の課題。
当サイトの /chip チャンネル の 30 社はこの構造的格闘の現場記録。 /chip/compare の 8 戦略 preset で各社の位置関係を多角的に比較可能。
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