🔎 半導体 用語辞典 — 「とは」から引く

薬液と砥粒でウエハー表面を平らに磨く工程。銅配線の多層化に必須で、砥粒にはセリア (酸化セリウム=軽レアアース) 系が使われる。

関連: レアアース

TSMCの2.5次元実装技術。GPUとHBMをシリコン中間基板の上に並べて高速接続する。AI半導体の生産上限を決めるボトルネックとして知られる。

関連: HBM,後工程

微細化すると消費電力密度が一定に保たれるという法則。2006年頃に崩壊し、以後の設計は電力と熱が最優先の制約になった。

関連: ムーアの法則,電力密度

波長13.5nmの極端紫外線露光。従来光で必要だった多重露光 (コスト爆発) を1回で置き換えるため、7nm以下の量産で事実上必須になった。

関連: リソグラフィ

DRAMを縦に積んで広帯域を稼ぐメモリー。GPUの隣に置かれAIの学習・推論の帯域を支える。市場は2025年約350億ドル→2026年約600億ドルへ拡大。

関連: HBF,KVキャッシュ,CoWoS

不要な膜を削って回路の形を作る工程。原子1層ずつ制御するALD/ALEの世代に入り、日本の装置 (東京エレクトロン等) が強い領域。

関連: ALD,成膜

純粋な半導体に微量の不純物を混ぜ、電気の運び手 (電子・正孔) を作る工程。微細化の極限では不純物の配置ゆらぎ自体が性能ばらつきになる。

関連: バンドギャップ

電子が動けない禁制帯の幅。この幅が導体・半導体・絶縁体を分ける唯一の指標で、炭化ケイ素など広い材料は高電圧・高温に強い。

関連: 半導体,化合物半導体

他社が設計したチップの製造を専門に請け負う企業。台湾TSMCが先端の大半を握り、設計専業 (ファブレス) との分業が業界の基本構造。

関連: ファブレス

集積度が約2年で2倍になるという経験則。コスト低減と速度向上の同時成立は崩れ、現在は「何が成立し何が崩壊したか」を分けて読む必要がある。

関連: Dennard Scaling

光で回路パターンをウエハーに焼き付ける工程。波長13.5nmのEUV (極端紫外線) が最先端で、露光装置は蘭ASMLがほぼ独占する。

関連: EUV,マルチパターニング

光を出せる化合物半導体。データセンターの光トランシーバー用レーザーの主材料で、需給ギャップは「DRAMを超えた」とされる。原料インジウムの精錬は中国が約70%。

関連: 光インターコネクト,化合物半導体

複数のチップを積層・並置して1つの部品に仕上げる後工程技術の総称 (CoWoS・HBM積層など)。微細化の限界後の性能向上の主戦場で、AI半導体の供給上限を決めている。

関連: CoWoS,HBM,後工程

GPU間・ラック間の接続を銅線から光に置き換える技術群 (CPO/NPO/LPO)。帯域と距離の限界を破る一方、InPレーザーの供給が新たなボトルネック。

関連: リン化インジウム,CPO

導体と絶縁体の中間の電気伝導性を持つ物質。外部から通電を制御できるこの中間性が、スイッチ (トランジスタ) の材料に選ばれる理由。

関連: バンドギャップ,トランジスタ

ウエハーを切り出し、積層・配線・封止して製品に仕上げる工程。AI半導体では供給量の上限を露光ではなく後工程 (CoWoS等) が決めている。

関連: CoWoS,HBM

製造したチップのうち良品の割合。欠陥密度と面積で決まり、大型AIチップほど不利。企業の採算と量産可否を分ける最重要指標。