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Dennard Scalingとは

読み: でなーどすけーりんぐ Dennard Scaling 半導体の用語

Dennard Scalingとは、微細化すると消費電力密度が一定に保たれるという法則。2006年頃に崩壊し、以後の設計は電力と熱が最優先の制約になった。

3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点

1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。各段の抜粋は解説本文の冒頭で、続きはリンク先にある。

基礎知識篇 まず押さえる仕組み

第III部 設計する ④ 基盤構成 (アーキテクチャ)

ロジック / メモリ / インターコネクト / 電源 — チップ内部のサブシステム設計の選択肢と、それぞれが選ばれる理由。 4.1 ロジック構造の設計思想 CPU = 制御重視 (1 コアあたり 数億トランジスタが制御に費やされる) vs GPU = SIMT で 32 thread を 1 制御で並列駆動 vs ASIC = Systolic Array で命令フェッチ・デコード・分岐予測を全廃。 行列乗算の効率比は CPU : GPU : ASIC ≒ 1 : 30 : 300。 4.2 メモリ階層 — Memory Wall とトレードオフ 設計理由 (Memory Wall): CPU は 1ns で命令実行可能だが、DRAM access は 100ns。 99% の時間を待機で潰すため階層キャッシュが必須。L1 hit rate 95% 確保で初めて性能が出る。 HBM の必然…

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高級知識篇 一段深い原理

第IV部 物理の限界 ⑦ 性能と制約

消費電力の物理モデル、ムーアの法則の現状、歩留まり数式 — 半導体の経済性を決める根本要因。 7.1 消費電力の物理モデル 7.2 ムーアの法則 — 何が成立し、何が崩壊したか 7.3 歩留まり (Yield) — Murphy Model %

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