エッチングとは
読み: えっちんぐ Etching 半導体の用語
エッチングとは、不要な膜を削って回路の形を作る工程。原子1層ずつ制御するALD/ALEの世代に入り、日本の装置 (東京エレクトロン等) が強い領域。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。抜粋は体系解説でこの語が出てくる箇所から引いた。続きはリンク先にある。
第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
円板の上に回路を刻む工程を、光で写す・削る・積む・混ぜる・平らにするの順に見る。どの工程にも「なぜその方法でなければ届かないか」という物理の理由があり、 装置を作れる会社が世界で数社に絞られる理由もそこにある。 3.1 露光 — 光の波長が、描ける線の細さを決める レイリーの式: CD = k₁ × λ / NA 描ける線の細さ (CD) は、光の波長 λ を短くするか、開口数 NA を大きくするか、工程側の係数 k₁ を下げるかの3つでしか変わらない。 EUV は波長を14分の1に縮めた。1回の露光で7ナノ相当の線を描けるのはこのためである。 nm DUV (波長193ナノ・液浸) — 選ばれ続ける理由 ArF エキシマレーザー、波長 193nm 光路に純水 (n=1.44) → NA 1.0 超を実現 4回に分けて露光する方法 (SAQP) で7ナノ相当も描けるが、回数が増えるほど歩留…
第V部 産業と勢力図 ⑨ 主要企業の比較 — 工程ごとに誰が立っているか
受託製造・メモリー・装置と材料・設計専業・詰まっている場所の5つの角度で比べる。比較ツールの8つの型と行き来できる。 9.1 受託製造 (ファウンドリー) の比較 9.2 メモリー各社の比較 9.3 装置と材料 — 日本の持ち分が最も厚い層 JSRのEUV用感光材は、日本の持ち分が最も厚い場所である。世界のEUVの工程はこの材料を通る。 官民ファンドがJSRを9,000億円で買い取り上場廃止としたのは (2023年)、この位置づけによる。 ディスコは後工程で円板を切り分ける装置で世界の8割を占め、置き換えられる装置が他にない。 信越化学 + SUMCO でシリコンウエハ世界 60% を寡占。 9.4 設計専業 (ファブレス) の比較 9.5 先端の世代が7ナノで止まる理由 — 4つそろわないと進めない 先端の世代は設計まではできても、製造の段で止まる。理由は輸出規制だけではない。 露光装置…
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