リン化インジウムとは
読み: りんかいんじうむ InP (Indium Phosphide) 半導体の用語
リン化インジウムとは、光を出せる化合物半導体。データセンターの光トランシーバー用レーザーの主材料で、需給ギャップは「DRAMを超えた」とされる。原料インジウムの精錬は中国が約70%。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。抜粋は体系解説でこの語が出てくる箇所から引いた。続きはリンク先にある。
第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
円板の上に回路を刻む工程を、光で写す・削る・積む・混ぜる・平らにするの順に見る。どの工程にも「なぜその方法でなければ届かないか」という物理の理由があり、 装置を作れる会社が世界で数社に絞られる理由もそこにある。 3.1 露光 — 光の波長が、描ける線の細さを決める レイリーの式: CD = k₁ × λ / NA 描ける線の細さ (CD) は、光の波長 λ を短くするか、開口数 NA を大きくするか、工程側の係数 k₁ を下げるかの3つでしか変わらない。 EUV は波長を14分の1に縮めた。1回の露光で7ナノ相当の線を描けるのはこのためである。 nm DUV (波長193ナノ・液浸) — 選ばれ続ける理由 ArF エキシマレーザー、波長 193nm 光路に純水 (n=1.44) → NA 1.0 超を実現 4回に分けて露光する方法 (SAQP) で7ナノ相当も描けるが、回数が増えるほど歩留…
光部品市場が1年で4倍になる予測の裏に、中国が7割を握る金属がある
演算装置のラックを光でつなぐ部品の市場が、1年で8億1,900万ドルから30億8,700万ドルへ膨らむという予測が出た。ところが同じ表を検算すると、ラックの台数は5.6%しか増えない。伸びの正体は別の場所にある。 香港のGF証券が公表したエヌビディア向けNPOの出荷予測が、光部品の投資家の間で回覧されている。NPOはニア・パッケージド・オプティクスの略で、光に変える装置を演算チップの真横の基板に置く方式を指す。従来の着脱式部品より電気で運ぶ距離が短く、チップと同じ封止材に一体化するCPOほど製造の危険を伴わない中間の解である。 この予測表は、数字が互いに噛み合っているかを検算できる形で作られている。実際に当たってみると、表に書かれていない前提が3つ逆算でき、そのうち2つは市場の読み方を変える。さらに材料の側まで降りると、この予測が中国の輸出管理の上に乗っていることも見えてくる。先に、言葉の…
AI設備投資は2031年に年1兆6,360億ドルへ、ボトルネックはHBMの帯域とInPレーザーの2つに絞られてきた
…その心臓部が、リン化インジウム(InP)化合物半導体のレーザーである。米LumentumのハールストンCEOは「InPの需給ギャップはDRAM・NANDのそれを超えた」と述べ、通信事業者向けに数百個単位だった注文が、AIデータセンター向けに数億個単位へ膨らんだと明かした。 買い手は既に動いた。NVIDIAは2026年3月、主要サプライヤー2社に各20億ドル(計40億ドル・約6,300億円)を投じ、長期供給契約を結んだ。1社は6インチInPウエハーの生産能力を倍増させ2027年末までに追加拡張、もう1社は2028年の量産開始へ生産体制を整えている。マッキンゼーの2025年6月の分析は、800Gモジュールの生産が2027年まで需要を40〜60%下回り、1.6Tでも2029年まで30〜40%の不足が続くと見込む。200G/レーンの変調器を集積したレーザー(EML)を量産出荷するのは現時点でLum…
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