リン化インジウムとは
読み: りんかいんじうむ InP (Indium Phosphide) 半導体の用語
リン化インジウムとは、光を出せる化合物半導体。データセンターの光トランシーバー用レーザーの主材料で、需給ギャップは「DRAMを超えた」とされる。原料インジウムの精錬は中国が約70%。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
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第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
半導体製造の最前線。リソグラフィ波長から CMP まで、なぜそれぞれの工程が必要で、なぜ中国は EUV を持てないかの構造的理由を解説。 3.1 リソグラフィ — なぜ EUV が支配的になったか Rayleigh 式: CD = k₁ × λ / NA 光波長 λ を短くするか NA (開口数) を大きくするか k₁ を下げるかの三択。EUV は λ を 1/14 に短縮 = 1 回露光で 7nm 以下を実現する究極の解。 nm DUV (193nm Immersion) — 設計理由 ArF エキシマレーザー、波長 193nm 光路に純水 (n=1.44) → NA 1.0 超を実現 SAQP (4 回露光) で 7nm 相当も可能だが歩留まり爆発 SMIC の 7nm はこれで量産 (歩留まり 30-50%) 中国国産化: SMEE が 90nm 量産、28nm 検証中 EUV (1…
光部品市場が1年で4倍になる予測の裏に、中国が7割を握る金属がある
**演算装置のラックを光でつなぐ部品の市場が、1年で8億1,900万ドルから30億8,700万ドルへ膨らむという予測が出た。ところが同じ表を検算すると、ラックの台数は5.6%しか増えない。伸びの正体は別の場所にある。** 香港のGF証券が公表したエヌビディア向けNPOの出荷予測が、光部品の投資家の間で回覧されている。NPOはニア・パッケージド・オプティクスの略で、光に変える装置を演算チップの真横の基板に置く方式を指す。従来の着脱式部品より電気で運ぶ距離が短く、チップと同じ封止材に一体化するCPOほど製造の危険を伴わない中間の解である。 この予測表は、数字が互いに噛み合っているかを検算できる形で作られている。実際に当たってみると、表に書かれていない前提が3つ逆算でき、そのうち2つは市場の読み方を変える。さらに材料の側まで降りると、この予測が中国の輸出管理の上に乗っていることも見えてくる。先に…
AI設備投資は2031年に年1兆6,360億ドルへ、ボトルネックはHBMの帯域とInPレーザーの2つに絞られてきた
**AI設備投資のベースライン推計は2026年の7,650億ドルから2031年に1兆6,360億ドルへ、6年累計で約7.6兆ドルに達する。資金の通り道で供給が追いつかない場所は、メモリーの帯域と光の配線の2つに絞られてきた。** 積み上げの内訳から読む。市場に流通するベースライン集計では、AI設備投資は2026年7,650億ドル→2027年1兆110億ドル→2028年1兆2,200億ドル→2029年1兆3,920億ドル→2030年1兆5,780億ドル→2031年1兆6,360億ドルと拡大し、6年間の累計は約7.6兆ドル(約1,200兆円)になる。マッキンゼーが2025年に示した「2030年までにデータセンター投資6.7兆ドル」という試算とも桁が合う。本稿はこの資金の行き先で起きる2つの供給制約を、一次資料と有価証券報告書の実数で数える。円換算は2026年8月7日の為替(1ドル=157.54…