イオン注入とは
読み: いおんちゅうにゅう Ion Implantation 半導体の用語
イオン注入とは、不純物の原子を加速してシリコンに打ち込み、電気的な性質を作り込む工程。ドーピングの主要な手段で、深さと量を精密に制御する。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。抜粋は体系解説でこの語が出てくる箇所から引いた。続きはリンク先にある。
第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
円板の上に回路を刻む工程を、光で写す・削る・積む・混ぜる・平らにするの順に見る。どの工程にも「なぜその方法でなければ届かないか」という物理の理由があり、 装置を作れる会社が世界で数社に絞られる理由もそこにある。 3.1 露光 — 光の波長が、描ける線の細さを決める レイリーの式: CD = k₁ × λ / NA 描ける線の細さ (CD) は、光の波長 λ を短くするか、開口数 NA を大きくするか、工程側の係数 k₁ を下げるかの3つでしか変わらない。 EUV は波長を14分の1に縮めた。1回の露光で7ナノ相当の線を描けるのはこのためである。 nm DUV (波長193ナノ・液浸) — 選ばれ続ける理由 ArF エキシマレーザー、波長 193nm 光路に純水 (n=1.44) → NA 1.0 超を実現 4回に分けて露光する方法 (SAQP) で7ナノ相当も描けるが、回数が増えるほど歩留…
第I部 物質と分類 ① 半導体という物質 — なぜシリコンが選ばれ続けるのか
微細化の話に入る前に、材料そのものの性質を押さえる。半導体が「導体でも絶縁体でもない」ことに意味があり、 その中間性こそが外部からの制御を可能にしている。ここを飛ばすと、なぜ電気自動車が炭化ケイ素を選び、 なぜシリコンが光を出せないのかが理解できない。 1.1 導体・半導体・絶縁体を分ける唯一の指標 物質の中で電子は決まったエネルギー帯にいる。動けない帯から自由に動ける帯へ移るには、その間の隙間を飛び越える必要がある。 この隙間の大きさを バンドギャップ と呼び、単位は eV (電子1個が1ボルトで得るエネルギー)。 導体は隙間が無く常に電気が流れ、絶縁体は広すぎて流れない。半導体だけが、外から手を加えて流れる量を変えられる。 表の最終行が、シリコンが半世紀にわたって主役であり続ける理由を示している。 シリコンは酸素にさらすだけで、バンドギャップ約9 eV の完璧な絶縁体を自分の表面に作れ…
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出典・注記: Postation 編集部の書き下ろし (2026-09-03)
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