トランジスタとは
読み: とらんじすた Transistor 半導体の用語
トランジスタとは、電気の流れをオンとオフに切り替える半導体の基本素子。1つのチップに数百億個が集積され、スイッチの数と切り替えの速さが計算能力を決める。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。各段の抜粋は解説本文の冒頭で、続きはリンク先にある。
第I部 物質と分類 ① 半導体という物質 — なぜシリコンが選ばれ続けるのか
微細化の話に入る前に、材料そのものの性質を押さえる。半導体が「導体でも絶縁体でもない」ことに意味があり、 その中間性こそが外部からの制御を可能にしている。ここを飛ばすと、なぜ電気自動車が炭化ケイ素を選び、 なぜシリコンが光を出せないのかが理解できない。 1.1 導体・半導体・絶縁体を分ける唯一の指標 物質の中で電子は決まったエネルギー帯にいる。動けない帯から自由に動ける帯へ移るには、その間の隙間を飛び越える必要がある。 この隙間の大きさを バンドギャップ と呼び、単位は eV (電子1個が1ボルトで得るエネルギー)。 導体は隙間が無く常に電気が流れ、絶縁体は広すぎて流れない。半導体だけが、外から手を加えて流れる量を変えられる。 表の最終行が、シリコンが半世紀にわたって主役であり続ける理由を示している。 シリコンは酸素にさらすだけで、バンドギャップ約9 eV の完璧な絶縁体を自分の表面に作れ…
第IV部 物理の限界 ⑦ 性能と制約
消費電力の物理モデル、ムーアの法則の現状、歩留まり数式 — 半導体の経済性を決める根本要因。 7.1 消費電力の物理モデル 7.2 ムーアの法則 — 何が成立し、何が崩壊したか 7.3 歩留まり (Yield) — Murphy Model %
第V部 産業と勢力図 ⑨ 主要企業比較 — 中国・日本・米国・台湾韓国
Foundry / Memory / 装置・材料 / Fabless / 構造的ボトルネック の 5 角度比較。/chip/compare の 8 戦略 preset と相互参照可能。 9.1 Foundry 比較 9.2 メモリ業界比較 9.3 装置・材料 — 日本の絶対優位 JSR EUV フォトレジスト = 日本の最強カード。世界のあらゆる EUV 工程はこのレジストを通る。 経産省が JSR を 9000 億円で実質国有化 (2023) したのはこの戦略性ゆえ。 Disco は世界 80% シェアの後工程ダイシング装置で、中国国産代替不可能。 信越化学 + SUMCO でシリコンウエハ世界 60% を寡占。 9.4 設計 (Fabless) 比較 9.5 中国半導体 構造的ボトルネック — なぜ 7nm で止まるか 中国半導体の現実は 「設計はできる、製造で壁」。これは米中対立だけ…
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出典・注記: Postation 編集部の書き下ろし (2026-09-03)