TSVとは
読み: てぃーえすぶい Through-Silicon Via 半導体の用語
TSVとは、チップに垂直の穴を開けて配線を通す技術 (シリコン貫通電極)。チップを縦に積み重ねる構造の基礎で、HBMはこの技術で複数のDRAMを束ねている。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。抜粋は体系解説でこの語が出てくる箇所から引いた。続きはリンク先にある。
第III部 設計する ④ 基盤構成 (アーキテクチャ)
チップの中身は、論理・記憶・つなぎ・電力の4つの部品でできている。それぞれにどんな選択肢があり、なぜその1つが選ばれるのかを見る。 4.1 論理回路の作り分け — 判断を取るか、数を取るか CPUは判断に投資する。1つの演算核あたり数億個の素子が、次に何をするかを決める回路に使われる。 GPUは判断をまとめる。32本の流れを1つの命令で同時に動かし、同じ計算を別のデータへ一斉に当てる。 専用回路 (ASIC) は判断を捨てる。命令の読み出しも解読も分岐の予測も持たず、積和演算器を格子に並べるだけにする。 行列の掛け算の効率は、この順でおよそ 1対30対300 になる。 4.2 記憶の階層 — 演算器は待っている時間の方が長い 記憶の壁: CPUは1ナノ秒で1命令を実行できるが、主記憶から読み出すには100ナノ秒かかる。 そのままでは時間の99%が待ち時間になるため、手元に小さく速い記憶を何…
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出典・注記: Postation 編集部の書き下ろし (2026-09-03)
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