NANDとは
読み: なんど NAND Flash Memory 半導体の用語
NANDとは、電源を切っても記憶が残る不揮発性メモリー。SSDやスマートフォンの記憶装置に使い、セルを縦に積む3D化で数百層に達している。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。各段の抜粋は解説本文の冒頭で、続きはリンク先にある。
第I部 物質と分類 ② 半導体の分類 — 微細化競争は4分類のうち1つだけの話
報道が扱う「2nm」「微細化」はデジタル半導体に限った競争である。市場も日本の強みも残り3分類に大きく分布しており、 この区別を持たないまま産業を語ると、投資判断も政策評価も的を外す。 2.1 用途による4分類 — 微細化が効くのはどこか パワー半導体と光半導体では、微細化が性能向上につながらない。求められるのは耐圧・放熱・光を出す能力であり、 いずれも材料と実装で決まる。日本勢が世界上位を保っているのがこの2分類であることは偶然ではなく、 露光装置の世代競争から切り離された領域だからである。 逆に言えば、先端露光装置を持てない国が現実的に狙える出口もここにある。 2.2 機能による6分類 — 半導体は世界に対して何をしているか 2.3 素子数で世代を呼んだ時代と、呼べなくなった現在 素子数による呼称は超々大規模集積回路で止まった。以後は製造寸法で世代を呼ぶ習慣に移り、 その寸法の呼び名も…
第IV部 物理の限界 ⑦ 性能と制約
消費電力の物理モデル、ムーアの法則の現状、歩留まり数式 — 半導体の経済性を決める根本要因。 7.1 消費電力の物理モデル 7.2 ムーアの法則 — 何が成立し、何が崩壊したか 7.3 歩留まり (Yield) — Murphy Model %
第V部 産業と勢力図 ⑨ 主要企業比較 — 中国・日本・米国・台湾韓国
Foundry / Memory / 装置・材料 / Fabless / 構造的ボトルネック の 5 角度比較。/chip/compare の 8 戦略 preset と相互参照可能。 9.1 Foundry 比較 9.2 メモリ業界比較 9.3 装置・材料 — 日本の絶対優位 JSR EUV フォトレジスト = 日本の最強カード。世界のあらゆる EUV 工程はこのレジストを通る。 経産省が JSR を 9000 億円で実質国有化 (2023) したのはこの戦略性ゆえ。 Disco は世界 80% シェアの後工程ダイシング装置で、中国国産代替不可能。 信越化学 + SUMCO でシリコンウエハ世界 60% を寡占。 9.4 設計 (Fabless) 比較 9.5 中国半導体 構造的ボトルネック — なぜ 7nm で止まるか 中国半導体の現実は 「設計はできる、製造で壁」。これは米中対立だけ…
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出典・注記: Postation 編集部の書き下ろし (2026-09-03)