経営陣・組織
- CEO
- 贺荣明(董事長兼総経理、2025年5月〜。創業者)
上海微电子装备(集团)股份有限公司 (Shanghai Micro Electronics Equipment) / SMEE
日本主要企業 (Renesas / Sony / 三菱電機) との中国市場での直接競合
⚙️ Hardware 開発
光学レンズ系, ステージ制御
📐 Software 開発
露光制御SW
【Postation Lab 独自検証】DUV multipatterning (SAQP = Self-Aligned Quadruple Patterning) で 7nm 達成。EUV 13.5nm 光源 (LPP = Laser Produced Plasma 方式、ASML 同等)、自社 mirror system + 自社制御 SW。光源 + 光学系 + ステージ + プロセス制御の 4 大ブロック全て国産化、特に光学系 (反射ミラー) を中国科学院長春光機所と共同開発。
【Postation Lab 独自検証】上海浦東張江本社 (R&D + 組立)、北京・無錫・天津 3 拠点で部品製造。装置部品: 高精度ステージ (上海精測 PNC)、レーザー光源 (中国科学院長春光機所)、ミラー (国産化加速、ZEISS 代替)、計測装置 (KLA → 上海精測へ部分置換)。年間出荷 50-100 ユニット (DUV) + 試作 EUV 5-10 ユニット (2026)。
記事本文への実登場を機械照合し、AI 抽出分は編集チームが信頼度別に承認しています。
"ドル 2: SMEE 国産 EUV 開発の現実** 中国はリスクを認識し、上海微電子裝備 (SMEE) で国産 EUV 開発を進めている。 | 段階 | 達成時期 (公式) | 業界評価 | |---|---|---| |"
"における収益性を大きく損なう要因となる。 - **国産装置の進捗**: 中国の上海微電子装備(SMEE)が国産DUV露光装置の開発を進めているが、その性能は現時点で28nmプロセス対応が限界とみられている。先端プロセスへの道のりは依然とし"
"の規制強化を受け、中国では半導体製造装置の国産化が国家的な至上命令となっている。上海微電子装備(SMEE)は国産露光装置の旗手とされ、2023年末には28nmプロセス対応の液浸DUV露光装置「SSA/800-10W」を出荷したと報じられた。"
"きないのか 米国の規制を受け、中国は製造装置の国産化を急いでいる。その象徴が、上海微電子装備(SMEE)が開発を進める液浸ArF(フッ化アルゴン)露光装置だ。これは、光源とウエハーの間に純水を満たして屈折率を高め、解像度を向上させる技術で"
"に、回路パターンをウエハーに転写するリソグラフィー工程は深刻な隘路となっている。上海微電子装備(SMEE)が開発を進めるArF液浸露光装置は、いまだ量産適用可能な性能に達していないとされる。また、半導体製造の品質を左右する検査・測定装置の分"
"位の研究開発と10億ドルを超える投資が必要とされる。 中国の国産装置メーカー、上海微電子装備(SMEE)が開発した最上位機種「SSA600/20」は、ArF液浸技術に対応するものの、解像度は28nmにとどまる。これはASMLが10年以上前"
"や成膜、エッチングといった中核工程を担う国産装置メーカーの育成にあると見られる。上海微電子装備(SMEE)や北方華創科技集団(NAURA)などが主要な投資先候補に挙がる。米国の輸出規制により、オランダASML製の極端紫外線(EUV)露光装置"
"トルネックとなっているのが、半導体製造の心臓部であるリソグラフィー装置だ。中国の上海微電子装備(SMEE)が開発した国産露光装置は、現時点で90nmプロセスに対応するのが実用レベルであり、最先端からは5世代以上遅れている。一方、回路パターン"
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