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日本主要企業 (Renesas / Sony / 三菱電機) との中国市場での直接競合
高アスペクト比エッチングはプラズマ制御 (パルス/極低温) とガス化学の組み合わせが核心技術。3D NANDの100層超一括エッチや、GAAナノシートの選択エッチなど「削る」工程の限界を規定する。
米カリフォルニア・オレゴン、韓国、台湾、マレーシアに製造拠点。インドで装置エンジニアリング人材を大規模育成中。
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"300層を超える深い穴を垂直に削る高難度の加工は、東京エレクトロン(8035)やラムリサーチの装置に依存する。記憶の周辺でも日本が効く。AIのデータ保管で需要が再燃する大容量ハードディスクの記録媒体はレゾナック(4004)が握り、CPUやG"
"*:TSMC * **装置**:ASML、Applied Materials、Lam Research * **パッケージング**:ASE Technology ## 八、 資金流動の経路 * **第一段階(発生済)**"
"| **投資論拠**: 半導体ウェハー洗浄装置で世界シェア 35-40%、Lam Research を追い上げ。2nm GAAFET の高アスペクト比構造で洗浄プロセス工程数が 1.5-2 倍に増加。中国 SMIC 7nm でも標準採"
"高アスペクト比エッチング技術が求められる。この工程で使われる東京エレクトロンや米ラムリサーチ製のプラズマエッチング装置は、まさに規制の中核となりうる。YMTCは236層品の量産に成功したと発表しているが、その生産規模は限定的であり、歩留まり"
"EUV装置の対中輸出を停止し、米国の装置メーカーであるアプライド・マテリアルズやラムリサーチも先端装置の供給を絶った。これにより、中国国内の半導体工場では、7nm以降の微細化に向けた技術開発の道筋が事実上断たれた形だ。 一方で、この規制は"
"ライン(規制前に導入したASML製装置を使用)で一部採用されている実績を持つ。米ラムリサーチや東京エレクトロンの同世代装置と比較しても、処理能力では8〜9割の水準に達したとの評価もある。しかし、半導体製造の心臓部であるリソグラフィー(露光)"
"その一つが、製造装置の保守サービスや部品供給だ。米国のアプライド・マテリアルズやラムリサーチ、日本の東京エレクトロンは、輸出管理規則に基づき、中国の特定企業への先端装置の輸出を停止している。しかし、過去に納入した膨大な数の装置群に対する保守"
"装置といった他の重要工程でも、中国の国産装置の性能は米アプライド・マテリアルズやラムリサーチ、日本の東京エレクトロンの製品に及ばない。半導体製造は数百の工程からなる統合的システムであり、露光技術だけでは完結しない。中国が真の技術的自立を果た"
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