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三菱電機パワーデバイス製作所

三菱電機パワーデバイス製作所 / Mitsubishi Electric Power Device Works

🗓 事実の最終確認: 関連記事の更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

上場
非上場
同業 4 社との比較 (企業データベースの同じ列)
企業 主力製品・モデル 評価額・時価総額 最新発表 / 確認日
CRRC Times (中車時代電気) 鉄道 traction inverter + 制御システム… 時価総額 約600億元 2026-07-16
StarPower (斯達半導) IGBT モジュール (650V/1200V/1700V/… 時価総額 約250億元 2026-07-16
インフィニオン テクノロジーズ 2026-08-04
富士電機 パワー半導体・無停電電源装置(UPS)・受変電設備 2026-08-20
執筆・監修: (編集長・アナリスト) 最終確認: — 一次資料の確認 出典 4 件 更新: 記事→企業行は日次、一次情報の再確認は週次の自動運用 編集方針
三菱電機パワーデバイス製作所は、三菱電機(証券コード6503)のパワー半導体事業の中核生産組織で、福岡県福岡市西区今宿東1-1-1に本部を置き、熊本県合志市御代志997番地と広島県福山市大門町にも拠点を持つ。SiCおよびSiのパワーデバイスを手がけ、産業機器、家電、自動車、電鉄などに向けたパワーモジュールやインテリジェントパワーモジュールを生産する。前工程の増強として、熊本工場泗水地区(熊本県菊池市)にSiC 8インチウエハの新工場を2025年10月に竣工した。三菱電機はSiCを含む革新的なパワーデバイスにより高効率なモーター制御・電力変換を実現し、カーボンニュートラルに貢献するとしている。

Postation の入口

📦 製品・商品 (7)

📦 フルSiCパワーモジュール 製品
全素子をSiCで構成したパワーモジュール。

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

📦 ハイブリッドSiCパワーモジュール 製品
ハイブリッドSiCパワーモジュールは1200Vで100A〜600Aをカバーし

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

📦 HV SiCパワーモジュール 製品
高電圧用途向けSiCパワーモジュール。電鉄などに使用。

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

📦 SiC-MOSFETチップ 製品
SiCスイッチング素子の単体チップ。

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

📦 IPM/DIPIPM 製品
駆動・保護回路を内蔵したパワーモジュール。家電・産業機器向け。

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

📦 車載向けJ3シリーズ 製品
自動車向けのSiC対応パワーモジュールシリーズ。

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

📦 ドライバIC 製品
パワーデバイス駆動用IC。

出典: mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/

🧪 技術・サービス (4)

🧪 SiC 8インチウエハ前工程 技術
熊本工場泗水地区の新工場で手がけるSiCウエハ前工程。2025年10月竣工、省エネと自動化による高い生産効率を追求。
🧪 フルSiCパワーモジュール 技術
定格電圧1200V〜1700V、定格電流300A〜1200Aのパワーモジュール。高効率な電力変換を実現。
🧪 SiC-MOSFETチップ 技術
SiCによるスイッチング素子チップ。モジュールの中核部品。
🧪 DIPIPM 技術
インテリジェントパワーモジュール。短絡制限回路内蔵品などの保護機能を備えた製品を含む。

📋 詳細情報

技術・事業

技術概要
パワーデバイス製作所は三菱電機パワー半導体(SiCおよびSi)の中核生産拠点で、福岡市西区の本部に加え熊本県合志市御代志997番地と広島県福山市に拠点を置く。フルSiCパワーモジュールは定格電圧1200V〜1700V・定格電流300A〜1200A、ハイブリッドSiCパワーモジュールは1200Vで100A〜600Aをカバーし、SiC-MOSFETチップ、HV SiCパワーモジュール、短絡制限回路内蔵品を含むDIPIPM、車載向けJ3シリーズなどを展開する。前工程では熊本工場泗水地区(熊本県菊池市)にSiC 8インチウエハの新工場を2025年10月に竣工し、最先端の省エネと徹底した自動化による高い生産効率を掲げる。
ガバナンス

経営陣・組織

親会社
三菱電機
専門指標

業界別スペック

主要製品
SiC/Siパワーモジュール、SiC-MOSFETチップ、IPM/DIPIPM、車載向けパワーデバイス

⭐ 強み・特徴

定格電圧1200V〜1700V・定格電流最大1200AのフルSiCパワーモジュールを含む幅広い製品群と、福岡・熊本・福山の3拠点生産体制が強み。2025年10月竣工の8インチSiCウエハ新工場では最先端の省エネと徹底した自動化による高い生産効率を掲げており、SiC前工程の量産能力で国内先行グループに位置する。

📊 詳細ビジネスデータ

🇯🇵 日本企業との取引・関係

福岡(本部・福岡市西区今宿東1-1-1)、熊本(合志市御代志997番地)、広島(福山市大門町旭1-4)の3拠点体制。前工程増強のSiC 8インチウエハ新工場は熊本工場泗水地区(菊池市)に立地し、九州の半導体集積の一角を担う。
基本情報

上場・財務

本社
福岡県福岡市西区
上場ステータス
未上場
コンプライアンス

信用・米制裁

クレジット
none
銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅱 専門メディア
最終確認
2026-08-02 00:00:00
検証者
chip-jp-curated30-enrich

出典 URL

  • https://www.kumamoto-investment.jp/kiji003166/3_166_758_up_p2iqeqqa.pdf
  • https://www.kumamoto-investment.jp/kiji003166/index.html
  • https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/about/locations/
  • https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/powerdevices/topics/sic/

最新動向

熊本工場泗水地区(熊本県菊池市)のSiC 8インチウエハ新工場が2025年10月に竣工し、公式サイト(2026年8月時点)では最先端の省エネと徹底した自動化による生産効率向上を掲げて生産強化を進めている。2026年上期の同製作所固有のプレスリリースは公式サイトで確認できなかった。日本投資家視点では、親会社三菱電機(6503)のパワーデバイス事業がSiC大型投資の回収局面に入れるかを測る観測点となる。

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StarPower (斯達半導)

StarPower Semiconductor(スターパワー)は2005年に沈華(MIT材料学博士)夫妻が浙江省嘉興市で創業したIGBT/SiCパワー半導体大手。新エネルギー車の主駆動インバータや太陽光/風力・産業向けにIGBTモジュール・SiC MOSFETを供給する。上海メインボード上場(603290)。自建産線で車規級SiCチップの量産を進める。

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インフィニオン テクノロジーズ

シーメンスの半導体部門が1999年に独立した、パワー半導体の世界最大手。車載・産業・データセンターの電力変換を主戦場とし、シリコン (CoolMOS / OptiMOS)、炭化ケイ素 (CoolSiC)、窒化ガリウム (CoolGaN) の3材料を同一の製品体系で揃える点が競合との差になる。2025年9月期の売上高は146億6,200万ユーロ、部門利益率17.5%。AIデータセンター向けは同社が最も強く投資する成長領域で、2026年9月期に約15億ユーロ、2027年9月期に約25億ユーロの売上を計画する。

⚡ パワー半導体

富士電機

パワー半導体と無停電電源装置の両方を持つ電機大手。データセンターでは受電から計算機までの間に電圧を落とし、停電時に電力を保つ装置が要る。計算資源の消費電力が1架あたり100キロワットを超える水準になると、この電力系の設計が建屋の成立条件を決める。東証プライム上場(6504)。

🧰 ツール・特集の入口

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