SMIC (中芯国際)

「報告書はこの6.75倍を3つの係数に分けた。第1は製造プロセスの密度で、SMIC (中芯国際) のN+3とTSMCのN4Pの1mm²当たりトランジスタ数の差を1.6倍と置く。第2はロジック回路の面積で、1パッケージ当たりのロジックダ」

「程が数十に膨らみ、重ねるたびに位置合わせの誤差が溜まって歩留まりが落ちる。中国のSMICはこの方式で7ナノメートル級に到達したが、歩留まりは2割から4割程度と報じられ、より細い5ナノメートルへ進むには工程がさらに増えてコストが商用に耐えなく」

「割削り、低価格のエージェントで攻勢をかける。製造では中国・中芯国際集成電路製造(SMIC)がEUVなしの多重露光で7ナノメートル相当にとどまるが、推論なら最先端工程への依存度が下がる。中国が国家規模で推論を囲い込む動きは、そのまま価格競争力」

「国の輸出規制によって前工程のEUV露光装置を完全に封じられた中国（ファーウェイやSMICなど）は、国家プロジェクトである「全国一体化高度コンピューティングネットワーク」の命運を、この先進パッケージングと積層技術（ロジックフォールディングなど」

「可欠だ。これらの技術は依然として台湾のTSMCなどが世界をリードしており、中国のSMICなどが懸命に追随しているものの、まだ大きな技術格差が存在する。超聚変のサーバーの最終的な性能と供給能力は、中国全体の半導体製造・後工程技術の進展という」

「置の対中輸出を厳格に制限。これにより、中国のテクノロジー企業、特にHuaweiやSMICは、事業の存続そのものを脅かされる事態に陥った。この「技術的窒息作戦」が、中国に代替サプライチェーンの構築を急がせた最大の動機である。 一方、ロシ」

「組み合わせることで、事実上の技術的ロックインを狙っているのだ。 対する中国は、SMICがDUV（深紫外線）リソグラフィを駆使して7nmプロセスチップの量産に成功したものの、これは既存技術の応用範囲にとどまる。次世代の3nm」

「Neural Processing Unit）の完全国産化である。ファーウェイがSMICの7nmプロセスで製造したとされるSoC「Kirin 9000S」の登場は、米国の規制下でも一定の技術的進展が可能であることを世界に示した。しか」