経営陣・組織
- CEO
- 趙海軍・梁孟松(共同CEO)
- 親会社
- 独立
Tokyo Electron / SUMCO 装置・ウエハ調達
🏭 Fab 拠点
上海、北京、天津、深圳
⚙️ Hardware 開発
DUVマルチパターニング技術を駆使し、7nmプロセス量産化を実現。中国国内のサプライチェーン構築を推進し、製造装置・材料の内製化にも注力。
📐 Software 開発
EDAツールや設計フローの最適化に注力。顧客向けIP開発支援や、AIを活用した製造プロセス最適化技術の研究開発を強化。
● DUV (深紫外線) 多重露光技術: ASML EUV 不在を補う、SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) で 7nm 実現 ● High-K Metal Gate (HKMG) を 28nm 以降の標準に ● FinFET 14nm: TSMC・Samsung と同世代、歩留まり 90%+ に到達 (2023) ● 自社開発 PDK (Process Design Kit)、米国 EDA 制限下でも国産代替 (Empyrean / Primarius) 対応
● 北京・上海・天津・深セン・寧波の 5 拠点に Fab ● ★米 Entity List (2020-12)★ 後、ASML EUV 入手不可 → DUV 改良 + 国産装置 (NAURA / AMEC) で代替 ● 設計ツール: 国産 Empyrean (華大九天) / Primarius (概倫電子) を主力に ● 検査装置: KLA → 上海精測 (PNC) へ部分置換 ● 中国国家集成電路産業投資基金 (大基金) からの巨額資金支援
SMIC (中芯国際) に関する最新 6 件の記事
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"程が数十に膨らみ、重ねるたびに位置合わせの誤差が溜まって歩留まりが落ちる。中国のSMICはこの方式で7ナノメートル級に到達したが、歩留まりは2割から4割程度と報じられ、より細い5ナノメートルへ進むには工程がさらに増えてコストが商用に耐えなく"
"割削り、低価格のエージェントで攻勢をかける。製造では中国・中芯国際集成電路製造(SMIC)がEUVなしの多重露光で7ナノメートル相当にとどまるが、推論なら最先端工程への依存度が下がる。中国が国家規模で推論を囲い込む動きは、そのまま価格競争力"
"国の輸出規制によって前工程のEUV露光装置を完全に封じられた中国(ファーウェイやSMICなど)は、国家プロジェクトである「全国一体化高度コンピューティングネットワーク」の命運を、この先進パッケージングと積層技術(ロジックフォールディングなど"
"可欠だ。これらの技術は依然として台湾のTSMCなどが世界をリードしており、中国のSMICなどが懸命に追随しているものの、まだ大きな技術格差が存在する。超聚変のサーバーの最終的な性能と供給能力は、中国全体の半導体製造・後工程技術の進展という、"
"置の対中輸出を厳格に制限。これにより、中国のテクノロジー企業、特にHuaweiやSMICは、事業の存続そのものを脅かされる事態に陥った。この「技術的窒息作戦」が、中国に代替サプライチェーンの構築を急がせた最大の動機である。 一方、ロシ"
"組み合わせることで、事実上の技術的ロックインを狙っているのだ。 対する中国は、SMICが`DUV`(深紫外線)リソグラフィを駆使して`7nm`プロセスチップの量産に成功したものの、これは既存技術の応用範囲にとどまる。次世代の**3nm**"
"Neural Processing Unit)の完全国産化である。ファーウェイがSMICの**7nm**プロセスで製造したとされるSoC「Kirin 9000S」の登場は、米国の規制下でも一定の技術的進展が可能であることを世界に示した。しか"
"シア製兵器の模倣や旧式技術の組み合わせが中心であったが、現在は様相が全く異なる。SMIC(中芯国際集成電路製造)などの国内ファウンドリが、米国の輸出規制を回避しながら**DUV(深紫外線)リソグラフィ**技術を駆使し、軍事用途に十分な**1"
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