🚫 SANCTIONED
capability 37 / 100 ⚡ パワー半導体 ⚡ 先端ノード (≤14nm)
🇯🇵 🟡 日本企業の直接競合 (Renesas / Sony / 三菱 / 東京エレクトロン)
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半導体企業 ⚡ パワー半導体
S

StarPower (斯達半導)

嘉兴斯达半导体股份有限公司 (Starpower Semiconductor Co., Ltd.) / StarPower Semiconductor

🗓 データ最終更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

StarPower Semiconductor(スターパワー)は2005年に沈華(MIT材料学博士)夫妻が浙江省嘉興市で創業したIGBT/SiCパワー半導体大手。新エネルギー車の主駆動インバータや太陽光/風力・産業向けにIGBTモジュール・SiC MOSFETを供給する。上海メインボード上場(603290)。自建産線で車規級SiCチップの量産を進める。
🔗 公式サイト

Postation の入口

📦 製品・商品 (3)

📦 IGBTモジュール 製品
📦 SiC MOSFETモジュール/チップ 製品
📦 IPM/MOSFET/FRD/ダイオード 製品
プロセス
IGBT Gen 7
月産能力
年産数百万個
主力製品
IGBT モジュール (650V/1200V
創業年
2005
従業員
約2,500人
本社
中国・浙江省嘉興市
🇯🇵 日本半導体業界・研究機関との関係

富士電機 / 三菱電機 (IGBT) の中国市場代替

⚔ 日本企業の競合
🔬 プロセス開発・製造技術 (Fab + Hardware)

⚙️ Hardware 開発

パッケージング技術

🧪 設計・材料・EDA ツール

📐 Software 開発

パワーモジュール設計

⚙ システム基盤

嘉興本社 (R&D + 製造 + 営業)、上海・深圳・北京に研究拠点、米国シリコンバレー + ドイツ営業 + 日本駐在。製造: 嘉興工場 (主力 IGBT モジュール、月産 50K)、無錫工場 (SiC 第 3 世代、2025 新規稼働)、月産能力合計 70K モジュール (IGBT) + 5K モジュール (SiC、拡大中)。

📋 詳細情報

技術・事業

技術概要
中核はIGBTパワーモジュールおよびSiC(炭化ケイ素)MOSFET。第7世代microtrench(Trench Field Stop)技術の750V/1200V車規級IGBTモジュールを量産、自建6インチSiC産線で流片した自主・車規級SiC MOSFETチップの車載搭載を開始。米制裁は非該当。IDMに近い自建産線を志向。
コア技術
IGBTモジュール、SiC MOSFETモジュール/チップ、IPM/MOSFET/FRD/ダイオード。2025年売上40.12億元(前年比+18.34%)。従業員約2,471人(2024年)。
ガバナンス

経営陣・組織

CEO
沈華 (Shen Hua、董事長兼総経理)
創業者
沈華 (Shen Hua)、胡畏 (Hu Wei)
専門指標

業界別スペック

主要製品
IGBTモジュール、SiC MOSFETモジュール/チップ、IPM/MOSFET/FRD/ダイオード。用途は新エネ車(主駆動インバータ・800Vシステム)・太陽光/風力・産業。主要顧客=匯川聯合動力・BYD・Li Auto・XPeng・シャオミ(SU7 Ultra)・長安深藍、海外一線Tier1

⭐ 強み・特徴

沈華 (Hua Shen) CEO の Infineon (世界 IGBT No.1) + Xilinx 経験 (1990s 米国半導体キャリア) で技術リーダーシップ。中国 EV パワーデバイス国産化 No.1、Infineon/三菱電機/富士電機 中国シェア 推定 70% → 40% へ侵食中。SiC 第 3 世代量産 (2025-) で日本 SiC 企業 (ローム 6963/富士電機 6504/東芝 非上場) と直接競合領域に参入、中国 EV 急成長で年間 20%+ 売上拡大見込み。

📝 現状分析

中国 IGBT パワーデバイス大手、Infineon/三菱電機/富士電機の世界 IGBT 寡占を打破する戦略的位置付け。IGBT モジュール 650V-3300V 全帯域 + SiC MOSFET 第 3 世代BYD (Blade Battery)、吉利、CATLTesla 上海の EV パワー制御を供給、中国 EV 急成長の最大恩恵企業。2024 売上 33.9 億元 (-7.44%、IGBT 価格圧迫)、純利益 5.08 億元 (-44.24%、SiC 投資 + 価格戦) で苦戦するも、2025 TTM 売上 $550M (約 40 億元) で回復基調。SiC 第 3 世代量産 (2025-) でローム/三菱電機/富士電機と直接競合領域に参入、中国 EV 月販 350 万台 (2026 推定) で売上 +40% 加速見込み。

🔮 今後の展望

2026-2027: 中国 EV 月販 350 万台 (推定 2026)、Starpower IGBT 採用 30%+ で売上 +40% 加速、SiC 量産で日本 SiC 企業の中国シェア -15pt 圧迫。日本投資家含意: 富士電機 (6504) -15% / 三菱電機 (6503) -10% / ローム (6963) -20% リスク (中国 EV 向け IGBT/SiC シェア下落)、東京エレクトロン (8035) は SiC 製造装置で +10% 受注、東芝 (非上場) Power semiconductor も中国シェア圧迫。反証: BYD/吉利/CATL の自社 IGBT 内製化 (BYD 半導体は既に IGBT 量産) で Starpower の中国 EV シェアが圧迫されるリスク。

📊 詳細ビジネスデータ

🛍️ 商品詳細

IGBT: 650V (車載 800V batt 補助)、1200V (EV メインモータ、月産能力 50K モジュール)、1700V (商用車 + UPS)、3300V (高速鉄道 + 工業)。SiC: 1200V 第 3 世代 MOSFET (2025 量産)、第 2 世代対比 ON 抵抗 -30% / スイッチング損失 -50%。IPM: 家電 (エアコン/冷蔵庫/洗濯機) 向け 600V 統合モジュール。FRD: SiC SBD 派生品。代表 BoM: BYD Blade Battery + DM-i 系 (年 300 万台採用)。

⚙️ アルゴリズム・メカニズム

IGBT は Trench Field Stop 設計 (Infineon HiPak 系統)、SiC は 4H-SiC 6 インチウェハ + 自社 epi 成長 + 自社 packaging。第 3 世代 SiC は double-trench 構造で ON 抵抗 + スイッチング損失を同時最適化、Infineon CoolSiC 競合の世代相当。米国 ROHM (日本)・Wolfspeed (米国) の特許回避設計が技術核心。

🏗️ システム基盤構成

嘉興本社 (R&D + 製造 + 営業)、上海・深圳・北京に研究拠点、米国シリコンバレー + ドイツ営業 + 日本駐在。製造: 嘉興工場 (主力 IGBT モジュール、月産 50K)、無錫工場 (SiC 第 3 世代、2025 新規稼働)、月産能力合計 70K モジュール (IGBT) + 5K モジュール (SiC、拡大中)。

💰 売上の見込み

短期 (1 年): 2026 売上 45 億元 (+33%、BYD/吉利/CATL 拡大 + SiC 量産加速)、純利益 7 億元 (回復)。中期 (3 年): 2028 売上 65 億元目標 (SiC 売上比率 30%+)。業界成長率: 中国 EV パワーデバイス市場 CAGR 25% (2025-2027、EV 月販 350 万台 → 500 万台)、SiC は CAGR 40%+ で急成長。

💸 売上の出どころ

売上構成: IGBT モジュール 75% (BYD 25% / 吉利 15% / 長安 10% / CATL/上汽 25%)、SiC MOSFET 8% (2025 急増)、IPM 10% (家電)、ディスクリート + FRD 7%。地域別: 国内 90% (中国 EV/家電/工業全数)、海外 10% (欧州 UPS + インド/東南アジア 工業)。

👤 経営者履歴

CEO — 沈華 (Shen Hua、董事長兼総経理)

沈华 (Shen Hua、Hua Shen) 創業者 + 董事長 + 総経理。元 Xilinx 主任エンジニア + Infineon Technologies 中国部門技術リーダー (1990s-2000s、独 Infineon は世界 IGBT No.1)。2005 嘉興で Starpower 創業 (在任 20 年)、中国 IGBT 国産化のパイオニア。中米欧 3 極半導体キャリア + 中国 EV 急成長の波を捉えた起業家の代表。

CTO / 主席科学者

公開 CTO 不在、Shen Hua CEO + Infineon/Xilinx 出身エンジニア + 中国清華大学/復旦大学院出身の研究者 50+ 人で技術部門統括。米国出身エンジニアが SiC 第 3 世代開発の中核、R&D 投資率 10-12% (半導体パワー業界中標準的)。
基本情報

上場・財務

本社
中国・浙江省嘉興市
創業
2005
従業員
約2,500人
上場ステータス
未上場
コンプライアンス

信用・米制裁

クレジット
none
銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅰 一次情報
最終確認
2026-07-16 05:03:22
検証者
claude+web-verified

出典 URL

  • http://static.cninfo.com.cn/finalpage/2025-08-28/1224594544.PDF
  • https://baike.baidu.com/item/沈华/1785942

最新動向

2025年は新エネ車向けが回復・拡大し売上40.12億元(+18.34%)。SiC MOSFETモジュールが国内外EV市場で大量安定供給に入り、自建産線の車規級SiCチップ量産で2025〜2030年の主駆動用SiCモジュール販売増を裏付け。800Vシステムの主電機コントローラで新規定点(採用内定)を複数獲得、海外一線Tier1のIGBT/SiC主駆プラットフォーム定点も追加した。日本投資家視点では、パワー半導体三菱電機(6503)・富士電機(6504)・ローム(6963)・東芝と競合/代替関係にあり中国EV向けSiC国産化の代表格(日本各社との直接取引の有無は未確認だが、中国市場での競合圧力の観点で注視)。

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⚡ パワー半導体

CRRC Times (中車時代電気)

株洲中車時代電気(CRRC Times Electric)は2005年設立、中国中車(CRRC)傘下の軌道交通牽引システム(国内首位)とパワー半導体の大手。IDM(垂直統合型)として大電力サイリスタ・IGBT・IGCT・SiCデバイスを内製し、鉄道・新エネ車・再エネ・産業向けに展開する。香港(3898)・科創板(688187)の両上場。本社は湖南省株洲市。

⚡ パワー半導体

インフィニオン テクノロジーズ

シーメンスの半導体部門が1999年に独立した、パワー半導体の世界最大手。車載・産業・データセンターの電力変換を主戦場とし、シリコン (CoolMOS / OptiMOS)、炭化ケイ素 (CoolSiC)、窒化ガリウム (CoolGaN) の3材料を同一の製品体系で揃える点が競合との差になる。2025年9月期の売上高は146億6,200万ユーロ、部門利益率17.5%。AIデータセンター向けは同社が最も強く投資する成長領域で、2026年9月期に約15億ユーロ、2027年9月期に約25億ユーロの売上を計画する。

⚡ パワー半導体

富士電機

パワー半導体と無停電電源装置の両方を持つ電機大手。データセンターでは受電から計算機までの間に電圧を落とし、停電時に電力を保つ装置が要る。計算資源の消費電力が1架あたり100キロワットを超える水準になると、この電力系の設計が建屋の成立条件を決める。東証プライム上場(6504)。

⚡ パワー半導体

ローム

ローム株式会社は1958年9月設立の半導体・電子部品メーカーで、本社は京都市右京区に置く。東京証券取引所に上場(証券コード6963)し、資本金869億6,900万円、連結従業員数21,756人(2026年3月31日現在)、2026年3月期の連結売上高は4,811億円。SiCパワー半導体を成長の柱に、電源IC・モータドライバなどのアナログIC、トランジスタ・ダイオードなどのディスクリート、抵抗器等の受動部品まで幅広く手がける。国内生産は京都・滋賀・浜松・岡山(笠岡)・福岡(筑後・広川・行橋)と、子会社ラピスセミコンダクタの宮崎・宮城工場が担う。

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