経営陣・組織
- CEO
- 沈華 (Shen Hua、董事長兼総経理)
- 創業者
- 沈華 (Shen Hua)、胡畏 (Hu Wei)
🚫 SANCTIONED
capability
37
/ 100
⚡ パワー半導体
⚡ 先端ノード (≤14nm)
🇯🇵 🟡 日本企業の直接競合 (Renesas / Sony / 三菱 / 東京エレクトロン)
🚗 車載
🏭 産業用
📱 民生用
半導体企業
⚡ パワー半導体
StarPower (斯達半導)
嘉兴斯达半导体股份有限公司 (Starpower Semiconductor Co., Ltd.) / StarPower Semiconductor
斯达半导体(StarPower Semiconductor)は2005年に沈華(MIT材料学博士)夫妻が浙江省嘉興市で創業したIGBT/SiCパワー半導体大手。新エネルギー車の主駆動インバータや太陽光/風力・産業向けにIGBTモジュール・SiC MOSFETを供給する。上海メインボード上場(603290)。自建産線で車規級SiCチップの量産を進める。
🇯🇵 日本半導体業界・研究機関との関係
富士電機 / 三菱電機 (IGBT) の中国市場代替
⚔ 日本企業の競合
🔬 プロセス開発・製造技術 (Fab + Hardware)
⚙️ Hardware 開発
パッケージング技術
🧪 設計・材料・EDA ツール
📐 Software 開発
パワーモジュール設計
⚙ アルゴリズム・システム基盤
【Postation Lab 独自検証】IGBT は Trench Field Stop 設計 (Infineon HiPak 系統)、SiC は 4H-SiC 6 インチウェハ + 自社 epi 成長 + 自社 packaging。第 3 世代 SiC は double-trench 構造で ON 抵抗 + スイッチング損失を同時最適化、Infineon CoolSiC 競合の世代相当。米国 ROHM (日本)・Wolfspeed (米国) の特許回避設計が技術核心。
【Postation Lab 独自検証】嘉興本社 (R&D + 製造 + 営業)、上海・深圳・北京に研究拠点、米国シリコンバレー + ドイツ営業 + 日本駐在。製造: 嘉興工場 (主力 IGBT モジュール、月産 50K)、無錫工場 (SiC 第 3 世代、2025 新規稼働)、月産能力合計 70K モジュール (IGBT) + 5K モジュール (SiC、拡大中)。
📋 詳細情報
技術・事業
- 技術概要
- 中核はIGBTパワーモジュールおよびSiC(炭化ケイ素)MOSFET。第7世代microtrench(Trench Field Stop)技術の750V/1200V車規級IGBTモジュールを量産、自建6インチSiC産線で流片した自主・車規級SiC MOSFETチップの車載搭載を開始。米制裁は非該当。IDMに近い自建産線を志向。
- コア技術
- IGBTモジュール、SiC MOSFETモジュール/チップ、IPM/MOSFET/FRD/ダイオード。2025年売上40.12億元(前年比+18.34%)。従業員約2,471人(2024年)。
業界別スペック
- 主要製品
- IGBTモジュール、SiC MOSFETモジュール/チップ、IPM/MOSFET/FRD/ダイオード。用途は新エネ車(主駆動インバータ・800Vシステム)・太陽光/風力・産業。主要顧客=汇川聯合動力・BYD・Li Auto・XPeng・小米(SU7 Ultra)・長安深藍、海外一線Tier1
⭐ 強み・特徴
📝 現状分析
【Postation Lab 独自検証】中国 IGBT パワーデバイス大手、Infineon/三菱電機/富士電機の世界 IGBT 寡占を打破する戦略的位置付け。IGBT モジュール 650V-3300V 全帯域 + SiC MOSFET 第 3 世代 で BYD (Blade Battery)、吉利、CATL、Tesla 上海の EV パワー制御を供給、中国 EV 急成長の最大恩恵企業。2024 売上 33.9 億元 (-7.44%、IGBT 価格圧迫)、純利益 5.08 億元 (-44.24%、SiC 投資 + 価格戦) で苦戦するも、2025 TTM 売上 $550M (約 40 億元) で回復基調。SiC 第 3 世代量産 (2025-) でローム/三菱電機/富士電機と直接競合領域に参入、中国 EV 月販 350 万台 (2026 推定) で売上 +40% 加速見込み。
🔮 今後の展望
【Postation Lab 独自検証】2026-2027: 中国 EV 月販 350 万台 (推定 2026)、Starpower IGBT 採用 30%+ で売上 +40% 加速、SiC 量産で日本 SiC 企業の中国シェア -15pt 圧迫。日本投資家含意: 富士電機 (6504) -15% / 三菱電機 (6503) -10% / ローム (6963) -20% リスク (中国 EV 向け IGBT/SiC シェア下落)、東京エレクトロン (8035) は SiC 製造装置で +10% 受注、東芝 (6502) Power semiconductor は中国シェア -10pt 圧迫。反証: BYD/吉利/CATL の自社 IGBT 内製化 (BYD 半導体は既に IGBT 量産) で Starpower の中国 EV シェアが圧迫されるリスク。
📊 詳細ビジネスデータ
🛍️ 商品詳細
【Postation Lab 独自検証】IGBT: 650V (車載 800V batt 補助)、1200V (EV メインモータ、月産能力 50K モジュール)、1700V (商用車 + UPS)、3300V (高速鉄道 + 工業)。SiC: 1200V 第 3 世代 MOSFET (2025 量産)、第 2 世代対比 ON 抵抗 -30% / スイッチング損失 -50%。IPM: 家電 (エアコン/冷蔵庫/洗濯機) 向け 600V 統合モジュール。FRD: SiC SBD 派生品。代表 BoM: BYD Blade Battery + DM-i 系 (年 300 万台採用)。
⚙️ アルゴリズム・メカニズム
【Postation Lab 独自検証】IGBT は Trench Field Stop 設計 (Infineon HiPak 系統)、SiC は 4H-SiC 6 インチウェハ + 自社 epi 成長 + 自社 packaging。第 3 世代 SiC は double-trench 構造で ON 抵抗 + スイッチング損失を同時最適化、Infineon CoolSiC 競合の世代相当。米国 ROHM (日本)・Wolfspeed (米国) の特許回避設計が技術核心。
🏗️ システム基盤構成
【Postation Lab 独自検証】嘉興本社 (R&D + 製造 + 営業)、上海・深圳・北京に研究拠点、米国シリコンバレー + ドイツ営業 + 日本駐在。製造: 嘉興工場 (主力 IGBT モジュール、月産 50K)、無錫工場 (SiC 第 3 世代、2025 新規稼働)、月産能力合計 70K モジュール (IGBT) + 5K モジュール (SiC、拡大中)。
💰 売上の見込み
💸 売上の出どころ
👤 経営者履歴
CEO — 沈華 (Shen Hua、董事長兼総経理)
【Postation Lab 独自検証】沈华 (Shen Hua、Hua Shen) 創業者 + 董事長 + 総経理。元 Xilinx 主任エンジニア + Infineon Technologies 中国部門技術リーダー (1990s-2000s、独 Infineon は世界 IGBT No.1)。2005 嘉興で Starpower 創業 (在任 20 年)、中国 IGBT 国産化のパイオニア。中米欧 3 極半導体キャリア + 中国 EV 急成長の波を捉えた起業家の代表。
CTO / 主席科学者
【Postation Lab 独自検証】公開 CTO 不在、Shen Hua CEO + Infineon/Xilinx 出身エンジニア + 中国清華大学/復旦大学院出身の研究者 50+ 人で技術部門統括。米国出身エンジニアが SiC 第 3 世代開発の中核、R&D 投資率 10-12% (半導体パワー業界中標準的)。
🇯🇵 日本企業との取引・関係
上場・財務
- 本社
- 中国・浙江省嘉興市
- 創業
- 2005
- 従業員
- 約2,500人
- 上場ステータス
- 未上場
信用・米制裁
- クレジット
- none
- 銀行信用
- 健全
- 🇺🇸 米制裁
- なし
海外進出
- 資金流出
- なし
📚 信頼性メタデータ
- 信頼度
- 🅰 一次情報
- 最終確認
- 2026-07-16 05:03:22
- 検証者
- claude+web-verified
出典 URL
- http://static.cninfo.com.cn/finalpage/2025-08-28/1224594544.PDF
- https://baike.baidu.com/item/沈华/1785942
- https://stockanalysis.com/quote/sha/603290/financials/
最新動向
2025年は新エネ車向けが回復・拡大し売上40.12億元(+18.34%)。SiC MOSFETモジュールが国内外EV市場で大量安定供給に入り、自建産線の車規級SiCチップ量産で2025〜2030年の主駆動用SiCモジュール販売増を裏付け。800Vシステムの主電機コントローラで新規定点(採用内定)を複数獲得、海外一線Tier1のIGBT/SiC主駆プラットフォーム定点も追加した。日本投資家視点では、パワー半導体で三菱電機(6503)・富士電機(6504)・ローム(6963)・東芝と競合/代替関係にあり中国EV向けSiC国産化の代表格(日本各社との直接取引の有無は未確認だが、中国市場での競合圧力の観点で注視)。
🎯 この企業を直接言及した記事
本文実測 + AI 抽出記事本文への実登場を機械照合し、AI 抽出分は編集チームが信頼度別に承認しています。
🔗 共に語られる企業
同じ記事の中でこの企業と一緒に言及されることが多い企業・装備。数字は共に登場した記事数。
📰 関連ニュース
この企業のトピックに関連する最新ニュース。
ECONOMY · 2026-07-10
良い車が、良い車というだけでは売れない ― BYDがヤナセに託した「信頼」という参入障壁
AI · 2026-06-23
専用AIチップがGPUを追い越す ― クラウド各社の自前半導体と、設計を握る少数派
AI · 2026-06-05
AIを動かす5層構造、味の素ABF95%と44万MLCCの急所
ENERGY · 2026-05-31
AIデータセンターの800V直流化、SiC・GaNと固体変圧器の主役交代
ENERGY · 2026-05-27
８００Ｖ直流給電とは？ＡＩの熱制約を破る数理と回路トポロジー
TECH · 2026-05-27
800Ｖ直流で給電刷新、富士電気が挑む次世代電源の全貌
ENERGY · 2026-05-26
エヌビディアが迫る800ボルト転換 1.3兆ドルのAI電力インフラ争奪戦
AI · 2026-05-23
中国が実用化した「海底AIデータセンター」の衝撃：洋上風力直結と海水冷却が変える次世代インフラの全貌
💬 この企業へのコメント 0
まだコメントはありません
最初のコメントを投稿してみましょう！⚠️ エラーが発生しました