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記事 記事 › 日本関連 · 2026-01-09
韓国・李在明大統領、2026年訪中へ 米韓同盟と経済実利の狭間で関係正常化を模索
韓国の李在明大統領が2026年に訪中し、首脳会談を行うことで合意。経済実利を求め中国との関係正常化を図るが、米韓同盟や日米韓の安保協力に新たな緊張を生む可能性が指摘される。 韓国の李在明(イ・ジェミョン)大統領が2026年に中国を公式訪問し、首脳会談を行う方向で両国が合意したことが明らかになった。経済、環境、人的交流など多岐にわたる分野で…
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記事 記事 › 政治 · 2026-01-08
中国共産党、全国家機関への「一元的指導」を強化 習近平体制の権力集約が最終段階へ
中国共産党は全国家機関への「一元的指導」強化を決定。習近平体制の権力集約が最終段階に入り、立法・行政・司法の独立性は形骸化。政策の予測不可能性が高まり、日本企業のリスクが増大する構造変化を分析する。 中国共産党中央政治局常務委員会は1月8日に会議を開き、全国人民代表大会(全人代)常務委員会や国務院など主に国家機関の活動報告を聴取した。会議…
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記事 記事 › 半導体 · 2026-01-08
米中半導体摩擦、中国が国産化加速 国家基金3440億元投入
米中半導体摩擦が激化する中、中国は過去最大3440億元の国家ファンドで国産化を加速。SMICは7nm量産に成功したが、歩留まりに課題。日本の装置・素材産業への影響を分析する。 米中間の技術覇権争いの主戦場である半導体分野で、対立が新たな局面を迎えている。米国が先端半導体関連の輸出規制を強化する一方、中国は2024年5月に過去最大となる34…
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記事 記事 › 金融 · 2026-01-08
中国コモディティ指数8カ月連続上昇、炭酸リチウム高騰が示す経済構造転換
中国のコモディティ価格指数が8カ月連続で上昇。特に炭酸リチウムの高騰が顕著で、新エネルギー車(NEV)需要が経済を牽引する構造転換を反映している。不動産依存からの脱却が物価動向に与える影響を分析。 中国物流購入連合会が発表した2025年12月の中国コモディティ価格指数(CBPI)は117.9となり、前月比で3.2%上昇した。上昇は8カ月連…
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記事 記事 › 軍事 · 2026-01-06
ベネズエラ介入の深層、米が狙う中国半導体供給網の「急所」
米軍のベネズエラ介入は、中国が依存する石油権益を揺るがし、半導体国産化に不可欠な先端材料の供給網を脅かす。120億ドル超の対中融資焦げ付きリスクに加え、米中技術覇権競争が新たな段階に入る実態を解説する。 米軍によるベネズエラ指導部拘束は、中国が深く依存する同国の石油権益を揺るがし、半導体製造に不可欠な先端材料の供給網を脅かす新たな火種だ。…
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記事 記事 › 半導体 · 2026-01-06
CXMT、6200億円IPOの内実。DRAM国産化の野心と米規制の壁
中国DRAM最大手CXMTが約6200億円のIPOを計画。DDR5量産で世界シェア3%からの追撃を目指すが、米国の半導体規制が大きな壁となる。日本の装置・材料メーカーには商機と地政学リスクが交錯する。 中国のDRAM最大手、長鑫存儲技術(CXMT)が上海証券取引所への新規株式公開(IPO)で約6200億円(295億元)を調達する計画を明ら…
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記事 記事 › 経済 · 2026-01-05
イラン緊迫、半導体コスト増の火種 原油150ドル視野、TSMC試算の内実
イラン情勢緊迫化が半導体供給網を揺るがす。ホルムズ海峡リスクによる原油高騰はTSMCなど先端工場のコストを直撃し、製造原価8%上昇の試算も。EUV露光など電力多消費工程への影響と、日本の装置・素材産業が直面する課題を解説。 イランの政情不安が、世界の半導体供給網に新たな不確実性をもたらしている。通貨リヤルの暴落を発端とする抗議活動の拡大は…
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記事 記事 › 半導体 · 2026-01-05
AI半導体、2026年の壁。Nvidia次世代GPUと電力限界の内実
2026年のAI半導体市場はNvidiaの次世代GPU投入が続く一方、電力消費の限界とHBM供給不足という壁に直面。TSMCの2nmプロセスや日本の素材・装置産業の動向が、AIブームの持続可能性を左右する実態を解説する。 生成AI(人工知能)ブームを牽引する半導体需要は2026年、性能向上と電力消費という二つの壁に直面する。米Nvidia…
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記事 記事 › 半導体 · 2026-01-05
中国半導体、自立の幻影と現実解 米国規制3年で見えた「7nmの壁」
米国の制裁下、中国半導体産業の自立はどこまで進んだか。SMICがDUV多重露光で7nm製造を試みるも、EUV不在の壁は厚い。国産化の裏で、フォトレジストやシリコンウエハーなど日本の素材メーカーがサプライチェーンの隘路を握る実態を解説する。 米国の輸出規制下で苦闘する中国半導体産業に対し、著名経済学者の周其仁氏が「企業は自ら活路を見いだせ」…
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記事 記事 › 軍事 · 2026-01-05
台湾演習、半導体供給網を寸断か TSMC封鎖で試される日本の素材・装置依存の実態
台湾周辺での軍事演習「正義使命-2025」が、世界の半導体供給網に深刻な脅威をもたらしている。世界の受託製造の6割を握るTSMCが機能不全に陥るリスクを分析し、日本の製造装置・素材メーカーへの具体的な影響と構造的脆弱性を解説する。 台湾周辺海域で始まった軍事演習「正義使命-2025」は、世界の半導体供給網、とりわけ台湾積体電路製造(TSM…
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記事 記事 › 日本関連 · 2026-01-04
中国『技術政策法』の全貌、AI・半導体で狙う2030年自給率7割の現実味
中国が2025年に施行する新『技術政策法』は、AIと半導体の完全自給を目指す国家戦略の核心だ。475億ドルの国家基金を背景にした動きが、東京エレクトロンなど日本の装置・素材産業に与える影響とリスクを分析する。 中国が2025年3月に施行する新『技術政策法』は、人工知能(AI)と半導体の完全自給体制を目指す国家戦略の法的な集大成だ。米国によ…
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記事 記事 › 軍事 · 2026-01-04
中国駆逐艦「婁底艦」就役の深層、窒化ガリウム半導体が変える海上軍事均衡
中国海軍の新型駆逐艦「婁底艦」就役は、窒化ガリウム半導体搭載レーダーによる能力向上を意味する。米イージス艦に迫る052D型改良艦の技術的内実と、供給網を支える日本の素材・装置産業が直面する地政学的課題を分析する。 中国海軍の新型駆逐艦「婁底艦」就役は、窒化ガリウム(GaN)半導体を用いた次世代レーダー搭載による、海上探知能力の飛躍的向上を…
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記事 記事 › 半導体 · 2026-01-04
中国半導体、国産化の虚実 SMIC7nm量産の裏側と日本の岐路
米規制下で中国SMICが達成した7nm半導体は、DUV液浸装置に依存した高コスト・低歩留まり生産が実態だ。2023年に中国の半導体装置市場は世界最大となったが、日本の素材・部品への依存は根深い。成熟工程への過剰投資がもたらすリスクと日本企業の戦略的岐路を分析する。 米国の先端半導体規制下で中国SMICが7nm半導体を量産、しかしその実態は…
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記事 記事 › 日本関連 · 2026-01-04
半導体規制、日米同盟の試金石か 2nm計画と米国の対中戦略
日米首脳会談を機に、次期米政権の対中半導体規制が日本の経済安保に与える影響を分析。ラピダスの2nm計画や東京エレクトロンの事業はCHIPS法400億ドルの行方に左右される。日本の活路はどこにあるのか。 高市文雄首相とドナルド・トランプ米大統領が1月2日の電話会談で来春の首脳会談に向け調整に入った。この動きの深層には、次期米国政権の対中政策…
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記事 記事 › 経済 · 2026-01-03
中国半導体「自立自強」の内実、習氏宣言で国産化40%への道筋
中国が習氏の「自立自強」宣言の下、半導体国産化40%達成へ舵を切った。国家基金475億ドルを投じ、EUV不在のまま28nm成熟品に注力。2027年に世界シェア39%を狙う戦略が日本の装置・材料メーカーに与える影響を分析する。 中国の習近平国家主席が新年の祝辞で改めて強調した「科学技術の自立自強」は、半導体国産化に向けた国家戦略の不退転の決…
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記事 記事 › 半導体 · 2026-01-03
酸化物半導体メモリ開発が加速、3D NAND後の覇権争いへ
酸化物半導体を用いた次世代メモリ開発が世界で加速。3D NANDの限界を背景に、キオクシア、サムスン、中国YMTCなどが技術覇権を争う。データセンターやAI向けに2030年までに数十億ドル市場を形成する可能性を分析。 半導体技術の進化を背景に、酸化物半導体を用いた次世代不揮発性メモリの開発が世界的に加速している。この新技術は、既存の3D …
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記事 記事 › 軍事 · 2026-01-03
中国軍近代化の半導体依存、SMIC7nmが示す限界と日本の装置産業の役割
中国軍近代化はSMIC製7nm半導体の歩留まり50%未満という壁に直面。米国の輸出規制がAI兵器開発を阻む一方、旧世代技術で延命を図る。東京エレクトロンなど日本の装置産業が供給網の鍵を握る実態を解説。 中国軍の近代化は、国産半導体の製造能力、特に中芯国際集成電路製造(SMIC)が製造する7ナノメートル(nm)世代の技術的限界に直面している…
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記事 記事 › 政治 · 2026-01-03
「技術自給」2026年の内実。習氏演説が示す半導体国産化の次段階
習近平氏の2026年への祝辞が示す半導体国産化の内実を分析。SMICの5nm試作成功の一方、製造装置の国産化率は35%に留まる。日本の素材・装置企業に迫る地政学リスクと商機の実態を解説する。 中国の習近平国家主席が2026年に向けた祝辞で強調した「科学技術の自立自強」は、半導体分野で国産製造装置と材料への依存度を高める国家戦略の加速を意味…
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記事 記事 › 金融 · 2026-01-03
中国AI半導体、自給の現実解は。2026年展望、国産化率3割の壁
中国のAI半導体自給は、国家基金7.4兆円を投じDUV装置での5nm級開発に活路。SMICとファーウェイが主導するが、先端材料やEDAツールの海外依存が課題。2026年の国産化率目標と日本企業への影響を分析。 中国の人工知能(AI)用半導体自給は、米国の先端製造装置禁輸措置を回避し、既存の深紫外線(DUV)露光装置を用いた成熟工程の改良に…
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記事 記事 › EV · 2026-01-02
中国半導体自給率30%の壁、国家基金3期4.8兆円投入の実態
中国が半導体自給のため4.8兆円の国家基金3期を設立したが、米国の規制で先端開発は28nmで停滞。SMIC等は旧世代の製造能力を拡張し、日本の製造装置・素材への依存が深まる実態と、日本企業が直面する地政学リスクを解説する。 中国は半導体自給率向上を目指し4.8兆円規模の国家基金第3期を設立したが、米国の先端技術規制で製造能力は28ナノメー…
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