半導体企業 4 entries

半導体企業

中芯国際 (SMIC)、長江存儲 (YMTC)、長鑫存儲 (CXMT)、寒武紀 (Cambricon) 等の中国 IC 企業。

🔬 半導体実力 Tier EMERGING 2 SANCTIONED 2
🇯🇵 日本関係 連携 2 競合 2
📊 応用分類 📱 民生用 4 🛰️ 通信・DC 1

capability = category + process node + capacity + market_cap + patent - 米制裁(×0.4) / 日本関係 = AIST/RIKEN/東大/Tokyo Electron/Renesas との連携・競合判定 / 5 応用分類 = 産業/民生/車載/軍事宇宙/通信DC

🧬 半導体技術 体系解説 — 設計理由の深堀り (リソグラフィ/ALD/Memory Wall/Yield 数式 等) → 📊 比較ツール (8 戦略 preset + 日本 18 機関 ref) →

🏢 半導体企業 💾 メモリ (4 件)

🌱 EMERGING
💾 メモリ capability 55/100

CXMT (長鑫存儲)

长鑫存储技术有限公司 (ChangXin Memory Technologies、合肥長鑫) / CXMT

🛰️ 通信・DC 📱 民生用
🇯🇵 🟡 競合 KIOXIA (NAND) / Micron (DRAM) の中国市場代替

中国 DRAM 国産化の旗艦企業、Samsung/SK Hynix/Micron の 3 強寡占を打破する戦略的位置付け。**DDR4/DDR5/LPDDR4-5/LPDDR5X** を量産。月産能力 250K wafer (2025) → 500K (2027 目標)。世界 DRAM 市場シェア 推定 4-5% (2025) → 10%+ (2027)。HBM2 試作中、HBM3 開発加速。

🔬 17nm/18.5nm DRAM 🏭 月産12万枚 (北京・合肥) 💾 DRAM: DDR4 (8Gb/16 📅 2016
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🌱 EMERGING
💾 メモリ capability 52/100 ⚡ 先端ノード

YMTC (長江存儲)

长江存储科技有限责任公司 (Yangtze Memory Technologies Co.) / YMTC

📱 民生用
🇯🇵 🟡 競合 KIOXIA (NAND) の中国市場代替

中国 NAND フラッシュ国産化の旗艦、Samsung/SK Hynix/Micron/Kioxia/WD の 5 強寡占に挑戦。独自 **Xtacking** 3D NAND アーキテクチャ (CMOS 層と Memory 層を分離製造後接合) で世界初の 232 層 NAND (X3-9070) を 2022-08 発表 → Samsung/Micron に先行。月産 200K wafer。

🔬 232層 3D NAND 🏭 月産15万枚 (目標30万枚) 💾 3D NAND: X1-6070 ( 📅 2016
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🚫 SANCTIONED
💾 メモリ capability 35/100 ⚡ 先端ノード

マイクロン

美光科技 / Micron

📱 民生用
🇯🇵 🟢 連携 日本装置・材料の主要顧客 (Tokyo Electron / SUMCO / Nikon / 信越化…

米国唯一のDRAM大手 (世界3位)。HBMでSK hynix・サムスンを追い、広島工場 (旧エルピーダ) はEUVを用いた最先端DRAMの量産拠点で日本の半導体戦略の中核。

💾 DRAM・NAND・HBM 🏛 MU 📅 1978
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🚫 SANCTIONED
💾 メモリ capability 34/100 ⚡ 先端ノード

キオクシア

铠侠 / Kioxia

📱 民生用
🇯🇵 🟢 連携 日本装置・材料の主要顧客 (Tokyo Electron / SUMCO / Nikon / 信越化…

NANDフラッシュの発明企業 (東芝メモリが前身) で世界シェア上位。ウエスタンデジタル (SanDisk) と四日市・北上工場を共同運営し、BiCS 8世代 (218層超) やCBA接合技術で高密度化を主導。2024年12月に東証プライム上場。

💾 NAND型フラッシュメモリ (BiC 🏛 285A 📅 2018
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📚 信頼性とソース

本データベースの情報は、企業 IR (公式年次報告書)、上場規則に基づく開示資料、香港証券取引所、上海科創板、米 SEC、SIPRI、ロイター、ブルームバーグ、日経等の一次情報源を統合・翻訳・構造化したものです。Editorial Manifesto / データソース →