ローム SiC MOSFET 第4世代 (EcoSiC) ROHM 4th Generation SiC MOSFET

詳細解説

製品名・ブランド

第4世代 SiC MOSFET (電界効果トランジスター) の SCT4シリーズ。ロームの SiC デバイスは EcoSiC の商標で展開する rohm.co.jp

発表日

2020年6月17日。1200V 品を開発し、同月からベアチップのサンプル提供を始めた rohm.co.jp

量産

2022年8月の技術資料 (アプリケーションノート) で「第4世代 SiC MOSFET を量産するに至った」と記す。ディスクリート品・モジュール品のほかウエハー・チップ単体でも供給する fscdn.rohm.com

耐圧と型番

750V (SCT4xxxD 系) と 1200V (SCT4xxxK 系)。例: SCT4036KE は 1200V・36mΩ・TO-247N、SCT4013DR は 750V・13mΩ・TO-247-4L rohm.co.jp

性能の要点

第3世代比で単位面積あたりのオン抵抗を約40%低減、ゲート・ドレイン間容量の削減でスイッチング損失を約50%低減。短絡耐量時間は犠牲にしない rohm.co.jp

供給形態

ベアチップ (ネット販売なし・営業窓口経由)、ディスクリート (TO-247N・TO-247-4L・TSC3PAK など)、モジュール (TRCDRIVE pack など) rohm.co.jp

主な用途

xEV の駆動用 (トラクション) インバーター (TRCDRIVE pack・ベアチップ)、車載充電器 (OBC)、電動コンプレッサー、DC-DC コンバーター、太陽光発電インバーター、スイッチング電源・サーバー電源、誘導加熱 (2020年のリリース・データシート・TSC3PAK のリリースの用途欄) rohm.co.jp

採用実績 (会社の発表)

日立アステモの電気自動車 (EV) 用インバーター (2022年12月発表)、吉利のジーカー3車種 (2024年8月)、トヨタ bZ5 (2025年6月)、シェフラーのインバーター部品 (インバーターブリック、2025年9月)、BMW ノイエ・クラッセ (2026年9月。世代は未記載) micro.rohm.com

後継の第5世代

2026年3月に開発を完了し、2026年4月21日に発表。高温 (Tj=175℃) のオン抵抗を第4世代比で約30%低減 (同耐圧・同チップサイズ)。2025年からベアチップのサンプルを出し、2026年7月からディスクリートとモジュールのサンプルを出す。8インチ品で量産出荷を本格開始 (2026年5月の決算説明資料) rohm.co.jp

新パッケージ (2026年)

上面放熱の面実装パッケージ TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) に第4世代を搭載。750V 6品番・1200V 6品番 (それぞれに民生用と車載 AEC-Q101 対応の HR 品がある)。2026年6月に量産開始 rohm.co.jp

ロームの SiC の歩み

2009年7月に独 SiCrystal を買収 (有価証券報告書の沿革)、2010年に世界で初めて SiC MOSFET を量産、2015年に世界初のトレンチ構造 SiC MOSFET (第3世代) を量産、2020年に第4世代 (2020年6月17日のニュースリリース) rohm.co.jp

🏭 製造工場

この製品を作る工場と、それぞれの役割。会社の発表・有価証券報告書・官公庁の資料で確かめた拠点だけを載せた。

⚙️ 技術・仕組み

どう動くか。方式・構造・制御・材料を、会社の技術資料と特許・論文で確かめた範囲で書いた。

材料 (SiC)

SiC は Si (シリコン) より絶縁破壊電界が約10倍高く、同じ耐圧なら薄く抵抗の低いドリフト層 (電流が流れる層) で済む。650V 級では Si MOSFET の約100分の1、スーパージャンクション MOSFET の約10分の1のチップ面積で同じオン抵抗を出せる fscdn.rohm.com

ダブルトレンチ構造

チップ表面に溝 (トレンチ) を掘り、側壁にゲートを作る。プレーナー型にある JFET 抵抗が無く微細化しやすい。ゲートの溝の部分に生じる電界を緩めるためのローム独自の構造がダブルトレンチで、長期信頼性を確保する。2015年に世界初のトレンチ型 SiC MOSFET を量産した rohm.co.jp

第4世代での改良 (オン抵抗)

セルの微細化などで単位面積あたりのオン抵抗 (RonA) を第3世代比で約40%下げた。同時にドレイン電流の飽和値を下げ、短絡時のピーク電流を抑えることで、短絡耐量時間との両立を図った fscdn.rohm.com

第4世代での改良 (スイッチング)

ゲート・ドレイン間容量 (Cgd) を大幅に減らし、スイッチング損失を約50%低減。SCT4036KE ではターンオン損失 480μJ・ターンオフ損失 57μJ (800V・21A・ゲート抵抗3.3Ω・18V/0V駆動) fscdn.rohm.com

ゲート駆動

推奨オン電圧は +15〜+18V で、Si MOSFET と同じ 15V 駆動が可能。しきい値を高く設計し容量特性を最適化したため、ターンオフ時に負の電圧 (負バイアス) をかける必要がない (0V オフ)。ゲート・ソース間の直流定格は -4〜+21V fscdn.rohm.com

温度特性

SiC MOSFET はドリフト層抵抗の比率が小さく、高温でのオン抵抗の増え方がスーパージャンクション MOSFET より小さい。1200V 品は 750V 品よりドリフト層が厚く、温度係数は大きい fscdn.rohm.com

ドライバーソース端子 (TO-247-4L)

4端子パッケージはソース端子を電力用と駆動用に分け、配線のインダクタンスによる駆動遅れを無くす。評価基板の比較で合計スイッチング損失を約65%減らした fscdn.rohm.com

ボディダイオード

逆回復が速く (SCT4036KE: 逆回復時間 20ns・逆回復電荷 130nC)、ハーフブリッジで転流用に使える。順方向電圧は 3.3V (21A) fscdn.rohm.com

第5世代との違い

第5世代は素子構造の見直しと製造プロセスの最適化で、高温 (接合温度175℃) のオン抵抗を第4世代比で約30%下げた (同耐圧・同チップサイズ)。歩留まりの改善にも寄与するとロームは説明する fscdn.rohm.com

ウエハーの大口径化

第4世代は150ミリ基板で製造してきた。150ミリの内製基板生産を縮小して200ミリに注力し、200ミリ基板の第5世代の生産比率を上げて生産能力と収益性を改善する計画。新エネルギー・産業技術総合開発機構 (NEDO) のグリーンイノベーション基金の「8インチ次世代 SiC MOSFET の開発」を計画比2年前倒しで完了 fscdn.rohm.com

主要諸元

🔩 各部品と部品メーカー

部品は諸元表と発表で存在を確かめたものを並べ、メーカーは会社か部品メーカーの発表、有価証券報告書、分解調査の報道で供給元を確かめられたときだけ社名を書いた。確かめられない部品は「公表されていない」。載っていない会社は「関与していない」ではなく「公表資料で確かめられていない」。確度 A は会社の一次資料、B は報道。

🔗 部品製造サプライチェーン

材料から部品・組み立て・販売までを、上流から下流の順に並べた。

1. 1材料 (SiC 単結晶基板)
   子会社サイクリスタル (独) が単結晶を育成し基板を製造。150ミリ基板の外販は市場の供給過多で縮小し、2026年度は外販再開の見込みが無く、自社向け200ミリ基板の生産に注力する

   企業: サイクリスタル (SiCrystal GmbH、ローム子会社)

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2. 2材料 (エピタキシャル成長)
   ロームは「ウエハ製造から製造プロセス、パッケージング、品質管理まで独自に開発し、一貫生産体制を採用」と説明する。エピタキシャル成長の工程の拠点・装置は公表されていない

   企業: ローム

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3. 3前工程 (デバイス製造)
   筑後工場 (福岡) と宮崎工場 (宮崎) で製造。宮崎第二工場 (国富) を SiC の主力拠点として整備。2026年4月1日付でローム・アポロ・ローム・ワコー・ローム浜松の3社を前工程のローム・デバイス マニュファクチャリングと後工程のローム・アッセンブリ マニュファクチャリングに再編。ラピスセミコンダクタ (宮崎・宮崎第二) の再編は2027年4月1日の予定

   企業: ローム・アポロ (現ローム・デバイス マニュファクチャリング)・ラピスセミコンダクタ

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4. 4後工程 (組立・検査)
   TRCDRIVE pack の後工程は京都本社工場。ディスクリートの後工程は、決算説明資料の拠点図が広川・行橋 (福岡) など国内外の拠点を示すが、SiC の工場別内訳は公表されていない

   企業: ローム (京都本社工場)・ローム・アッセンブリ マニュファクチャリング (広川・行橋など)

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5. 5モジュール化 (中国)
   正海集団との合弁の上海海姆希科半導体 (HAIMOSIC) がベアチップを受け、パワーモジュールを量産。吉利傘下の寧波威睿 (Viridi) に2023年度から、トヨタ bZ5 向けに2025年から出荷

   企業: 上海海姆希科半導体 (HAIMOSIC)

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6. 6ティア1 (インバーター)
   シェフラー (旧ヴィテスコ) は2023年6月、2024〜2030年で1,300億円以上の長期供給契約を結んだ。2025年9月にはロームの第4世代ベアチップを載せたインバーターブリックの量産を中国大手自動車メーカー向けに始めた。UAES (中国の車載部品大手) とも2024年9月に長期供給契約を結んだ

   企業: シェフラー・UAES・日立Astemo

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7. 7完成車
   トヨタ bZ5 (一汽トヨタ、2025年6月発売)、吉利 ZEEKR X・009・001 のトラクションインバーターに第4世代ベアチップのモジュールを採用。BMW ノイエ・クラッセ (第6世代技術) の電動パワートレインにもロームの SiC MOSFET が採用されたが、世代は公表されていない

   企業: トヨタ自動車・浙江吉利控股集団・BMW

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8. 8販売 (ディスクリート)
   ROHM Online Store、Arrow.com、コアスタッフオンラインなどのネット販売と代理店。ベアチップは営業窓口経由のみ

   企業: ローム・各代理店

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🏗️ 製造ライン

工場の中でこの製品がどう作られるか。工程の順に、ラインの構成・設備・自動化・検査・生産能力を、会社の発表と工場見学の記録で確かめた範囲で書いた。

1. 1結晶成長・基板加工
   サイクリスタルが単結晶 SiC 基板を製造。150ミリから200ミリへ移行し、自社向け200ミリに注力。工法 (昇華法など) や設備は公表されていない

   設備・企業: サイクリスタル (SiCrystal GmbH)

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2. 2エピタキシャル成長 (基板の上に結晶の膜を積む工程)
   基板上にドリフト層を成長させる。ロームは一貫生産と説明するが、拠点・装置は公表されていない

   設備・企業: ローム (詳細は公表されていない)

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3. 3前工程 (トレンチ形成・ゲート酸化・イオン注入など)
   筑後工場と宮崎工場で製造。第4世代は150ミリ基板。2026年5月時点の計画では、2026〜2029年度に150ミリの第4世代の能力を減らし、200ミリの第4世代と第5世代の能力を増やす

   設備・企業: ローム・デバイス マニュファクチャリング (筑後)・ラピスセミコンダクタ (宮崎)

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4. 4歩留まり
   2025年度下期は欧州・中国の車載インバーター向けで量産前後の仕様調整に伴う品質保証費用 (第3四半期42億円、第4四半期20億円) が発生。対象は150ミリ基板で作った第4世代で、デバイスの品質に問題は無いと説明。歩留まりの高い第5世代・200ミリへ移行する

   設備・企業: ローム

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5. 5後工程 (ディスクリート)
   TO-247N・TO-247-4L・TSC3PAK への組み立てと検査。TSC3PAK は2026年6月から量産。拠点別の能力は公表されていない

   設備・企業: ローム・アッセンブリ マニュファクチャリング

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6. 6後工程 (モジュール TRCDRIVE pack)
   モールド型モジュールをディスクリート並みの大量生産体制で作り、従来のケース型モジュール比で生産能力を約30倍にした。2024年6月から当面月産10万個。前工程は筑後・宮崎、後工程は京都本社工場

   設備・企業: ローム本社工場

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7. 7信頼性試験
   民生・産業用の TO-247N / TO-247-4L で信頼性試験を実施 (アプリケーションノート表4-1)。車載品は AEC-Q101 (車載用半導体の信頼性規格) に準拠

   設備・企業: ローム

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💴 販売価格と補助金

🛒 購入方法

🛠️ アフターサービス・保守サービス

🌏 海外輸出

📈 販売の実績

💰 金額

解析 — 部品・製造・販売の特徴

第4世代 SiC MOSFET は、ロームが2010年に世界で初めて量産した SiC MOSFET の4代目である。2015年のトレンチ構造 (第3世代) を発展させたダブルトレンチ構造が核にある。会社の資料で確かめられる技術の差は3点ある。単位面積あたりのオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%下げた。15V 駆動で負バイアスも要らず、Si MOSFET からの置き換えが楽になった。短絡耐量時間も保った。供給網は、基板を独サイクリスタル、前工程を筑後と宮崎、後工程を京都などの自社拠点で担う一貫生産である。中国向けは上海の合弁会社、海姆希科でモジュールに組む。この構えは、吉利のジーカー、トヨタ bZ5、シェフラーのインバーターブリックという中国市場の採用例に直結している。

一方で事業の数字は厳しい。2026年3月期は電気自動車 (BEV) 市場の見通しの下方修正を理由に、SiC 事業の設備を中心に1,936億円の減損を計上した。純損失は1,584億円 (前期は501億円の純損失) となった。減損の注記は日本の建物720億円・機械586億円、ドイツ等の機械372億円などで、ロームは「SiC 事業に係る国内外工場の生産設備等が中心」と説明する。6インチ基板の外販は供給過多で縮小し、中国地場メーカーの価格攻勢で中国のシェアは下がった、と会社自身が説明する。2025年度下期には欧州・中国の車載向けで6インチ第4世代の量産調整に伴う品質保証費用62億円も出た。

会社の対策は世代交代と大口径化である。第5世代は高温のオン抵抗を約30%下げ、8インチで量産出荷を始めた。計画では6インチ第4世代の能力を減らし、8インチの第4世代と第5世代を増やす。つまり第4世代は、採用済みの車種やティア1向けに供給を続ける「現行の主力」であり、新しい採用案件は第5世代が担う局面にある。SiC 事業の黒字化は2028年度の計画で、第2期中期経営計画の利益改善1,000億円のうち340億〜400億円を SiC が担う。シェフラーの1,300億円以上の長期契約、BMW ノイエ・クラッセへの SiC 採用 (世代は未公表)、欧州・日系向けの伸びが、その計画の裏付けになる。東芝・三菱電機とのパワー半導体統合の協議は、将来の生産拠点の配置や8インチ・12インチ化の進め方を左右する。

公表されていないこと

• 第4世代の型番ごとの日本円の価格 (ROHM Online Store、米デジキー、米マウザー、RS の日本法人のサイトでは確かめられず、英国の電子部品通販 RS の表示だけが手がかり)
• SiC 事業の売上高の実額と地域別・顧客別の内訳 (決算説明資料は図のみで数値を出していない)
• SiC 事業の2030年度の売上・能力の目標 (第2期中期経営計画にあるのは2028年度の目標とAIサーバーの2030年度300億円だけ。2023年の「2030年度に2021年度比35倍」は報道が伝えた数字)
• 宮崎第二工場の稼働開始日と現在の生産内容 (2023年11月の発表は「2024年中の稼働予定」。8インチのラインと基板の生産は報道が伝えた内容)
• SiCrystal の新棟の完成と能力の実績 (2024年7月の eeNews Europe の報道では新棟6,000m2・2026年初めに完成予定・2027年の能力は2024年の約3倍。完成と稼働の会社発表は確かめられず)
• エピタキシャル成長の拠点と装置、外部からの SiC 基板・エピウエハーの調達の有無
• リードフレーム・封止樹脂・ボンディングワイヤーのメーカーと、金線から銅線への切り替えが SiC MOSFET に及ぶか
• 第4世代ディスクリート (750V・TO-247-4L など) の量産開始日 (2022年8月のアプリケーションノートで量産済みと分かるだけ)
• 日立アステモ向けの2025年からの供給実績 (発表は予定だけ)、BMW のノイエ・クラッセに載る SiC の世代
• ベアチップ・ウエハー販売の契約条件、保証期間、長期供給プログラムの SiC MOSFET への適用
• SiC MOSFET に関する輸出規制・輸出許可の有無
• 2026年3月期の宮崎第二工場・サイクリスタルそれぞれの減損額 (注記は国別・資産の種類別だけ)

出所

1. 業界トップの低オン抵抗を実現した第4世代SiC MOSFETを開発 (ニュースリリース) (2020-06-17)
2. 高温時オン抵抗を約30%低減 第5世代SiC MOSFETを開発 (ニュースリリース) (2026-04-21)
3. SiC MOSFET 製品ページ (ラインアップ・評価ボード・購入先) (2026-10-25)
4. SiCパワーデバイス (EcoSiC) 製品ページ (2026-10-25)
5. SCT4036KE 製品詳細ページ (2026-10-25)
6. SCT4013DR 製品詳細ページ (2026-10-25)
7. SCT4036KE データシート Rev.006 (2024-09-09)
8. 第4世代 SiC MOSFET ディスクリートパッケージ 諸特性と回路設計の注意点 (アプリケーションノート 64AN118J) (2022-08-01)
9. SiC MOSFET Bare Die 製品ページ (2026-10-25)
10. 2in1 SiCモールドタイプモジュール TRCDRIVE pack を開発 (ニュースリリース) (2024-06-11)
11. 上面放熱の新パッケージ TSC3PAK の SiC MOSFET (ニュースリリース) (2026-07-09)
12. ロームのSiC MOSFETがトヨタの中国市場向け新型BEV bZ5 に量産採用 (2025-06-23)
13. ロームの第4世代SiC MOSFETが日立Astemoの電気自動車用インバータに採用 (2022-12-13)
14. ロームのSiC MOSFET搭載のシェフラー製インバータブリック量産開始 (2025-09-09)
15. ロームの第4世代SiC MOSFETベアチップが吉利集団 ZEEKR の主要3車種に量産採用 (2024-08-29)
16. ロームのSiCパワーデバイスがBMWの次世代コンセプト Neue Klasse の電動パワートレインに貢献 (2026-09-17)
17. ヴィテスコ・テクノロジーズとローム、SiCパワーデバイスの長期供給パートナーシップ契約を締結 (2023-06-20)
18. UAES社とローム、SiCパワーデバイスの長期供給契約を締結 (2024-09-05)
19. ローム、ソーラーフロンティア 旧国富工場の資産取得について基本合意 (2023-07-12)
20. ソーラーフロンティア 旧国富工場の取得完了 ラピスセミコンダクタ 宮崎第二工場として稼働予定 (2023-11-07)
21. ローム 有価証券報告書 第68期 (2026年3月期) (2026-06-19)
22. 2025年度 通期業績説明会資料 (2026-05-13)
23. 2025年度 通期業績説明会 Q&A (2026-05-13)
24. 2025年度 3Q 業績説明会 Q&A (SiC の品質保証費用・基板外販) (2026-02-04)
25. 特別損失 (減損損失) の計上及び業績予想値と実績値との差異に関するお知らせ (2026-05-12)
26. ロームグループ第2期中期経営計画 MOVING FORWARD to 2028 を策定 (2025-11-06)
27. 2026年度 第1四半期 決算補足説明資料 (2026-08-05)
28. ローム 品質認証 (ISO 9001・IATF 16949・ISO 26262) (2026-10-25)
29. 三菱電機 パワーデバイス事業とローム・東芝デバイス＆ストレージの半導体事業との統合協議開始に向けた基本合意書の締結 (2026-03-27)
30. SiCrystal GmbH 会社サイト (2026-10-25)
31. ローム、旧国富工場の取得完了 8インチ対応ラインと基板生産の方針 (EE Times Japan・報道) (2023-11-08)
32. SiCrystal がニュルンベルクの SiC ウエハー生産を3倍に (eeNews Europe・報道) (2024-07-05)
33. RS コンポーネンツ (英国) SCT4036KEC11 の商品ページ (価格の参考・確度B) (2026-10-25)
34. ローム 国内グループ (製造関連) の再編に伴う会社分割等のお知らせ (2025-10-10)

出所との照合日: 2026年11月5日。数字は出所の書類のまま。株価・時価総額は扱わない。