📦 製品の詳細
部品・ユニット
日本ルメンタムEML（電界吸収型変調器集積レーザー） Lumentum EML (Electro-absorption Modulated Laser)
レーザーと変調器を1つのチップに集積した光通信用の半導体レーザー。親会社の米ルメンタムは2021年の技術資料で、PAM4 方式 (光の強さを4段階に分けて送る方式) の EML を相模原の主力製品に挙げた。品種は1レーンあたり毎秒100ギガビット (400G・800G用) と200ギガビット (800G・1.6T用) の2つ。AI データセンター向けの光トランシーバーに組み込まれる。日本ルメンタムは相模原を「世界で最も多くのEMLを量産している拠点」と説明する。価格は公表していない。
詳細解説
- 製品の区分
- EML (電界吸収型変調器集積レーザー)。光トランシーバーの送信側で、電気信号を光信号に変える光源。日本ルメンタムの採用サイトは「『光源』と『超高速変調器』を単一チップ上に集積した、長距離・大容量通信の基幹デバイス」と説明する hrmos.co
- 現行の品種
- EML 100G PAM4 CWDM レーザー (型番 HL13B5CP00-Ln) と EML 200G PAM4 CWDM レーザー (HL13E1CP00-Ln) の2品種。親会社の製品ページに載る lumentum.com
- 作る場所
- 親会社の2021年の技術資料は、相模原の工場の主力製品をデータセンター向けのレーザーチップ (DML〈直接変調レーザー〉と PAM4 の EML) とする。求人票によると、相模原では毎秒200ギガビット級の InP (インジウムリン) レーザーチップの後工程を行う。EML と CW (連続発振) レーザーの検査技術は、国内の製造拠点で開発している ethernetalliance.org · hrmos.co · hrmos.co
- 会社が説明する位置づけ
- 求人票は相模原を「世界で最も多くのEMLを量産している拠点」と記す。採用サイトは「EMLを高い歩留まりで量産・出荷できるのは、現在世界でLumentumだけという評価もあります」としている。世界シェアの数字は、親会社の年次報告書・決算資料・製品ページのいずれにもない hrmos.co · hrmos.co
- 工場の系譜 (親会社の2021年の技術資料の年表)
- 1991年 EML の提案と実証。1996年 毎秒2.5ギガビット・640km 用の EA-DFB レーザー (電界吸収型変調器と DFB レーザーを集積した素子) を量産。1999年 毎秒10ギガビット・40km 用の EML を量産。2004年 毎秒40ギガビットの EML を量産。2010年 100G CFP-LR4 用の毎秒25ギガビットの EML を量産。2016年 100G PAM4 (53ギガボー) の EML で10km 伝送を実証。2018年 53ギガボー PAM4 の EML を25〜85度の非冷却で動かした。資料は「日立製作所にさかのぼる30年の EML 技術」としている ethernetalliance.org
- 日本ルメンタムの沿革に載る EML
- 1998年 毎秒10ギガビットの変調器集積レーザーの量産を開始 (親会社の年表は、毎秒10ギガビット・40km 用 EML の量産を1999年としている)。2007年 前身の日本オプネクストが、温度制御を必要としない変調器集積レーザーを世界で初めて発売したとしている。2018年9月 400ギガビット・イーサネット向けの変調器集積レーザーを発表。2020年3月 800ギガビット・イーサネット向けの半導体レーザーを発表 hrmos.co
- 200G EML の評価
- 2022年9月の欧州光通信会議 (ECOC 2022) でデータセンター部門の最優秀製品賞を受けた。2023年には米業界誌ライトウェーブの表彰制度 (イノベーション・レビュー) で5点満点の4.5点を得た s21.q4cdn.com
- 次世代 (1レーンあたり毎秒400ギガビット)
- 親会社は2025年4月の光ファイバー通信会議 (OFC) で、キーサイト・テクノロジーズ、NTTイノベーティブデバイスと共同で、224ギガボーの PAM4 で動かした EML により毎秒448ギガビットの伝送を実演した。2026年3月には、1レーンあたり毎秒400ギガビットの差動駆動型 EML を4個使った 1.6T 光トランシーバー (DR4、OSFP 形状) の試作品を展示した。これらのチップを作った拠点は公表されていない。日本ルメンタムの技術者は2022年に、光の強さを8段階に分ける PAM8 で毎秒420ギガビットの動作を発表している investor.lumentum.com · investor.lumentum.com · opg.optica.org
🏭 製造工場
この製品を作る工場と、それぞれの役割。会社の発表・有価証券報告書・官公庁の資料で確かめた拠点だけを載せた。
| 工場 | 所在地 | 役割 | 備考 | 出所 |
|---|---|---|---|---|
| 相模原 (本社とウエハー工場) | 神奈川県相模原市中央区小山 | InP の結晶成長からウエハー工程、チップ化 (劈開・端面コーティング・個片化)、検査まで。親会社の2021年の技術資料は、PAM4 の EML と DML を相模原の主力製品とする | 親会社は2024年7月、それまで借りていた相模原の土地と建物を4,220万ドルで買い取った (2026年6月期の年次報告書) | hrmos.co |
| 高尾工場 (第二工場) | 東京都八王子市東浅川町 | InP のウエハー工場。ウエハー工程とチップ化工程の装置担当者の求人で、勤務地に挙がっている。EML を高尾で作っているかどうかは公表されていない | 源流は沖電気工業の高速レーザー・増幅器の部門。2008年にロームが買収し、のちにラピスセミコンダクタの事業となった。2013年3月に米ネオフォトニクスが買収し、2025年3月に日本ルメンタムが吸収合併した | hrmos.co · hrmos.co |
⚙️ 技術・仕組み
どう動くか。方式・構造・制御・材料を、会社の技術資料と特許・論文で確かめた範囲で書いた。
- モノリシック集積
- 単一の波長で発振する分布帰還型 (DFB) レーザーと、電界吸収型変調器 (EAM) を1枚の InP チップの上に一体で作る。レーザーは一定の光を出し、隣の EAM が電圧で光の吸収を変えて信号を載せる。親会社の製品ページは、変調時の波長のずれ (チャープ) が小さく、波形のひずみが少ない光信号を出すと説明する lumentum.com
- バットジョイント構造
- レーザー部と EAM 部の量子井戸層を別々に結晶成長させ、境界面で突き合わせてつなぐ。親会社の2021年の技術資料は、理由に「レーザーと変調器を独立に設計するため」を挙げる。日本ルメンタムが2019年に出願した米国特許 US11283242B2 も、レーザー部の活性層と EAM 部の吸収層をバットジョイントで光学的につなぐ構造を示す ethernetalliance.org · patents.google.com
- 埋め込みヘテロ (BH) 構造
- 発光部の両側を、電気を通しにくい半絶縁性の InP の層で埋め込む。親会社の2021年の技術資料は、BH 構造を高速動作のための設計の特徴に挙げている。日本ルメンタムが出願した特許によると、BH 構造は横方向に光を強く閉じ込める。出射光の断面が円に近いため光ファイバーとの結合効率が高く、放熱性にも優れる ethernetalliance.org
- 量子井戸の材料
- 日立製作所と日本オプネクストの2008年の論文は、EAM の吸収層に InGaAlAs 系の多重量子井戸を使ったと報告した。有機金属気相成長法 (MOCVD) によるバットジョイント法で、DFB レーザー・受動導波路・EAM をつないだ。現行品の層の組成は公表されていない jstage.jst.go.jp
- PAM4 変調
- 光の強さを4段階に分け、1つの信号で2ビットを送る。変調速度は100G 品が50ギガボー (GBd)、200G 品が115ギガボー lumentum.com
- 非冷却と防湿構造
- 100G 品は冷却しても冷却しなくても使え、標準の動作温度は20〜70度。親会社の2021年の技術資料は、世界で初めて非冷却の EML を製品化したとし、チップ自体に防湿の構造を持たせた GR-468 (通信機器の信頼性規格) 適合品を量産しているとする lumentum.com · ethernetalliance.org
- 集中定数電極型の EA-DFB レーザー (研究)
- 日本ルメンタムの技術者は2021年、集中定数電極型の EA-DFB レーザーで、毎秒224ギガビットの PAM4 信号を20〜80度の非冷却で2km 伝送した結果を発表した。2023年には毎秒225ギガビットで5km と10km の伝送を発表した opg.optica.org · opg.optica.org
主要諸元
| 項目 | 値 | 出所 |
|---|---|---|
| 100G 品 (HL13B5CP00-Ln) の変調 | 50GBd PAM4 (1レーン100G) | lumentum.com |
| 100G 品の波長・距離・温度 | CWDM4 の 1271・1291・1311・1331nm、500m〜2km、20〜70°C (冷却・非冷却)、消光比 約5dB | lumentum.com |
| 100G 品の用途 | 400G DR4・FR4、800G DR8・2xFR4 の光トランシーバー | lumentum.com |
| 200G 品 (HL13E1CP00-Ln) の変調 | 115GBd PAM4 (1レーン200G)、シングルエンド駆動 | lumentum.com |
| 200G 品の波長・距離・温度 | CWDM4 の4波長、最大2km、冷却 (標準 約55°C)、消光比 約5dB | lumentum.com |
| 200G 品の用途 | 800G DR4・FR4、1.6T DR8・2xFR4 の光トランシーバー (OSFP・QSFP-DD) | lumentum.com |
| 信頼性 | 100G 品・200G 品とも Telcordia GR-468 に適合 (qualified) | lumentum.com |
🔩 各部品と部品メーカー
部品は諸元表と発表で存在を確かめたものを並べ、メーカーは会社か部品メーカーの発表、有価証券報告書、分解調査の報道で供給元を確かめられたときだけ社名を書いた。確かめられない部品は「公表されていない」。載っていない会社は「関与していない」ではなく「公表資料で確かめられていない」。確度 A は会社の一次資料、B は報道。
| 部品 | 品名・型式 | メーカー | 銘柄 | 国・製造拠点 | 根拠 |
|---|---|---|---|---|---|
| InP 基板 | インジウムリンのウエハー 同じ報告書は、中国がインジウム・ガリウムなどの輸出を制限していることをリスクに挙げる |
公表されていない | — | 親会社の2026年6月期の年次報告書は、中国が日本向けに課した輸出規制が基板の調達全体に影響したとしている。供給元の社名は書かれていない。原材料・部品の一部は供給元が1社しかないとも記す A | |
| エピタキシャル層 (多重量子井戸など) | InP 系化合物半導体の結晶層 | 日本ルメンタム 自社で成膜 |
— | 日本 相模原 |
求人票は、MOCVD による InP 系のエピ層の成膜・評価・改善を相模原の業務に挙げる。採用特設サイトには、複数あるエピ工程のうち多重量子井戸 (MQW) の工程を担当する社員が登場する A |
| DFB レーザー部 | 単一波長で発振する分布帰還型レーザー | 日本ルメンタム チップの中に一体で作る |
— | 日本 相模原 |
親会社の製品ページに「波長を固定した DFB レーザーとモノリシックに集積した変調器」とある A |
| 電界吸収型変調器 (EAM) 部 | EAM | 日本ルメンタム チップの中に一体で作る |
— | 日本 相模原 |
親会社の製品ページはモノリシックに集積した EAM と説明する A |
| 埋め込み層 | 半絶縁性の InP 層 | 日本ルメンタム チップの中に一体で作る |
— | 日本 相模原 |
親会社の2021年の技術資料の断面図は、n 型 InP 基板・半絶縁性 InP 層・MQW 層・DFB レーザー・EAM を示す A |
| 電極 | 金属の電極 (メタライゼーション) | 日本ルメンタム (自社の工程)。金属材料の供給元は公表されていない | — | 日本 相模原 |
求人票は InP ウエハーの工程にメタライゼーションを挙げる A |
| 端面のコーティング膜 | チップの端面の光学膜 | 日本ルメンタム 自社の工程 |
— | 日本 相模原 |
求人票によると、毎秒200ギガビット級のレーザーチップの後工程で、端面コーティングを含めてチップを個片化する A |
🔗 部品製造サプライチェーン
材料から部品・組み立て・販売までを、上流から下流の順に並べた。
- 1材料InP の基板を外部から買う。供給元は公表されていない。親会社は、中国が日本向けに課した輸出規制が基板の調達に影響したと開示した企業: 公表されていない
- 2チップの製造結晶成長・ウエハー工程・チップ化・検査を日本ルメンタムが行う。日本ルメンタムは「設計開発から試作、量産までがひとつの拠点で完結」と説明する企業: 日本ルメンタム
- 3販売先
- 4最終の用途EML を載せた 400G・800G・1.6T の光トランシーバーが、データセンターのスイッチと GPU サーバーをつなぐ
- 5次世代品の開発での協力2025年の毎秒448ギガビットの実演は、キーサイト・テクノロジーズ、NTTイノベーティブデバイスとの共同企業: キーサイト・テクノロジーズ、NTTイノベーティブデバイス
🏗️ 製造ライン
工場の中でこの製品がどう作られるか。工程の順に、ラインの構成・設備・自動化・検査・生産能力を、会社の発表と工場見学の記録で確かめた範囲で書いた。
- 1結晶成長 (エピ)MOCVD 装置で InP 系の結晶層を成膜し、X線回折 (XRD)・フォトルミネッセンス (PL)・原子間力顕微鏡 (AFM)・電子顕微鏡 (SEM・TEM) で品質を評価する。バットジョイントと埋め込み層の構造から、成長は複数回に分かれる設備・企業: MOCVD 装置 (装置メーカーは公表されていない)
- 2ウエハー工程
- 3チップ化 (後工程)ウエハーを劈開し、端面にコーティングを施してから個々のチップに分ける。劈開装置とソーター (選別機) を使う設備・企業: 装置メーカーは公表されていない
- 4検査
- 5歩留まりの管理
💴 販売価格
| 型番・グレード | 税込価格 (円) | 時点 | 出所 |
|---|---|---|---|
| EML 100G・200G | 公表されていない (顧客ごとの見積もり) | 2026年10月31日に製品ページと問い合わせページで確認 | lumentum.com |
🛒 購入方法
| 経路 | 内容 | 出所 |
|---|---|---|
| 親会社の顧客窓口 | 親会社の問い合わせページは、見積もりの依頼や注文、注文状況の確認を顧客窓口に問い合わせるよう案内している | lumentum.com |
| 日本の販売代理店 | 親会社の販売代理店の一覧は、日本の代理店として伯東と緑屋電気の2社を挙げている。どの製品を扱うかは示していない | lumentum.com |
| 主な買い手 | 光トランシーバーメーカーなどへの外販が中心とみられる。求人票は「顧客はほぼ海外、外販です」とし、技術面で対応する相手に大手クラウド事業者も挙げる | hrmos.co · hrmos.co |
🛠️ アフターサービス・保守サービス
| 項目 | 内容 | 出所 |
|---|---|---|
| 信頼性 | 100G 品・200G 品とも Telcordia GR-468 に適合する。200G 品の製品ページは、長期の信頼性と量産に向けて GR-468 に適合させたと説明している | lumentum.com |
| 保証の期間 | 公表されていない | lumentum.com |
| 技術対応 | 日本ルメンタムのアプリケーションエンジニアが、海外の大手クラウド事業者や光トランシーバーメーカーへの技術面の顧客対応を行う (求人票) | hrmos.co |
🌏 海外輸出
📈 販売の実績
| 期間 | 指標 | 値 | 単位 | 備考 | 出所 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2025年4〜6月期 | EML の事業 | 約2倍 | 2024年4〜6月期との比較 | 親会社の決算資料の表現。拠点別の数字はない | s21.q4cdn.com |
| 2025年7〜9月期 | 100G・200G EML の出荷 | 過去最高 | 2026年4〜6月期まで4四半期連続で過去最高 | s21.q4cdn.com | |
| 2025年10〜12月期 | 200G EML の比率 | 約10% | データセンター通信向けチップの売上高に占める割合 | s21.q4cdn.com | |
| 2026年1〜3月期 | 200G EML の売上高 | 前四半期の2倍超 | s21.q4cdn.com | ||
| 2026年4〜6月期 | 200G EML の比率 | 25%超 | EML の売上高に占める割合 | 2025年10〜12月期の約10%とは分母が違う | s21.q4cdn.com |
💰 金額
解析 — 部品・製造・販売の特徴
日本ルメンタムの EML は、親会社の売上高を押し上げている主力部品の一つだ。親会社の2026年6月期の部品の売上高は前期比79.7%増え、増加分の78%はレーザーチップとレーザーの組み立て品の出荷増による。決算資料によると、100G と200G の EML の出荷は4四半期連続で過去最高だった。200G 品の割合も高まっている。2025年10〜12月期はデータセンター通信向けチップの売上高の約10%、2026年4〜6月期は EML の売上高の25%超を占めた (分母が異なる)。
技術の柱は、レーザーと変調器を突き合わせてつなぐバットジョイントと、半絶縁性の InP で埋め込む BH 構造だ。いずれも日立製作所の時代から続く。日本ルメンタムの技術者の直江和彦氏は、2008年の日立製作所・日本オプネクストの EML の論文に名を連ねた。2023年には日本ルメンタムの所属で、1レーンあたり毎秒200ギガビットを超える EML について OFC で講演した。
公表されていない点も多い。世界シェアの数字、EML だけの売上高、顧客の社名、InP 基板の供給元はわからない。毎秒400ギガビット級の試作品をどの拠点で作ったかも明らかにしていない。1.6T への移行で200G 品の需要が増えるなか、相模原の生産能力をどこまで増やせるかが焦点になる。
公表されていないこと
- EML の世界シェアの数字 (日本ルメンタムの資料は「世界で最も多くのEMLを量産している拠点」までで、数字はない)
- EML だけの売上高と出荷数量
- 顧客の社名 (親会社の年次報告書は売上高の10%以上を占める2社を A・B とだけ記す)
- InP 基板と MOCVD 装置などの供給元
- 高尾工場で EML を作っているかどうか
- 毎秒448ギガビット・400ギガビット差動 EML の試作品を作った拠点
出所
- 日本ルメンタム 採用サイト (会社情報・沿革・主力製品) (2026-10-31)
- 日本ルメンタム 求人票 (光素子プロダクトエンジニア) (2026-10-31)
- 日本ルメンタム 求人票 (エピエンジニア) (2026-10-31)
- 日本ルメンタム 求人票 (後工程エンジニア) (2026-10-31)
- 日本ルメンタム 求人票 (アプリケーションエンジニア) (2026-10-31)
- 日本ルメンタム 採用特設サイト (2026-10-31)
- ルメンタム 製品ページ (EML 100G PAM4 CWDM レーザー) (2026-10-31)
- ルメンタム 製品ページ (EML 200G PAM4 CWDM レーザー) (2026-10-31)
- ルメンタム 技術資料 (イーサネット・アライアンスの TEF 2021 での講演) (2021-01-28)
- 米国特許 US11283242B2 (出願人 日本ルメンタム、優先日 2019年8月13日。2025年12月に独ルメンタムラディアントへ譲渡) (2019-08-13)
- アンクールド電界吸収型変調器集積半導体レーザ (レーザー学会 2008年) (2008-01-30)
- ルメンタム 2026年6月期 年次報告書 (10-K) (2026-08-17)
- ルメンタム 2026年6月期 第4四半期 決算資料 (2026-08-11)
- ルメンタム OFC 2025 の発表 (2025-04-01)
- ルメンタム OFC 2026 の発表 (2026-03-17)
- ルメンタム 販売代理店の一覧 (2026-10-31)
出所との照合日: 2026年10月31日。数字は出所の書類のまま。株価・時価総額は扱わない。
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