🚫 SANCTIONED
capability 35 / 100 💾 メモリ ⚡ 先端ノード (≤14nm)
🇯🇵 🟢 日本企業との連携あり (装置・材料調達 + 共同開発)
📱 民生用
半導体企業 💾 メモリ
M

マイクロン

美光科技 / Micron

🗓 データ最終更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

米メモリ大手。2023年に中国当局が重要インフラでの調達を制限した企業であり、YMTC/CXMTと直接競合する。広島に日本唯一のDRAM生産拠点を持ち、1.5兆円を投じてAI向けHBM4の生産棟を建設中 (2026年7月起工)。日本との接点が最も太い米半導体企業の1つ。 [2026-09] 2026年3〜5月期 (2026年度第3四半期): 売上高414億5,600万ドル (+346%)、売上総利益350億5,600万ドル (率85%)、営業利益333億1,800万ドル (SEC XBRL)。HBM4 12段の立ち上げは HBM3E の2倍速、HBM4 で10億ドル超を出荷済み。HBM シェア18%。
🔗 公式サイト

Postation の入口

📦 製品・商品 (4)

📦 DRAM 製品
米国唯一のDRAM大手 (世界3位)。HBMSK hynix・サムスンを追い、広島工場 (旧エルピーダ) はEUVを用いた最先端DRAMの量産拠点で日本の半導体戦略の中核。
📦 HBM3E 製品
HBM3E / HBM4 (AIサーバー向け広帯域メモリ、広島で次世代品を生産予定)
📦 NAND/SSD 製品
📦 車載・産業向けメモリ 製品

🧪 技術・サービス (3)

🏭 1γ世代DRAM 工程
EUVを本格適用したDRAM製造。
🧪 HBM3E/HBM4 技術
TSV積層 (8-12段) と信号整合性設計が核心。HBM4では顧客カスタムのベースダイも提供予定。
🧪 232層超NAND 技術
CMOS直下配置 (CuA) と高層化で密度を稼ぐ。
主力製品
DRAM・NAND・HBM
創業年
1978
従業員
約48,000人
本社
米国アイダホ州ボイシ
🇯🇵 日本半導体業界・研究機関との関係

日本装置・材料の主要顧客 (Tokyo Electron / SUMCO / Nikon / 信越化学 等から調達)

⚙ システム基盤

DRAMは日本 (広島)・台湾 (台中)・シンガポールで生産し、米国 (ボイシ/ニューヨーク) の新工場を建設中。広島は1γとHBM向け先端拠点として経産省の大型補助を受ける。

📋 詳細情報

技術・事業

技術概要
米国唯一のDRAM大手 (世界3位)。HBMSK hynix・サムスンを追い、広島工場 (旧エルピーダ) はEUVを用いた最先端DRAMの量産拠点で日本の半導体戦略の中核。
コア技術
1γ世代DRAM、HBM3E/HBM4、232層超NANDEUV適用DRAM製造
ガバナンス

経営陣・組織

CEO
サンジェイ・メロートラ
専門指標

業界別スペック

主要製品
DRAM (DDR5/LPDDR5X)、HBM3E、NAND/SSD、車載・産業向けメモリ

⭐ 強み・特徴

DRAM/NAND両方を持つ製品幅、日米政府の支援 (広島工場へ大型補助金)、HBMの供給契約。

📝 現状分析

中国CXMTの汎用DRAM増産が市況の攪乱要因だが、同社はHBM・先端品へ軸足を移し差別化。中国政府から2023年に調達制限を受けた経緯があり、対中露出は低下。

🔮 今後の展望

HBM4の立ち上げとAIサーバー向けDRAM需要が成長軸。広島での1γ量産と後続投資が日本事業の焦点。

📊 詳細ビジネスデータ

🛍️ 商品詳細

DRAM (DDR5 / LPDDR5X)。HBM3E / HBM4 (AIサーバー向け広帯域メモリ、広島で次世代品を生産予定)。NAND / SSD。車載・産業向けメモリ。

⚙️ アルゴリズム・メカニズム

DRAMは1γ世代でEUVを本格適用し、HBMTSV積層 (8-12段) と信号整合性設計が核心。NANDはCMOS直下配置 (CuA) と232層超の高層化で密度を稼ぐ。HBM4では顧客カスタムのベースダイも提供予定。

🏗️ システム基盤構成

DRAMは日本 (広島)・台湾 (台中)・シンガポールで生産し、米国 (ボイシ/ニューヨーク) の新工場を建設中。広島は1γとHBM向け先端拠点として経産省の大型補助を受ける。

💰 売上の見込み

HBMデータセンターDRAMの需給逼迫で2026年にかけ強気見通しが支配的。中国CXMTの汎用品増産が汎用DRAM価格の下振れ変数。

👤 経営者履歴

CEO — サンジェイ・メロートラ

2017年からCEO。SanDisk共同創業者で、NAND技術者出身。HBM追撃と米日での生産拡大を主導する。

CTO / 主席科学者 — スコット・デボア

1995年入社の技術生え抜きで、最高技術製品責任者としてDRAM/NAND/新メモリのロードマップを統括。
基本情報

上場・財務

本社
米国アイダホ州ボイシ
創業
1978
従業員
約48,000人
上場
NASDAQ
銘柄コード
MU
上場ステータス
上場済
売上高 (最新期)
2025年8月期 約374億ドル
コンプライアンス

信用・米制裁

クレジット
none
銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅱 専門メディア
最終確認
2026-08-24 02:52:57
検証者
claude-mu-cycle-20260824

出典 URL

  • https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC03C0R0T00C26A7000000/
  • https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2607/06/news047.html

最新動向

2026-08-24: CEOのMehrotra氏がCNBCで「AIがメモリーの周期を恒久的に書き換えた」と発言。10-Q (6月25日) では戦略的顧客契約 (SCA) に伴う現金預託と約束220億ドル (うち現金約180億ドル)、FY2026設備投資約270億ドル、借入93.8億ドルを繰上償還。CEO発言の「16契約・5年引取義務・最低1,000億ドル・需要は供給の1.5倍」は提出書類に未記載。

2026-08: 2026年5月期 (FQ3) 売上414.6億ドル (前年同期93.0億の4.5倍)・粗利益率79% (前年同期26%)・クラウドメモリー部門 売上137.7億ドル・粗利益率83%・営業キャッシュフロー253.9億ドル。FQ4見通し 売上500億ドル±10億。HBM4は1-beta DRAMで量産中、HBM4E (1-gamma) は2027年量産。DRAM契約価格は2026年1月に前四半期比+90〜95%。

2026年7月4日、広島 (東広島市) で総投資1.5兆円のAI向け次世代メモリ新棟の起工式を実施。経産省が最大5,360億円の補助を決定し、日本唯一のDRAM生産拠点でHBM4を含む先端メモリを開発・生産する (2028年後半に装置搬入、2029年度量産開始予定)。AIサーバー向けHBMの需要拡大がメモリ市況を牽引しており、広島はその中核拠点となる。日本投資家視点では、広島投資は装置・材料・建設の国内受注に直結し、経済安全保障の観点でも国内DRAM供給の要となる。

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記事本文への実登場を機械照合し、AI 抽出分は編集チームが信頼度別に承認しています。

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マイクロンの原価は1年で1割しか増えず、売上だけが4.5倍になった

「マイクロンの原価は1年で1割しか増えず、売上だけが4.5倍になった メモリー株の上放れを支える材料は4つ挙げられている。だが提出書類で1つずつ確かめると、売上が4.5倍でも製造原価は1割しか増えていない。値上がりだけで積み上がった利益は」

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KVキャッシュの仕組みと経済性、推論コストを決める式を検算する

「50%、サムスン電子33%、マイクロン18%。SKハイニックスの4〜6月期は売上高79.3兆ウォン (前年同期」

高信頼度 100% 2026-09-06
ファーウェイは2030年にエヌビディアへ追いつくか — エポックAIの「ほぼ確実に無理」を検算する、7倍の性能差・150万個の生産・国産HBMだけなら1%

「設計会社T-Headとカンブリコンが評価中と報じた。サムスン、SKハイニックス、マイクロンは既に1世代先のHBM4を量産している。 ## 国産HBMだけなら1% — 2026年24万台、2028年100万台、2030年1,200万〜1」

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モルガン・スタンレーが118ページで説く「AIインフラの押し目」を検算する — 38GWの電力不足、1ワット15.50ドルの計算、旧ビットコイン採掘所に集まった1,000億ドル

「SKハイニックス1,760億ドル、サムスン電子1,730億ドル、マイクロン1,130億ドルが消えた。報告書はこの売りを4つの懸念に分ける。第1に企業のトークン支出が頭打ちになるという懸念、第2に中国の安価なモデルが計算需要を」

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キオクシアの「大減産」を経産省の統計で割ると、個数は横ばいで単価が3割落ちていた

「モリ」はNANDとDRAMの合計で、国内の生産拠点はキオクシアの四日市・北上とマイクロンの広島である。 !生産動態統計「メモリ」― 生産金額・販売金額」

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HBMはなぜ足りないのか — Hot Chips 2026「メモリーの日」で6社が示した、計算をデータの近くへ寄せる6つの答え

「大学で開かれた半導体設計の国際会議Hot Chipsは、初日をメモリーに充てた。マイクロンのチュートリアルで始まり、サムスン電子、SKハイニックスを含む6社が、同じ1つの問題に6通りの答えを示した。問題とは、AIアクセラレーターの計算性能が」

高信頼度 100% 2026-09-03
AI投資の地図 — トークンからメガワットまで、6層のどこで希少性が利益に変わるか

「027年のHBMの契約価格が数倍に跳ねると見込んだ。米国で書類を出す唯一の供給者マイクロンの2025年8月期は、売上373億7,800万ドルで前期比48.9%増、粗利率は39.8%で前期の22.4%から17.4ポイント上がった。本稿が追うの」

高信頼度 100% 2026-09-03
GPUは計算していない時間の方が長い — 1語24語/秒の床は記憶の帯域が決め、通路を売る側に利幅が集まる

「しである。 ## 通路を売っているのは誰か — 高帯域記憶3社の占有率と、マイクロンの決算 ここまでの算術が示すのは、GPUの速さが演算器ではなく高帯域記憶の帯域で決まるという構造である。この構造の下では、利幅は演算器を作る側だ」

🔗 共に語られる企業

同じ記事の中でこの企業と一緒に言及されることが多い企業・装備。数字は共に登場した記事数。

半導体 東京エレクトロン 42本 半導体 SKハイニックス 42本 半導体 エヌビディア 38本 半導体 アドバンテスト 36本 半導体 サムスン電子 33本 半導体 ディスコ 31本

関連 半導体企業

💾 メモリ

YMTC (長江存儲)

YMTC(長江存儲)は、中国政府の強力な支援を受けて2016年に設立された中国最大のNANDフラッシュメモリメーカーです。独自のXtacking技術を開発し、世界市場で存在感を高めてきましたが、米国の輸出規制により製造装置の調達が困難となり、現在は国産化を最優先課題としています。データセンター向けSSDやコンシューマー向け製品を提供しています。

💾 メモリ

CXMT (チャンシン・メモリー)

CXMT(チャンシン・メモリー)は、中国唯一のDRAM量産メーカーです。2016年に設立され、独Qimonda社の技術を源流としながらも独自改良を進めています。現在はDDR4などの汎用品メモリで中国国内市場を中心にシェアを拡大しており、LPDDR5の量産にも成功し、モバイル市場への浸透を図っています。AI向けHBM(広帯域メモリ)の研究開発も開始しており、中国の半導体自給率向上に貢献する存在として注目されています。 [2026-09] エポックAI推計: HBM向けウェハー投入は2025年末 月5,000枚→2026年 月3万枚→2027年 月5.5万枚→2028年 月10万枚、75%がファーウェイ向け。8段HBM3の総合歩留まり約25% (SemiAnalysis 2026年6月)。2026年9月1日にHBM3Eの小規模生産を開始、アリババT-Headとカンブリコンが評価中 (Korea JoongAng Daily)。米商務省は2026年6月17日にエンティティリスト追加を保留 (CNBC)。

💾 メモリ

SKハイニックス

AI向け広帯域メモリー(HBM)の世界首位。Counterpoint Researchの推計では2026年1月から3月期の出荷シェアは58%で、エヌビディア向けの供給が中核を占める。積層した記憶素子の隙間を樹脂で一括充填する独自のMR-MUF工法と、素子を垂直に貫く配線TSVを組み合わせ、放熱と歩留まりを両立させる。韓国取引所上場(000660)で、2026年7月10日にナスダックへADRを上場した。 [2026-09] 2026年4〜6月期: 売上高79.3兆ウォン (前年同期比+257%)、営業利益60.5兆ウォン (率76%)。HBM4 の量産出荷を開始し約10社と長期契約、HBM4E は上半期にサンプル出荷。HBM シェア50% (Counterpoint、2026年4〜6月期)。KVキャッシュの常駐先として推論需要の直接の受け皿。

💾 メモリ

サンディスク

2025年2月にウエスタンデジタルからフラッシュ事業を分離して上場したNAND専業。キオクシアと三重県四日市・岩手県北上の工場を共同運営し、BiCS世代 (218層、次世代は332層のBiCS10) を共有する。ナスダック上場 (SNDK)。

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