経営陣・組織
- CEO
- サンジェイ・メロートラ
🚫 SANCTIONED
capability
35
/ 100
💾 メモリ
⚡ 先端ノード (≤14nm)
🇯🇵 🟢 日本企業との連携あり (装置・材料調達 + 共同開発)
📱 民生用
🇯🇵 日本半導体業界・研究機関との関係
日本装置・材料の主要顧客 (Tokyo Electron / SUMCO / Nikon / 信越化学 等から調達)
⚙ アルゴリズム・システム基盤
DRAMは1γ世代でEUVを本格適用し、HBMはTSV積層 (8-12段) と信号整合性設計が核心。NANDはCMOS直下配置 (CuA) と232層超の高層化で密度を稼ぐ。HBM4では顧客カスタムのベースダイも提供予定。
DRAMは日本 (広島)・台湾 (台中)・シンガポールで生産し、米国 (ボイシ/ニューヨーク) の新工場を建設中。広島は1γとHBM向け先端拠点として経産省の大型補助を受ける。
📋 詳細情報
技術・事業
- 技術概要
- 米国唯一のDRAM大手 (世界3位)。HBMでSK hynix・サムスンを追い、広島工場 (旧エルピーダ) はEUVを用いた最先端DRAMの量産拠点で日本の半導体戦略の中核。
- コア技術
- 1γ世代DRAM、HBM3E/HBM4、232層超NAND、EUV適用DRAM製造
業界別スペック
- 主要製品
- DRAM (DDR5/LPDDR5X)、HBM3E、NAND/SSD、車載・産業向けメモリ
⭐ 強み・特徴
DRAM/NAND両方を持つ製品幅、日米政府の支援 (広島工場へ大型補助金)、HBMの供給契約。
📝 現状分析
中国CXMTの汎用DRAM増産が市況の攪乱要因だが、同社はHBM・先端品へ軸足を移し差別化。中国政府から2023年に調達制限を受けた経緯があり、対中露出は低下。
🔮 今後の展望
HBM4の立ち上げとAIサーバー向けDRAM需要が成長軸。広島での1γ量産と後続投資が日本事業の焦点。
📊 詳細ビジネスデータ
🛍️ 商品詳細
情報を整備中です
⚙️ アルゴリズム・メカニズム
DRAMは1γ世代でEUVを本格適用し、HBMはTSV積層 (8-12段) と信号整合性設計が核心。NANDはCMOS直下配置 (CuA) と232層超の高層化で密度を稼ぐ。HBM4では顧客カスタムのベースダイも提供予定。
🏗️ システム基盤構成
DRAMは日本 (広島)・台湾 (台中)・シンガポールで生産し、米国 (ボイシ/ニューヨーク) の新工場を建設中。広島は1γとHBM向け先端拠点として経産省の大型補助を受ける。
💰 売上の見込み
HBMとデータセンターDRAMの需給逼迫で2026年にかけ強気見通しが支配的。中国CXMTの汎用品増産が汎用DRAM価格の下振れ変数。
💸 売上の出どころ
DRAMが売上の7割前後、NANDが残り。用途別ではデータセンター向けの比重が上昇。
👤 経営者履歴
CEO — サンジェイ・メロートラ
2017年からCEO。SanDisk共同創業者で、NAND技術者出身。HBM追撃と米日での生産拡大を主導する。
CTO / 主席科学者 — スコット・デボア
1995年入社の技術生え抜きで、最高技術製品責任者としてDRAM/NAND/新メモリのロードマップを統括。
🇯🇵 日本企業との取引・関係
上場・財務
- 本社
- 米国アイダホ州ボイシ
- 創業
- 1978
- 従業員
- 約48,000人
- 上場
- NASDAQ
- 銘柄コード
- MU
- 上場ステータス
- 上場済
- 売上高 (最新期)
- 2025年8月期 約374億ドル
信用・米制裁
- クレジット
- none
- 銀行信用
- 健全
- 🇺🇸 米制裁
- なし
海外進出
- 資金流出
- なし
📚 信頼性メタデータ
- 信頼度
- 🅱 専門メディア
- 検証者
- i18n-phase2-20260726
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