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サムスン電子

Samsung Electronics

🗓 事実の最終確認: 関連記事の更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

要点 (最新 1 件・日付は一次資料の発表日)
  1. サムスン電子は2025年12月19日、2ナノの自社スマホ用半導体「Exynos 2600」を発表した。 記事#4432
上場
005930
同業 4 社との比較 (企業データベースの同じ列)
企業 主力製品・モデル 評価額・時価総額 最新発表 / 確認日
YMTC (長江存儲) 3D NAND: X1-6070 (32 層、第 1 世代… 評価額 約1600億元 2026-08-12
CXMT (チャンシン・メモリー) DRAM: DDR4 (8Gb/16Gb)、DDR5 (1… 評価額 約200億ドル 2026-09-13
SKハイニックス 広帯域メモリー(HBM)・DRAM・NANDフラッシュメモ… — 2024-04-19
マイクロン DRAM・NAND・HBM — 2026-09-24
執筆・監修: (編集長・アナリスト) 最終確認: — 一次資料の確認 更新: 記事→企業行は日次、一次情報の再確認は週次の自動運用 編集方針
韓国の総合電機最大手。メモリ半導体 (DRAM・NAND) で世界首位、ファウンドリでも世界2位。スマートフォンからパネルまで垂直統合する。 [2026-09] HBM シェア33% (Counterpoint、2026年4〜6月期)、SKハイニックスとの差は17ポイント。
基本情報

上場・財務

銘柄コード
005930
上場ステータス
上場済
コンプライアンス

信用・米制裁

銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅲 推定
最終確認
2026-10-30 10:40:05
検証者
admin-verify-20261030

最新動向

2026-08: NVIDIAのAIサーバー15%超値上げ (2027年初出荷) の主因はメモリー価格の急騰で、HBM・DRAMの受け手はSamsung・SK hynix・Micron。DRAM契約価格は2026年1月に前四半期比+90〜95%、2026年の平均は1GB約10ドルの見通し。

2026-08: 3D NANDのワード線にモリブデンを最初に量産導入 (2024年4月量産の第9世代286層)。400層級の第10世代は2026年下期量産で、ウエハー同士の接合と極低温エッチングを併用する。

製品・モデルの発表

  • 【2025-12-19】サムスン電子は2025年12月19日、2ナノの自社スマホ用半導体「Exynos 2600」を発表した。 (記事#4432)

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「B / 計4900万ドル / 米ヒューレット・パッカード・エンタープライズ、韓国サムスン電子の投資部門、英HSBC、NTTファイナンス、住友商事の投資会社 / 2025年5月 / シリーズC / 1億1000万ドル / アントレ・キャ」

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UACJと北陸電力が自営線で太陽光PPA、新設の発電所から工場へ20年供給

「ほぼすべてを再エネでまかなう。独BMWは80%だった。韓国のサムスン電子は31%、台湾積体電路製造 (TSMC」

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川崎重工のヒト型ロボとラピダスの2ナノ、日本のAI・半導体の強みと弱みを一枚の地図に

「2026年4〜6月期の半導体受託製造の売上高シェアはTSMCが72.5%、サムスン電子5.9%、中芯国際集成電路製造 (SMIC) 5.4%、聯華電子 (UMC) 3.9%、グローバルファウンドリーズ3.2%だ。サムスン電子は2025」

高信頼度 100% 2026-10-20
キオクシアが初の実質無借金に、野村は長鑫存儲の新型DRAMへの懸念を行き過ぎと分析

「村が注目するのは、AI関連企業の間で財務の明暗がはっきり分かれてきたことだ。韓国サムスン電子、韓国SKハイニックス、米マイクロン・テクノロジー、米サンディスク、キオクシア、台湾積体電路製造 (TSMC)、米エヌビディア、米アドバンスト・マイ」

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アドバンテストにASIC検査の追い風、ゴールドマンはAI半導体の6割がASICと予想

「が年次報告書 (2026年1月期) で主な調達先に挙げる企業も、TSMC、韓国のサムスン電子とSKハイニックス、米マイクロン・テクノロジー、鴻海、緯創資通 (ウィストロン)、光通信部品の受託製造を手がけるファブリネットで、日本企業は含まれて」

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イビデンと味の素に追い風、ABF基板はモルガン・スタンレーが27年から不足と予想

「子 (ウィンボンド) と旺宏電子 (マクロニクス) を挙げた。SKハイニックス、サムスン電子、キオクシアの大手3社は、短期売買の対象とした。短期的な話題として「Astra GPT-6」の名前も挙げている。メモリー各社の違いはメモリー各社の」

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TSMCとテラファブが協議、インテルの役割とレーザーテックへの影響は不透明

「ない。テッククランチによると、テスラは自社設計の次世代半導体「AI6」の製造で、サムスン電子と165億ドルの契約を結んでいる。AI6は自動車やロボット、データセンターでのAIの学習に使う。同じ記事は、1世代前の「AI5」をTSMCが製造する」

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💾 メモリ

YMTC (長江存儲)

YMTC(長江存儲)は、中国政府の強力な支援を受けて2016年に設立された中国最大のNANDフラッシュメモリメーカーです。独自のXtacking技術を開発し、世界市場で存在感を高めてきましたが、米国の輸出規制により製造装置の調達が困難となり、現在は国産化を最優先課題としています。データセンター向けSSDやコンシューマー向け製品を提供しています。

💾 メモリ

CXMT (チャンシン・メモリー)

CXMT(チャンシン・メモリー)は、中国唯一のDRAM量産メーカーです。2016年に設立され、独Qimonda社の技術を源流としながらも独自改良を進めています。現在はDDR4などの汎用品メモリで中国国内市場を中心にシェアを拡大しており、LPDDR5の量産にも成功し、モバイル市場への浸透を図っています。AI向けHBM(広帯域メモリ)の研究開発も開始しており、中国の半導体自給率向上に貢献する存在として注目されています。 [2026-09] エポックAI推計: HBM向けウェハー投入は2025年末 月5,000枚→2026年 月3万枚→2027年 月5.5万枚→2028年 月10万枚、75%がファーウェイ向け。8段HBM3の総合歩留まり約25% (SemiAnalysis 2026年6月)。2026年9月1日にHBM3Eの小規模生産を開始、アリババT-Headとカンブリコンが評価中 (Korea JoongAng Daily)。米商務省は2026年6月17日にエンティティリスト追加を保留 (CNBC)。

💾 メモリ

SKハイニックス

AI向け広帯域メモリー(HBM)の世界首位。Counterpoint Researchの推計では2026年1月から3月期の出荷シェアは58%で、エヌビディア向けの供給が中核を占める。積層した記憶素子の隙間を樹脂で一括充填する独自のMR-MUF工法と、素子を垂直に貫く配線TSVを組み合わせ、放熱と歩留まりを両立させる。韓国取引所上場(000660)で、2026年7月10日にナスダックへADRを上場した。 [2026-09] 2026年4〜6月期: 売上高79.3兆ウォン (前年同期比+257%)、営業利益60.5兆ウォン (率76%)。HBM4 の量産出荷を開始し約10社と長期契約、HBM4E は上半期にサンプル出荷。HBM シェア50% (Counterpoint、2026年4〜6月期)。KVキャッシュの常駐先として推論需要の直接の受け皿。

💾 メモリ

マイクロン

米国のメモリー大手で、DRAMとNAND型フラッシュメモリーを手がけ、AI向けの広帯域メモリー (HBM) も供給する。2026年3〜5月期は売上高414億5,600万ドル、売上総利益率84.6%、営業利益333億1,800万ドル。広島 (東広島市) にDRAMの工場を持ち、2026年7月に新しいクリーンルームの建設に着手した (同工場への投資は総額約1兆5,000億円)。2023年5月に中国当局が重要情報インフラ事業者による同社製品の購入を禁じた。

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