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SKハイニックス

SK hynix

🗓 事実の最終確認: 関連記事の更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

要点 (最新 1 件・日付は一次資料の発表日)
  1. 韓国のSKハイニックスは2024年4月19日、HBM4のベースダイに、TSMCのロジック半導体の製造技術を使うと発表した。 記事#4402
主力製品・モデル
広帯域メモリー(HBM)・DRAM・NANDフラッシュメモリー
上場
000660
同業 4 社との比較 (企業データベースの同じ列)
企業 主力製品・モデル 評価額・時価総額 最新発表 / 確認日
YMTC (長江存儲) 3D NAND: X1-6070 (32 層、第 1 世代… 評価額 約1600億元 2026-08-12
CXMT (チャンシン・メモリー) DRAM: DDR4 (8Gb/16Gb)、DDR5 (1… 評価額 約200億ドル 2026-09-13
マイクロン DRAM・NAND・HBM — 2026-09-24
サンディスク NANDフラッシュ・SSD (キオクシアとの四日市・北上の… — 2026-10-04
執筆・監修: (編集長・アナリスト) 最終確認: — 自社の公開記事の文を決定的規則で転記 (創作なし) 出典 4 件 更新: 記事→企業行は日次、一次情報の再確認は週次の自動運用 編集方針
AI向け広帯域メモリー(HBM)の世界首位。Counterpoint Researchの推計では2026年1月から3月期の出荷シェアは58%で、エヌビディア向けの供給が中核を占める。積層した記憶素子の隙間を樹脂で一括充填する独自のMR-MUF工法と、素子を垂直に貫く配線TSVを組み合わせ、放熱と歩留まりを両立させる。韓国取引所上場(000660)で、2026年7月10日にナスダックへADRを上場した。 [2026-09] 2026年4〜6月期: 売上高79.3兆ウォン (前年同期比+257%)、営業利益60.5兆ウォン (率76%)。HBM4 の量産出荷を開始し約10社と長期契約、HBM4E は上半期にサンプル出荷。HBM シェア50% (Counterpoint、2026年4〜6月期)。KVキャッシュの常駐先として推論需要の直接の受け皿。
🔗 公式サイト

📋 詳細情報

ガバナンス

経営陣・組織

CEO
クァク・ノジョン(代表理事社長兼CEO。2022年3月取締役初選任、2025年3月再選任、任期満了は2028年定時株主総会)
基本情報

上場・財務

本社
韓国・利川
銘柄コード
000660
上場ステータス
上場済
コンプライアンス

信用・米制裁

銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅱 専門メディア
最終確認
2026-10-03 06:05:02
検証者
auto-fact-reconcile

出典 URL

  • https://news.skhynix.com/en/q2-2026-business-results/
  • https://news.skhynix.com/en/skhynix-lists-adrs-on-nasdaq/
  • https://news.skhynix.com/en/share-buyback-and-retirement/
  • https://www.skhynix.com/sustainability/UI-FR-SA1502/

最新動向

2026-08: HSBC推計でHBM市場は2025年400億ドル→2028年1,960億ドル (年70%)、容量は年37%増で1Gb単価は3年で1.9倍。NVIDIAのAIサーバー15%超値上げの主因をメモリー価格が占め、受け手はMicron・SK hynix・Samsungの3社。日本の韓国からの半導体等電子部品輸入は2026年上半期2,866億円で2025年通年を超過。

2026-08: 2026年末までに375層3D NANDを清州M15で量産開始の計画。ワード線の一部をタングステンからモリブデンへ置き換え、初期のMo消費は年約4トンと見積もる。以降480層・604層へ続く路線図。

動向 2026年7月10日、ナスダックにADR(米国預託証券)を上場した。1ADRあたり149ドルで1億7,790万ADRを売り出し、調達額は265億1,000万ドル、初日終値は168ドル1セントだった。2026年8月19日には約40兆ウォン規模の自社株買いを発表し、およそ2,407万株(発行済株式の約3.3%)を8月20日から約3か月かけて買い付け、全て消却するとしている。米ドル換算額は報道では約286億ドルとされる。

技術 広帯域メモリー(HBM)では、積層したDRAMの隙間を樹脂で一括充填するMR-MUF工法を継続して採用する。16層品ではDRAMウエハーを30マイクロメートルまで薄化し、JEDEC規格の高さ制限775マイクロメートルに収める設計とした。HBM4そのものの量産出荷は2026年4月から6月期に開始済みで、下期に増産する計画を会社が示している。16層品の量産化はこれより後の段階にあたる。

人事 代表理事社長(CEO)はクァク・ノジョン。2022年3月に取締役へ初選任され、2025年3月に再選任された。公式のガバナンス情報によれば任期の満了は2028年の定時株主総会である。

製品 2026年4月から6月期は売上高79兆3,187億ウォン(前年同期比257%増)、営業利益60兆5,426億ウォン(同557%増)、営業利益率76%を記録した。営業利益率76%は会社の決算資料に記載された数字である。HBMの出荷シェアについては、Counterpoint Researchが2026年1月から3月期を58%と推計しているが、これは調査会社の推計であって会社の公表値ではない。

日本投資家視点では、同社の増産投資と連動しやすい東京エレクトロン(8035)、ディスコ(6146)、アドバンテスト(6857)、材料のレゾナック・ホールディングス(4004)が関連する。

製品・モデルの発表

  • 【2024-04-19】韓国のSKハイニックスは2024年4月19日、HBM4のベースダイに、TSMCのロジック半導体の製造技術を使うと発表した。 (記事#4402)

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記事本文への実登場を機械照合し、AI 抽出分は編集チームが信頼度別に承認しています。

高信頼度 100% 2026-10-03
メモリー大手と競う日本企業はキオクシアだけ、DRAMは南亜科技に出資して買う側

「JPモルガンは韓国のSKハイニックスとサムスン電子、マイクロン、キオクシアホールディングス、台湾の南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)、米サンディスクの6社の投資判断を「オーバーウエー」

高信頼度 100% 2026-10-03
マイクロンとキオクシアがメモリーの長期契約を拡大、品薄「少なくとも2028年まで」

「60〜70%(計画) / 生産能力全体 / 5年(毎年交渉して延長) / SKハイニックス / 開示なし(約10社と契約) / - / - / キオクシアは7月31日の決算説明資料で、2028年の出荷量の約50%を主要顧客との長」

高信頼度 100% 2026-10-02
住友電工と村田製作所の開示で読むCPE、光・メモリー・電源を1パッケージにする壁

「に載せる計画だ。 HBMの製造技術も、ロジック半導体に近づいている。韓国のSKハイニックスは2024年4月19日、HBM4のベースダイに、TSMCのロジック半導体の製造技術を使うと発表した。限られた面積に多くの機能を詰め込むためだ。T」

高信頼度 100% 2026-09-24
日本のACSLはDJIと同じドローンを同じ価格で作れるか、差は半導体と販売台数

「ンサーがソニー製という点はアリーナ・フィジカの推定だ。新機種では、DRAMが韓国SKハイニックス製(8ドル)、記憶用のフラッシュメモリーが米サンディスク製の8ギガバイト品2個(計6ドル)に替わった。 注意が必要なのは画像センサーだ。新」

高信頼度 100% 2026-09-23
長鑫存儲(CXMT)と長江存儲(YMTC)、DRAMとNANDの分業が崩れ相互参入へ

「か持たなければ、長鑫存儲からDRAMを買って組み合わせるか、顧客がサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンに流れるのを黙って見ているほかない。この3社は両方を作れるうえ、一体で売れば値引きにも応じられる。供給網の中で半分しか作れない会社は」

高信頼度 100% 2026-09-20
AIデータセンター銘柄8社のうち6社、SECの分類は今も金融業

「ターを打ち上げるまでには複数年の投資期間を見込むと断っている。 もう1社はSKハイニックスである。2026年6月24日に登録届出書を提出し、7月9日に上場の申請と効力発生、7月10日に目論見書を出した。米国預託証券1億7,790万口を」

高信頼度 100% 2026-09-20
2028年のHBM需要、ブロードコム向け4万1003が最大になる

「ないことである。16段積みが現れるのはHBM4eの2027年からになる。ところがSK hynixは16段積みのHBM4を公表しており、容量48GB・帯域は毎秒2テラバイト超で、2026年の量産を計画している。同社は2025年9月12日にHB」

高信頼度 100% 2026-09-19
AIクラウド3社は売上の2.7倍を設備に投じた 手元に残るのは供給側

「るか」を問い、エヌビディアがGPUを供給して計算資源の要にいること、マイクロンとSKハイニックスがHBMを供給すること、真ん中の3社がGPUと電力とネットワークとソフトウェアを組み合わせて貸し出せる計算資源にしていることを説明する。本稿はこ」

🔗 共に語られる企業

同じ記事の中でこの企業と一緒に言及されることが多い企業・装備。数字は共に登場した記事数。

半導体 サムスン電子 57本 半導体 東京エレクトロン 50本 半導体 マイクロン 46本 半導体 エヌビディア 38本 半導体 信越化学工業 36本 半導体 キオクシア 34本

関連 半導体企業

💾 メモリ

YMTC (長江存儲)

YMTC(長江存儲)は、中国政府の強力な支援を受けて2016年に設立された中国最大のNANDフラッシュメモリメーカーです。独自のXtacking技術を開発し、世界市場で存在感を高めてきましたが、米国の輸出規制により製造装置の調達が困難となり、現在は国産化を最優先課題としています。データセンター向けSSDやコンシューマー向け製品を提供しています。

💾 メモリ

CXMT (チャンシン・メモリー)

CXMT(チャンシン・メモリー)は、中国唯一のDRAM量産メーカーです。2016年に設立され、独Qimonda社の技術を源流としながらも独自改良を進めています。現在はDDR4などの汎用品メモリで中国国内市場を中心にシェアを拡大しており、LPDDR5の量産にも成功し、モバイル市場への浸透を図っています。AI向けHBM(広帯域メモリ)の研究開発も開始しており、中国の半導体自給率向上に貢献する存在として注目されています。 [2026-09] エポックAI推計: HBM向けウェハー投入は2025年末 月5,000枚→2026年 月3万枚→2027年 月5.5万枚→2028年 月10万枚、75%がファーウェイ向け。8段HBM3の総合歩留まり約25% (SemiAnalysis 2026年6月)。2026年9月1日にHBM3Eの小規模生産を開始、アリババT-Headとカンブリコンが評価中 (Korea JoongAng Daily)。米商務省は2026年6月17日にエンティティリスト追加を保留 (CNBC)。

💾 メモリ

マイクロン

米国のメモリー大手で、DRAMとNAND型フラッシュメモリーを手がけ、AI向けの広帯域メモリー (HBM) も供給する。2026年3〜5月期は売上高414億5,600万ドル、売上総利益率84.6%、営業利益333億1,800万ドル。広島 (東広島市) にDRAMの工場を持ち、2026年7月に新しいクリーンルームの建設に着手した (同工場への投資は総額約1兆5,000億円)。2023年5月に中国当局が重要情報インフラ事業者による同社製品の購入を禁じた。

💾 メモリ

サンディスク

NAND型フラッシュメモリーの大手。1988年創業の旧SanDiskを2016年にウエスタンデジタルが買収し、2025年2月に同社から分離してナスダックに上場した。キオクシアと四日市・北上工場を合弁で運営し (契約は2034年末まで)、218層のBiCS8、332層のBiCS10などの世代を共同開発する。2026会計年度 (2026年7月3日まで) の売上高は202億4,800万ドル。

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