半導体企業 💾 メモリ
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マイクロン

美光科技 / Micron

🗓 事実の最終確認: 関連記事の更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

主力製品・モデル
DRAM・NAND・HBM
上場
NASDAQ MU
同業 4 社との比較 (企業データベースの同じ列)
企業 主力製品・モデル 評価額・時価総額 最新発表 / 確認日
YMTC (長江存儲) 3D NAND: X1-6070 (32 層、第 1 世代… 評価額 約1600億元 2026-08-12
CXMT (チャンシン・メモリー) DRAM: DDR4 (8Gb/16Gb)、DDR5 (1… 評価額 約200億ドル 2026-09-13
SKハイニックス 広帯域メモリー(HBM)・DRAM・NANDフラッシュメモ… — 2024-04-19
サンディスク NANDフラッシュ・SSD (キオクシアとの四日市・北上の… — 2026-10-04
執筆・監修: (編集長・アナリスト) 最終確認: — 公式発表・SEC/EDINET 等の一次資料と自社記事を突合 出典 4 件 更新: 記事→企業行は日次、一次情報の再確認は週次の自動運用 編集方針
米国のメモリー大手で、DRAMとNAND型フラッシュメモリーを手がけ、AI向けの広帯域メモリー (HBM) も供給する。2026年3〜5月期は売上高414億5,600万ドル、売上総利益率84.6%、営業利益333億1,800万ドル。広島 (東広島市) にDRAMの工場を持ち、2026年7月に新しいクリーンルームの建設に着手した (同工場への投資は総額約1兆5,000億円)。2023年5月に中国当局が重要情報インフラ事業者による同社製品の購入を禁じた。
🔗 公式サイト

Postation の入口

📦 製品・商品 (4)

📦 DRAM 製品
米国唯一のDRAM大手 (世界3位)。HBMでSK hynix・サムスンを追い、広島工場 (旧エルピーダ) はEUVを用いた最先端DRAMの量産拠点で日本の半導体戦略の中核。
📦 HBM3E 製品
HBM3E / HBM4 (AIサーバー向け広帯域メモリ、広島で次世代品を生産予定)
📦 NAND/SSD 製品
📦 車載・産業向けメモリ 製品

🧪 技術・サービス (3)

🏭 1γ世代DRAM 工程
EUVを本格適用したDRAM製造。
🧪 HBM3E/HBM4 技術
TSV積層 (8-12段) と信号整合性設計が核心。HBM4では顧客カスタムのベースダイも提供予定。
🧪 232層超NAND 技術
CMOS直下配置 (CuA) と高層化で密度を稼ぐ。

📋 詳細情報

技術・事業

技術概要
米国唯一のDRAM大手 (世界3位)。HBMでSK hynix・サムスンを追い、広島工場 (旧エルピーダ) はEUVを用いた最先端DRAMの量産拠点で日本の半導体戦略の中核。
コア技術
1γ世代DRAM、HBM3E/HBM4、232層超NAND、EUV適用DRAM製造
ガバナンス

経営陣・組織

CEO
サンジェイ・メロートラ (Sanjay Mehrotra、会長兼CEO)
専門指標

業界別スペック

主要製品
DRAM (DDR5/LPDDR5X)、HBM3E、NAND/SSD、車載・産業向けメモリ

⭐ 強み・特徴

DRAM/NAND両方を持つ製品幅、日米政府の支援 (広島工場へ大型補助金)、HBMの供給契約。

📝 現状分析

中国CXMTの汎用DRAM増産が市況の攪乱要因だが、同社はHBM・先端品へ軸足を移し差別化。中国政府から2023年に調達制限を受けた経緯があり、対中露出は低下。

🔮 今後の展望

HBM4の立ち上げとAIサーバー向けDRAM需要が成長軸。広島での1γ量産と後続投資が日本事業の焦点。

📊 詳細ビジネスデータ

🛍️ 商品詳細

DRAM (DDR5 / LPDDR5X)。HBM3E / HBM4 (AIサーバー向け広帯域メモリ、広島で次世代品を生産予定)。NAND / SSD。車載・産業向けメモリ。

⚙️ アルゴリズム・メカニズム

DRAMは1γ世代でEUVを本格適用し、HBMはTSV積層 (8-12段) と信号整合性設計が核心。NANDはCMOS直下配置 (CuA) と232層超の高層化で密度を稼ぐ。HBM4では顧客カスタムのベースダイも提供予定。

🏗️ システム基盤構成

DRAMは日本 (広島)・台湾 (台中)・シンガポールで生産し、米国 (ボイシ/ニューヨーク) の新工場を建設中。広島は1γとHBM向け先端拠点として経産省の大型補助を受ける。

💰 売上の見込み

HBMとデータセンターDRAMの需給逼迫で2026年にかけ強気見通しが支配的。中国CXMTの汎用品増産が汎用DRAM価格の下振れ変数。

👤 経営者履歴

CEO — サンジェイ・メロートラ (Sanjay Mehrotra、会長兼CEO)

2017年からCEO。SanDisk共同創業者で、NAND技術者出身。HBM追撃と米日での生産拡大を主導する。

CTO / 主席科学者 — スコット・デボア

1995年入社の技術生え抜きで、最高技術製品責任者としてDRAM/NAND/新メモリのロードマップを統括。
基本情報

上場・財務

本社
米国アイダホ州ボイシ
創業
1978
従業員
約48,000人
上場
NASDAQ
銘柄コード
MU
上場ステータス
上場済
売上高 (最新期)
2025年8月期 約374億ドル
コンプライアンス

信用・米制裁

銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅱 専門メディア
最終確認
2026-09-24 11:00:12
検証者
claude+web-verified-g7-8

出典 URL

  • https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/723125/000072312526000013/a2026q3ex991-pressrelease.htm
  • https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/723125/000072312526000015/mu-20260528.htm
  • https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/723125/000110465926101067/tm2624017d1_ex99-1.htm
  • https://s25.q4cdn.com/621799436/files/doc_events/2026/06/Q3-FY26-Prepared-Remarks.pdf

最新動向

動向 マイクロン・テクノロジーは2026年6月24日、2026年3〜5月期 (第3四半期) の決算を発表した。売上高は414億5,600万ドルで前年同期 (93億100万ドル) の約4.5倍、売上総利益率は84.6% (前年同期は37.7%)、純利益は282億4,300万ドルだった。部門別では、大手クラウド事業者向けのメモリーとHBMを扱うクラウドメモリー部門の売上高が137億6,900万ドル、同部門の売上総利益率は83%だった。6〜8月期の見通しは売上高500億ドル±10億ドル、売上総利益率約86%とした。6〜8月期と2026年8月期通期の決算は9月30日に発表する。

技術 広帯域メモリーHBM4は1-beta世代のDRAMで作り、最初に採用した顧客の製品向けに大量出荷している。次のHBM4Eは1-gamma世代で2027年に量産する計画である。6月25日提出の四半期報告書によると、顧客と数年間の数量を約束する戦略的顧客契約を結び、これに伴う預託金などを220億ドル (うち現金の預託約180億ドル) 受け取る見込みである。決算説明の原稿では、結んだ16件のうち14件の契約について、契約上の最低価格で計算した残りの契約期間の売上高が約1,000億ドルになると説明した。

人事 会長兼最高経営責任者 (CEO) はサンジェイ・メロートラ氏。8月26日、マニッシュ・バティア氏を社長兼最高執行責任者 (COO) に、スコット・デボア氏を社長兼最高技術・製品責任者に昇格させた。最高事業責任者だったスミット・サダナ氏はCEOの上級顧問に移った。6月9日には元エヌビディア幹部のアレクシス・ブラック・ビョーリン氏を取締役に迎えた。

製品 生産面では7月4日、広島工場 (東広島市) で新しいクリーンルームの起工式を開いた。同工場への投資は新しいクリーンルームを含めて総額約1兆5,000億円で、経済産業省は2025年9月に最大5,360億円の助成を決めている。報道によれば、製造装置の搬入は2028年後半に始まる。2026年度の設備投資は政府の助成を差し引いて約270億ドルを見込み、同年度の最初の9か月間で、繰上償還を含めて有利子負債93億8,000万ドルを返済した。

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「長く競合だった。スパンションは2011年2月の年次報告書で、NOR の主な競合にマイクロン、マクロニクス、ウィンボンド、サムスンを挙げている。同じ報告書は、サムスンとの間で特許侵害の訴訟が続いていたことも記す。2009年4月7日に和解を公表」

関連 半導体企業

💾 メモリ

YMTC (長江存儲)

YMTC(長江存儲)は、中国政府の強力な支援を受けて2016年に設立された中国最大のNANDフラッシュメモリメーカーです。独自のXtacking技術を開発し、世界市場で存在感を高めてきましたが、米国の輸出規制により製造装置の調達が困難となり、現在は国産化を最優先課題としています。データセンター向けSSDやコンシューマー向け製品を提供しています。

💾 メモリ

CXMT (チャンシン・メモリー)

CXMT(チャンシン・メモリー)は、中国唯一のDRAM量産メーカーです。2016年に設立され、独Qimonda社の技術を源流としながらも独自改良を進めています。現在はDDR4などの汎用品メモリで中国国内市場を中心にシェアを拡大しており、LPDDR5の量産にも成功し、モバイル市場への浸透を図っています。AI向けHBM(広帯域メモリ)の研究開発も開始しており、中国の半導体自給率向上に貢献する存在として注目されています。 [2026-09] エポックAI推計: HBM向けウェハー投入は2025年末 月5,000枚→2026年 月3万枚→2027年 月5.5万枚→2028年 月10万枚、75%がファーウェイ向け。8段HBM3の総合歩留まり約25% (SemiAnalysis 2026年6月)。2026年9月1日にHBM3Eの小規模生産を開始、アリババT-Headとカンブリコンが評価中 (Korea JoongAng Daily)。米商務省は2026年6月17日にエンティティリスト追加を保留 (CNBC)。

💾 メモリ

SKハイニックス

AI向け広帯域メモリー(HBM)の世界首位。Counterpoint Researchの推計では2026年1月から3月期の出荷シェアは58%で、エヌビディア向けの供給が中核を占める。積層した記憶素子の隙間を樹脂で一括充填する独自のMR-MUF工法と、素子を垂直に貫く配線TSVを組み合わせ、放熱と歩留まりを両立させる。韓国取引所上場(000660)で、2026年7月10日にナスダックへADRを上場した。 [2026-09] 2026年4〜6月期: 売上高79.3兆ウォン (前年同期比+257%)、営業利益60.5兆ウォン (率76%)。HBM4 の量産出荷を開始し約10社と長期契約、HBM4E は上半期にサンプル出荷。HBM シェア50% (Counterpoint、2026年4〜6月期)。KVキャッシュの常駐先として推論需要の直接の受け皿。

💾 メモリ

サンディスク

NAND型フラッシュメモリーの大手。1988年創業の旧SanDiskを2016年にウエスタンデジタルが買収し、2025年2月に同社から分離してナスダックに上場した。キオクシアと四日市・北上工場を合弁で運営し (契約は2034年末まで)、218層のBiCS8、332層のBiCS10などの世代を共同開発する。2026会計年度 (2026年7月3日まで) の売上高は202億4,800万ドル。

🧰 ツール・特集の入口

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