経営陣・組織
- CEO
- 太田 裕雄
半導体企業
💾 メモリ
キオクシア
铠侠 / Kioxia
🗓 事実の最終確認: 関連記事の更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)
要点 (最新 1 件・日付は一次資料の発表日)
- キオクシア (285A)は2025年2月に332層の第10世代 BiCS FLASH を発表し、2026年7月3日にサンプル出荷を始めた。 記事#4382
主力製品・モデル
NAND型フラッシュメモリ (BiCS FLASH)、SSD
上場
TSE 285A
| 企業 | 主力製品・モデル | 評価額・時価総額 | 最新発表 / 確認日 |
|---|---|---|---|
| YMTC (長江存儲) | 3D NAND: X1-6070 (32 層、第 1 世代… | 評価額 約1600億元 | 2026-08-12 |
| CXMT (チャンシン・メモリー) | DRAM: DDR4 (8Gb/16Gb)、DDR5 (1… | 評価額 約200億ドル | 2026-09-13 |
| SKハイニックス | 広帯域メモリー(HBM)・DRAM・NANDフラッシュメモ… | — | 2024-04-19 |
| マイクロン | DRAM・NAND・HBM | — | 2026-09-24 |
2017年4月1日に東芝メモリ株式会社として発足し、株式会社東芝のメモリ事業を会社分割により承継して事業を開始した。2019年10月1日にキオクシア株式会社へ社名を変更している。本社事務所は東京都港区芝浦3-1-21の田町ステーションタワーS。資本金100億円、従業員数は単独10,156名・連結15,218名(2026年3月31日現在)で、株式は持株会社のキオクシアホールディングス株式会社が100%保有する。ホールディングスは2024年12月に東京証券取引所プライム市場へ上場し、証券コードは285A。1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを、2007年に世界初の3次元フラッシュメモリ技術を発表した系譜を持つ。
Postation の入口
📦 製品・商品 (7)
🧪 技術・サービス (4)
🧪 BiCS FLASH 技術
3次元フラッシュメモリ。第10世代は積層数332層、NANDインタフェース速度4.8Gb/秒 (第8世代比33%向上)、ビット密度59%向上。投資コストを抑える第9世代との二軸で開発。
🧪 CBA (CMOS directly Bonded to Array) 技術
別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーをウエハーボンディングで貼り合わせ、密度と速度を両立。
🧪 OPS (On Pitch Select Gate Drain) 技術
未使用のメモリホールを削除し、ビットラインの短縮とワードライン容量の低減を図る。
🧪 XL-FLASH 技術
ストレージクラスメモリ。
📋 詳細情報
技術・事業
- 技術概要
- 3次元フラッシュメモリBiCS FLASHを中核に、民生・産業機器用および車載用のUFS/e-MMC、ストレージクラスメモリXL-FLASH、エンタープライズ・データセンター・クライアント各用途のSSDを展開する。生産拠点は三重県四日市市の四日市工場と岩手県北上市の北上工場で、サンディスクコーポレーションとの合弁で運営し、2026年に合弁事業を2034年12月まで延長すると発表した。
- コア技術
- 第8世代以降で採用するCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術は、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーをウエハーボンディング技術で貼り合わせる。あわせてOPS(On Pitch Select Gate Drain)技術で未使用のメモリホールを削除し、ビットラインの短縮とワードライン容量の低減を図る。第10世代BiCS FLASHは積層数を332層に増やし、NANDインタフェース速度4.8Gb/秒(第8世代比33%向上)、ビット密度59%向上、書き込み時の電力効率18%改善、読み出し時の電力効率30%改善としている。投資コストを抑えつつ高性能を実現する第9世代と、積層数を増やして大容量・高性能を実現する第10世代の二軸で開発を進める。
業界別スペック
- 主要製品
- BiCS FLASH (3D NAND)、データセンター/エンタープライズSSD、UFS、microSD
⭐ 強み・特徴
1987年のNAND型フラッシュメモリ発明と2007年の3次元フラッシュメモリ技術発表という技術系譜。四日市・北上の両工場をサンディスクコーポレーションとの合弁で運営し、合弁事業を2034年12月まで延長すると発表済みであること。投資効率重視の第9世代と大容量重視の第10世代という二軸の開発戦略。
📝 現状分析
🔮 今後の展望
北上工場第2製造棟での第10世代の生産開始により生産規模の拡大を進める。AI向けストレージ需要に対しては、第10世代BiCS FLASHを採用したPCIe 6.0エンタープライズSSDやAI・ハイパースケール向けE1.S SSDの開発を2026年7月に公表している。 2027年をめどに、エヌビディアの要望を受けてデータ読み出し速度を従来比100倍近くに高めたAIサーバー向けSSDの製品化を目指すと報じられている。GPUに直結させ、HBMの一部を置き換える構想とされる。
📊 詳細ビジネスデータ
🛍️ 商品詳細
BiCS FLASH (3D NAND) 第8世代 (218層) 以降を量産し、データセンター向けSSD (CD/CMシリーズ)、スマホ向けUFS、SDカードまで垂直展開。AI推論向けの高帯域フラッシュ (HBF) 構想も公表。
⚙️ アルゴリズム・メカニズム
CBA (CMOS directly Bonded to Array) 技術でメモリセルと周辺回路を別ウエハで作り貼り合わせ、密度と速度を両立。多値化 (QLC) とコントローラ設計で用途別に最適化する。
🏗️ システム基盤構成
💰 売上の見込み
💸 売上の出どころ
SSD・ストレージ (データセンター/PC) とスマホ向けメモリが2本柱。ライセンス・その他が補完。
👤 経営者履歴
CEO — 太田 裕雄
キオクシア株式会社およびキオクシアホールディングス株式会社の代表取締役社長。両社の会社概要ページ(2026年3月31日現在)に代表者として記載されている。なお2025年7月2日最終更新のコーポレートガバナンス報告書では、代表取締役社長は早坂伸夫だった。
CTO / 主席科学者
CTO職は公表されていない。技術開発はメモリ技術研究所と四日市の開発部門が担い、WDとの共同開発契約でロードマップを共有する。
🇯🇵 日本企業との取引・関係
持株会社のキオクシアホールディングス株式会社が2024年12月に東京証券取引所プライム市場へ上場(証券コード285A)。国内の生産拠点は三重県四日市市の四日市工場と、岩手県北上市の北上工場(キオクシア岩手株式会社)。
上場・財務
- 本社
- 東京都港区芝浦3-1-21 田町ステーションタワーS (工場: 三重県四日市市、岩手県北上市)
- 創業
- 2017
- 従業員
- 単独10,156名・連結15,218名 (2026年3月31日現在)
- 上場
- TSE
- 銘柄コード
- 285A
- 上場ステータス
- 上場済
- 売上高 (最新期)
- 2025年3月期 約1.7兆円
信用・米制裁
- 銀行信用
- 健全
- 🇺🇸 米制裁
- なし
海外進出
- 資金流出
- なし
📚 信頼性メタデータ
- 信頼度
- 🅱 専門メディア
- 最終確認
- 2026-09-27 06:05:02
- 検証者
- auto-fact-reconcile
出典 URL
- https://www.kioxia.com/ja-jp/about/about-us.html
- https://www.kioxia-holdings.com/ja-jp/about/company.html
- https://www.kioxia-holdings.com/ja-jp/ir/stock/outline.html
- https://www.kioxia.com/ja-jp/about/news/2026/20260703-1.html
- https://www.kioxia.com/ja-jp/about/news/2026/20260703-2.html
- https://www.kioxia-holdings.com/ja-jp/news.html
- https://www.kioxia-holdings.com/content/dam/kioxia-hd/en-jp/ir/library/event/asset/Kioxia_Investor_Day_2026_en_script.pdf
最新動向
2026年7月3日、第10世代BiCS FLASH技術を適用した1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始したと発表した。生産には北上工場(岩手県北上市)第2製造棟(K2棟)の最新設備を使う。同日、サンディスクコーポレーションとの共同で、K2棟における第10世代3次元フラッシュメモリの生産開始も公表した。K2棟は2025年9月に稼働を開始し、それまでは第8世代を生産していた。7月29日にはUFS 5.0対応の組み込み式フラッシュメモリ製品の出荷と、AI・ハイパースケール向け次世代E1.S SSDの開発を、7月30日には第10世代を採用した同社初のPCIe 6.0エンタープライズSSDの開発を公表している。 投資家向け説明会 (Investor Day 2026) では、2025年度の設備投資 約2,837億円に対し、2026年度から2028年度は年平均 約4,700億円へと約60%増額する計画を示した。研究開発費も同様に引き上げる方針で、AI・データセンター向け NAND 需要の拡大に対応する。日本の半導体メモリ市況テーマとして、東証プライム上場の285A (キオクシアHD) は AI 推論向けストレージ需要と NAND 価格サイクルが業績を左右する銘柄であり、増産投資の進捗が注目される。
製品・モデルの発表
- 【2026-07-03】キオクシア (285A)は2025年2月に332層の第10世代 BiCS FLASH を発表し、2026年7月3日にサンプル出荷を始めた。 (記事#4382)
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