業界別スペック
- 主要製品
- BiCS FLASH (3D NAND)、データセンター/エンタープライズSSD、UFS、microSD
日本装置・材料の主要顧客 (Tokyo Electron / SUMCO / Nikon / 信越化学 等から調達)
CBA (CMOS directly Bonded to Array) 技術でメモリセルと周辺回路を別ウエハで作り貼り合わせ、密度と速度を両立。多値化 (QLC) とコントローラ設計で用途別に最適化する。
四日市 (6棟) と北上 (2棟目建設中) の2拠点をウエスタンデジタルと共同運営する世界最大級のNAND生産基地。経産省補助 (北上第2棟に最大約1,500億円等) を受ける。
キオクシア に関する最新 6 件の記事
記事本文への実登場を機械照合し、AI 抽出分は編集チームが信頼度別に承認しています。
"行する。主記憶のDRAMも同じ3社の寡占で、記憶装置のNAND型ではこれに日本のキオクシアやウェスタンデジタル系が加わる。供給者が絞られているほど、需要が跳ねたときの目詰まりは激しくなる。  | フラッシュメモリー。AIの「保管層」需要は追い風だが、マイクロン逆行安が示す通り織り込みと市況の重し | 半導体・AI | ▲5〜+"
"| フラッシュメモリ | 不揮発の長期保存。学習データやチェックポイント用 | キオクシア(285A)・マイクロン(MU) | | 9 | GPU | 並列演算チップ | 学習・推論の主力。HBMと先進実装に出荷を縛られる | エヌビディ"
"ル。推論トークン320倍の爆発がCPUとメモリの逼迫を招き、DRAMは9割高に。キオクシアなど日本の記憶・部品産業の機会とリスクを解説する。 米デルが2026年5月28日に公表した決算は、AIの主役が華やかなGPUから地味なメモリとC"
"3D NAND CBA(CMOS直接接合) * **現場の課題と実態**:キオクシアの「BiCS8」などで実証された、密度プラス50%、書き込み速度プラス20%、消費電力マイナス30%を達成するブレイクスルー。生産能力は2026年の1"
"。 * **主要関係者とその立場・利害(Who)**: * **キオクシア(Kioxia)**:フラッシュメモリ技術をベースに、インターフェースそのものを「光化」することで、次世代AIインフラにおける圧倒的な高速ストレージの地位を確立し"
"が技術力を向上させ、汎用DRAM市場で価格競争力を確立した場合、現在経営再建中のキオクシアなど日本のメモリー関連企業との競合が激化する可能性が指摘される。また、米中対立の激化によるサプライチェーンの分断リスクも、日本企業が常に考慮すべき経営"
"YMTCが上海IPO準備、NAND市場でキオクシアに圧力 中国の半導体メモリ大手、YMTC科学技術 (Yangtze Memory Technologies Corp, YMTC) が上海証券取引所での新規株式公開 (IPO) に向けた準備"
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