🚫 SANCTIONED
capability 34 / 100 💾 メモリ ⚡ 先端ノード (≤14nm)
🇯🇵 🟢 日本企業との連携あり (装置・材料調達 + 共同開発)
🚗 車載 🛰️ 通信・DC 📱 民生用
半導体企業 💾 メモリ
K

キオクシア

铠侠 / Kioxia

🗓 データ最終更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

2017年4月1日に東芝メモリ株式会社として発足し、株式会社東芝のメモリ事業を会社分割により承継して事業を開始した。2019年10月1日にキオクシア株式会社へ社名を変更している。本社事務所は東京都港区芝浦3-1-21の田町ステーションタワーS。資本金100億円、従業員数は単独10,156名・連結15,218名(2026年3月31日現在)で、株式は持株会社のキオクシアホールディングス株式会社が100%保有する。ホールディングスは2024年12月に東京証券取引所プライム市場へ上場し、証券コードは285A。1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを、2007年に世界初の3次元フラッシュメモリ技術を発表した系譜を持つ。
🔗 公式サイト

Postation の入口

📦 製品・商品 (7)

📦 BiCS FLASH 製品
BiCS FLASH (3D NAND)、データセンター/エンタープライズSSD
📦 データセンター/エンタープライズSSD 製品
📦 UFS 製品
UFS/e-MMC、ストレージクラスメモリXL-FLASH
📦 microSD 製品
🧠 BiCS FLASH 第8世代 モデル

BiCS8 / 第8世代BiCS FLASH / 218層

218層の3次元NAND。2026年4〜6月期に生産比率が50%を超えた (決算説明資料)
🧠 BiCS FLASH 第10世代 モデル

BiCS10 / 第10世代BiCS FLASH / 332層

332層の最新世代。北上工場 (岩手) で2026年4〜6月期に生産を開始
📦 XL-FLASH 製品

XL-FLASH / ストレージクラスメモリ

DRAMNANDの間を埋める低遅延品。AIサーバーのメモリ階層向け

🧪 技術・サービス (4)

🧪 BiCS FLASH 技術
3次元フラッシュメモリ。第10世代は積層数332層、NANDインタフェース速度4.8Gb/秒 (第8世代比33%向上)、ビット密度59%向上。投資コストを抑える第9世代との二軸で開発。
🧪 CBA (CMOS directly Bonded to Array) 技術
別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーをウエハーボンディングで貼り合わせ、密度と速度を両立。
🧪 OPS (On Pitch Select Gate Drain) 技術
未使用のメモリホールを削除し、ビットラインの短縮とワードライン容量の低減を図る。
🧪 XL-FLASH 技術
ストレージクラスメモリ。
主力製品
NAND型フラッシュメモリ (BiCS FL
創業年
2017
従業員
単独10,156名・連結15,218
本社
東京都港区芝浦3-1-21 田町ステ
🇯🇵 日本半導体業界・研究機関との関係

日本装置・材料の主要顧客 (Tokyo Electron / SUMCO / Nikon / 信越化学 等から調達)

⚙ システム基盤

四日市 (6棟) と北上 (2棟目建設中) の2拠点をウエスタンデジタルと共同運営する世界最大級のNAND生産基地。経産省補助 (北上第2棟に最大約1,500億円等) を受ける。

📋 詳細情報

技術・事業

技術概要
3次元フラッシュメモリBiCS FLASHを中核に、民生・産業機器用および車載用のUFS/e-MMC、ストレージクラスメモリXL-FLASH、エンタープライズ・データセンター・クライアント各用途のSSDを展開する。生産拠点は三重県四日市市の四日市工場と岩手県北上市の北上工場で、サンディスクコーポレーションとの合弁で運営し、2026年に合弁事業を2034年12月まで延長すると発表した。
コア技術
第8世代以降で採用するCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術は、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーをウエハーボンディング技術で貼り合わせる。あわせてOPS(On Pitch Select Gate Drain)技術で未使用のメモリホールを削除し、ビットラインの短縮とワードライン容量の低減を図る。第10世代BiCS FLASHは積層数を332層に増やし、NANDインタフェース速度4.8Gb/秒(第8世代比33%向上)、ビット密度59%向上、書き込み時の電力効率18%改善、読み出し時の電力効率30%改善としている。投資コストを抑えつつ高性能を実現する第9世代と、積層数を増やして大容量・高性能を実現する第10世代の二軸で開発を進める。
ガバナンス

経営陣・組織

CEO
太田 裕雄
専門指標

業界別スペック

主要製品
BiCS FLASH (3D NAND)、データセンター/エンタープライズSSD、UFS、microSD

⭐ 強み・特徴

1987年のNAND型フラッシュメモリ発明と2007年の3次元フラッシュメモリ技術発表という技術系譜。四日市・北上の両工場をサンディスクコーポレーションとの合弁で運営し、合弁事業を2034年12月まで延長すると発表済みであること。投資効率重視の第9世代と大容量重視の第10世代という二軸の開発戦略。

📝 現状分析

NAND市況の回復とAIデータセンター向けエンタープライズSSDの伸びで業績改善。中国YMTCの追い上げと市況循環が主なリスク。

🔮 今後の展望

北上工場第2製造棟での第10世代の生産開始により生産規模の拡大を進める。AI向けストレージ需要に対しては、第10世代BiCS FLASHを採用したPCIe 6.0エンタープライズSSDやAI・ハイパースケール向けE1.S SSDの開発を2026年7月に公表している。 2027年をめどに、エヌビディアの要望を受けてデータ読み出し速度を従来比100倍近くに高めたAIサーバー向けSSDの製品化を目指すと報じられている。GPUに直結させ、HBMの一部を置き換える構想とされる。

📊 詳細ビジネスデータ

🛍️ 商品詳細

BiCS FLASH (3D NAND) 第8世代 (218層) 以降を量産し、データセンター向けSSD (CD/CMシリーズ)、スマホ向けUFS、SDカードまで垂直展開。AI推論向けの高帯域フラッシュ (HBF) 構想も公表。

⚙️ アルゴリズム・メカニズム

CBA (CMOS directly Bonded to Array) 技術でメモリセルと周辺回路を別ウエハで作り貼り合わせ、密度と速度を両立。多値化 (QLC) とコントローラ設計で用途別に最適化する。

🏗️ システム基盤構成

四日市 (6棟) と北上 (2棟目建設中) の2拠点をウエスタンデジタルと共同運営する世界最大級のNAND生産基地。経産省補助 (北上第2棟に最大約1,500億円等) を受ける。

💰 売上の見込み

AIサーバー向けエンタープライズSSD需要でNAND市況は回復基調。設備投資の抑制的運営が続き、価格規律が維持されるかが収益の鍵。

💸 売上の出どころ

SSD・ストレージ (データセンター/PC) とスマホ向けメモリが2本柱。ライセンス・その他が補完。

👤 経営者履歴

CEO — 太田 裕雄

キオクシア株式会社およびキオクシアホールディングス株式会社の代表取締役社長。両社の会社概要ページ(2026年3月31日現在)に代表者として記載されている。なお2025年7月2日最終更新のコーポレートガバナンス報告書では、代表取締役社長は早坂伸夫だった。

CTO / 主席科学者

CTO職は公表されていない。技術開発はメモリ技術研究所と四日市の開発部門が担い、WDとの共同開発契約でロードマップを共有する。

🇯🇵 日本企業との取引・関係

持株会社のキオクシアホールディングス株式会社が2024年12月に東京証券取引所プライム市場へ上場(証券コード285A)。国内の生産拠点は三重県四日市市の四日市工場と、岩手県北上市の北上工場(キオクシア岩手株式会社)。
基本情報

上場・財務

本社
東京都港区芝浦3-1-21 田町ステーションタワーS (工場: 三重県四日市市、岩手県北上市)
創業
2017
従業員
単独10,156名・連結15,218名 (2026年3月31日現在)
上場
TSE
銘柄コード
285A
上場ステータス
上場済
売上高 (最新期)
2025年3月期 約1.7兆円
コンプライアンス

信用・米制裁

クレジット
none
銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅱 専門メディア
最終確認
2026-08-02 00:00:00
検証者
kioxia-capex-20260802

出典 URL

  • https://www.kioxia.com/ja-jp/about/about-us.html
  • https://www.kioxia-holdings.com/ja-jp/about/company.html
  • https://www.kioxia-holdings.com/ja-jp/ir/stock/outline.html
  • https://www.kioxia.com/ja-jp/about/news/2026/20260703-1.html
  • https://www.kioxia.com/ja-jp/about/news/2026/20260703-2.html
  • https://www.kioxia-holdings.com/ja-jp/news.html
  • https://www.kioxia-holdings.com/content/dam/kioxia-hd/en-jp/ir/library/event/asset/Kioxia_Investor_Day_2026_en_script.pdf

最新動向

2026年7月3日、第10世代BiCS FLASH技術を適用した1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始したと発表した。生産には北上工場(岩手県北上市)第2製造棟(K2棟)の最新設備を使う。同日、サンディスクコーポレーションとの共同で、K2棟における第10世代3次元フラッシュメモリの生産開始も公表した。K2棟は2025年9月に稼働を開始し、それまでは第8世代を生産していた。7月29日にはUFS 5.0対応の組み込み式フラッシュメモリ製品の出荷と、AI・ハイパースケール向け次世代E1.S SSDの開発を、7月30日には第10世代を採用した同社初のPCIe 6.0エンタープライズSSDの開発を公表している。 投資家向け説明会 (Investor Day 2026) では、2025年度の設備投資 約2,837億円に対し、2026年度から2028年度は年平均 約4,700億円へと約60%増額する計画を示した。研究開発費も同様に引き上げる方針で、AI・データセンター向け NAND 需要の拡大に対応する。日本の半導体メモリ市況テーマとして、東証プライム上場の285A (キオクシアHD) は AI 推論向けストレージ需要と NAND 価格サイクルが業績を左右する銘柄であり、増産投資の進捗が注目される。

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海外勢は9月第1週に7,288億円買い越し、信用残の増減上位を点検

「」 - キオクシアホールディングス (285A): 買い残1,351万株 (」

高信頼度 100% 2026-09-10
サムスンがDRAMにHigh NA、2028年という業界初の期日

「前期比 / --- / --- / --- / --- / --- / --- / キオクシアホールディングス / 285A / 2兆3,376億円」

高信頼度 100% 2026-09-10
半導体工場の床が動いてよいのは、かたつむりの320分の1まで

「熊本工場を施工し、続いてラピダスの工場の設計施工を受注した。清水建設と鹿島建設はキオクシアの四日市工場を手がけてきた。空調では大気社が熊本の案件に加わっている。装置の下に敷く除振台では、特許機器が能動制御の技術を持つ。微細化が進むほど、ばね」

高信頼度 100% 2026-09-09
マイクロンの原価は1年で1割しか増えず、売上だけが4.5倍になった

「が総資産の14.91%、サムスン電子が13.48%、サンディスクが4.89%、キオクシアが4.09%を占める。つまりこの投信の値動きは、韓国株の上場投信と大きく」

高信頼度 100% 2026-09-09
エヌビディアの13Fを読む、保有7銘柄は全上昇で本体だけ2%安

「1.8%減、合計4,162億100万円で12.7%増である。 もう1つ、キオクシアホールディングス (285A)の有価証券報告書には、取締役」

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村田製作所、3か月ゼロから8月に600億円の自己株式取得 想定為替47社

「定為替レートは1米ドル162円から130円まで広がっている。最も円安を見込むのがキオクシアの162円、最も円高を見込むのがソシオネクストの130円で、その差は32円ある。同じ通貨、同じ期間について、会社ごとに32円の見方の幅がある状態である」

高信頼度 100% 2026-09-07
KVキャッシュの仕組みと経済性、推論コストを決める式を検算する

「a Service を自社の GPU クラウドの機能として構築する」と記した。キオクシア (285A)は「推論」6回、「生成AI」14回で、「20」

高信頼度 100% 2026-09-05
キオクシアの「大減産」を経産省の統計で割ると、個数は横ばいで単価が3割落ちていた

「産省の数量にも、キオクシアの決算説明にも無い。7月31日の決算説明でキオクシアは第8世代BiCS FLASHの生産比率が50%を超え、北上で第10世代の生産を始めたと述べており、減産や稼働率の低下には触れていない。 ## 「8月は回復」

関連 半導体企業

💾 メモリ

YMTC (長江存儲)

YMTC(長江存儲)は、中国政府の強力な支援を受けて2016年に設立された中国最大のNANDフラッシュメモリメーカーです。独自のXtacking技術を開発し、世界市場で存在感を高めてきましたが、米国の輸出規制により製造装置の調達が困難となり、現在は国産化を最優先課題としています。データセンター向けSSDやコンシューマー向け製品を提供しています。

💾 メモリ

CXMT (チャンシン・メモリー)

CXMT(チャンシン・メモリー)は、中国唯一のDRAM量産メーカーです。2016年に設立され、独Qimonda社の技術を源流としながらも独自改良を進めています。現在はDDR4などの汎用品メモリで中国国内市場を中心にシェアを拡大しており、LPDDR5の量産にも成功し、モバイル市場への浸透を図っています。AI向けHBM(広帯域メモリ)の研究開発も開始しており、中国の半導体自給率向上に貢献する存在として注目されています。 [2026-09] エポックAI推計: HBM向けウェハー投入は2025年末 月5,000枚→2026年 月3万枚→2027年 月5.5万枚→2028年 月10万枚、75%がファーウェイ向け。8段HBM3の総合歩留まり約25% (SemiAnalysis 2026年6月)。2026年9月1日にHBM3Eの小規模生産を開始、アリババT-Headとカンブリコンが評価中 (Korea JoongAng Daily)。米商務省は2026年6月17日にエンティティリスト追加を保留 (CNBC)。

💾 メモリ

SKハイニックス

AI向け広帯域メモリー(HBM)の世界首位。Counterpoint Researchの推計では2026年1月から3月期の出荷シェアは58%で、エヌビディア向けの供給が中核を占める。積層した記憶素子の隙間を樹脂で一括充填する独自のMR-MUF工法と、素子を垂直に貫く配線TSVを組み合わせ、放熱と歩留まりを両立させる。韓国取引所上場(000660)で、2026年7月10日にナスダックへADRを上場した。 [2026-09] 2026年4〜6月期: 売上高79.3兆ウォン (前年同期比+257%)、営業利益60.5兆ウォン (率76%)。HBM4 の量産出荷を開始し約10社と長期契約、HBM4E は上半期にサンプル出荷。HBM シェア50% (Counterpoint、2026年4〜6月期)。KVキャッシュの常駐先として推論需要の直接の受け皿。

💾 メモリ

マイクロン

米メモリ大手。2023年に中国当局が重要インフラでの調達を制限した企業であり、YMTC/CXMTと直接競合する。広島に日本唯一のDRAM生産拠点を持ち、1.5兆円を投じてAI向けHBM4の生産棟を建設中 (2026年7月起工)。日本との接点が最も太い米半導体企業の1つ。 [2026-09] 2026年3〜5月期 (2026年度第3四半期): 売上高414億5,600万ドル (+346%)、売上総利益350億5,600万ドル (率85%)、営業利益333億1,800万ドル (SEC XBRL)。HBM4 12段の立ち上げは HBM3E の2倍速、HBM4 で10億ドル超を出荷済み。HBM シェア18%。

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