半導体企業 2 entries

半導体企業

中芯国際 (SMIC)、長江存儲 (YMTC)、長鑫存儲 (CXMT)、寒武紀 (Cambricon) 等の中国 IC 企業。

すべて (30) 🏭 ファウンドリ (2) 💾 メモリ (2) ⚙️ 製造装置 (5) 📐 設計(ファブレス) (13) ⚡ パワー半導体 (2) 🧪 材料 (2) 🔬 研究機関 (3) 💻 EDA/ソフトウェア (1)

国: 🌍 すべて (5) 🇨🇳 中国 (2) 🇫🇷 フランス (1) 🇯🇵 日本 (1) 🇺🇸 米国 (1)

        🔬 半導体実力 Tier
                  
            SANCTIONED
            2

capability = category + process node + capacity + market_cap + patent - 米制裁(×0.4) / 日本関係 = AIST/RIKEN/東大/Tokyo Electron/Renesas との連携・競合判定 / 5 応用分類 = 産業/民生/車載/軍事宇宙/通信DC

🧬 半導体技術体系解説 — 設計理由の深堀り (リソグラフィ/ALD/Memory Wall/Yield 数式等) → 📊 比較ツール (8 戦略 preset + 日本 18 機関 ref) →

🏢 半導体企業 › ⚡ パワー半導体 (2 件)

    🚫 SANCTIONED  

⚡ パワー半導体 capability 38/100 ⚡ 先端ノード

CRRC Times (中車時代電気)

株洲中车时代电气股份有限公司 (Zhuzhou CRRC Times Electric、688187.SH + 03898.HK、CRRC 配下鉄道 + 産業パワー半導体) / CRRC Times Electric

🏭 産業用

🇯🇵 🟡 競合三菱電機 (鉄道用 IGBT) の中国市場代替

中核は軌道交通牽引システム(国内首位)とパワー半導体。IDM(垂直統合型)として大電力サイリスタ・IGBT・IGCT・SiCデバイスを内製。2000V/400kW+のSiCモジュール搭載ストリング型PVインバータを開発、車規級SiCモジュールを初納入しSiCの動特性・信頼性技術で突破。米制裁は非該当。

🔬 IGBT (8インチ) 🏭 年産数十万枚 💾 鉄道 traction invert 📅 2005

詳細を見る →

    🚫 SANCTIONED  

⚡ パワー半導体 capability 37/100 ⚡ 先端ノード

StarPower (斯達半導)

嘉兴斯达半导体股份有限公司 (Starpower Semiconductor Co., Ltd.) / StarPower Semiconductor

🚗 車載 🏭 産業用 📱 民生用

🇯🇵 🟡 競合富士電機 / 三菱電機 (IGBT) の中国市場代替

中核はIGBTパワーモジュールおよびSiC(炭化ケイ素)MOSFET。第7世代microtrench(Trench Field Stop)技術の750V/1200V車規級IGBTモジュールを量産、自建6インチSiC産線で流片した自主・車規級SiC MOSFETチップの車載搭載を開始。米制裁は非該当。IDMに近い自建産線を志向。

🔬 IGBT Gen 7 🏭 年産数百万個 💾 IGBT モジュール (650V/1 📅 2005

詳細を見る →

📚 信頼性とソース

本データベースの情報は、企業 IR (公式年次報告書)、上場規則に基づく開示資料、香港証券取引所、上海科創板、米 SEC、SIPRI、ロイター、ブルームバーグ、日経等の一次情報源を統合・翻訳・構造化したものです。Editorial Manifesto / データソース →