業界別スペック
- 主要製品
- STM32マイコン、SiC MOSFET、車載SoC/センサー、MEMS、パワーマネジメントIC
Postation の入口
日本主要企業 (Renesas / Sony / 三菱電機) との中国市場での直接競合
クロル (仏)・アグラテ (伊) の300mm、カターニア (伊) のSiC一貫ラインが柱で、中国重慶に三安光電とのSiC合弁を建設。グローバルファウンドリーズとクロルで300mm FD-SOI協業。
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「レクトリクスの6社で39.06%。パワー半導体の会社がインフィニオン、ルネサス、STマイクロエレクトロニクス、ナビタス、モノリシック・パワーの5社で25.15%。この2つを足した64.21%が、名前どおりの部分である。 残る36.10」
「とロジック・DRAM (韓国平沢、2.0兆円)、GlobalFoundriesとSTMicroelectronicsのマイコン等 (フランス・クロル、1.3兆円、2023年)、Infineonのアナログ・パワー (ドイツ・ドレスデン0.9兆」
「science、Monolithic Power、Navitas、onsemi、STMicroelectronics、Texas Instruments、そしてルネサス(6723)とローム(6963)。電源部品の層にDelta、Flex P」
「を減らす。電圧を上げれば電流が下がるため、テキサス・インスツルメンツ(TXN)やSTマイクロエレクトロニクスの設計例では銅の使用量が約45%減り、変換効率は97.6%に達するとされる。 高電圧化で主役になるのが、固体変圧器(SST)と」
「を上げれば同じ電力を細い導体で送れるため、テキサス・インスツルメンツ(TXN)やSTマイクロエレクトロニクスが示す設計例では銅の使用量が約45%減り、電力変換効率は97.6%に達する。電流の二乗に比例する導体損失を、電圧側で逃がす発想だ」
「ない。 インフィニオン(Infineon)、STマイクロエレクトロニクス(STMicroelectronics)、オンセミ(onsemi)といった欧米のパワー半導体大手が、どれほどハイパースケーラーと長期供給契約を結んで垂直統合を急ご」
「する日本のルネサスエレクトロニクスやローム、欧州のインフィニオンテクノロジーズやSTマイクロエレクトロニクスは直接的な影響を受ける。米国が今回、半導体そのものに関税を課す背景には、この中国発のデフレーション圧力を国内市場から遮断する狙いがあ」
「ローンからは、米テキサス・インスツルメンツ(TI)製の電力管理集積回路や、スイスSTマイクロエレクトロニクス製のマイクロコントローラー(マイコン)が発見されている。これらの部品は本来、家電や自動車向けに設計されたもので、軍事転用を前提として」
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