🚫 SANCTIONED
capability 30 / 100 ⚡ パワー半導体 ⚡ 先端ノード (≤14nm)
🇯🇵 🟡 日本企業の直接競合 (Renesas / Sony / 三菱 / 東京エレクトロン)
🚗 車載 🏭 産業用
半導体企業 ⚡ パワー半導体
S

STマイクロエレクトロニクス

意法半导体 / STMicroelectronics

🗓 データ最終更新: 出典: 当サイト企業データベース (一次資料・自社記事の解剖に基づく)

仏伊合弁を起源とする欧州最大級の半導体メーカー (本社スイス・ジュネーブ、仏伊政府系が主要株主)。車載マイコン・パワー半導体 (SiC)・センサーを軸に、産業機器からデータセンター電源・光通信まで幅広く供給する。
🔗 公式サイト

Postation の入口

📦 製品・商品 (5)

📦 STM32マイコン 製品
STM32マイコン (年10億個規模)、SiC MOSFET (第4世代)
📦 SiC MOSFET 製品
SiC MOSFET (第4世代)、車載スマートパワ
📦 車載SoC/センサー 製品
📦 MEMS 製品
SiCパワーデバイス (車載インバータ向けMOSFET)、車載マイコン (Stellar/STM32ファミリ)、MEMSセンサー、FD-SOIプロセス。ウエハから一貫生産するIDMモデルで、SiCは150mm→200mm移行を進める。
📦 パワーマネジメントIC 製品
主力製品
STM32マイコン、SiCパワーデバイス、車
創業年
1987
本社
ジュネーブ (仏伊合弁、上場はパリ/
🇯🇵 日本半導体業界・研究機関との関係

日本主要企業 (Renesas / Sony / 三菱電機) との中国市場での直接競合

⚔ 日本企業の競合
⚙ システム基盤

クロル (仏)・アグラテ (伊) の300mm、カターニア (伊) のSiC一貫ラインが柱で、中国重慶に三安光電とのSiC合弁を建設。グローバルファウンドリーズとクロルで300mm FD-SOI協業。

📋 詳細情報

技術・事業

技術概要
仏伊政府系株主を持つ欧州最大級の半導体IDM (本社ジュネーブ、仏SGS-Thomson系が源流)。SiCパワー半導体の量産先行企業で、テスラや欧中EV各社のインバータに採用実績。汎用マイコンSTM32は世界の組込み開発の定番。
コア技術
SiCパワーデバイス (車載インバータ向けMOSFET)、車載マイコン (Stellar/STM32ファミリ)、MEMSセンサー、FD-SOIプロセス。ウエハから一貫生産するIDMモデルで、SiCは150mm→200mm移行を進める。
専門指標

業界別スペック

主要製品
STM32マイコン、SiC MOSFET、車載SoC/センサー、MEMS、パワーマネジメントIC

⭐ 強み・特徴

SiCの垂直統合 (基板から自社化)、STM32エコシステム、車載 (モビルアイ向けEyeQ製造受託等) の実績。

📝 現状分析

車載・産業の在庫調整と欧州EV減速で業績調整局面。中国では三安光電SiC合弁 (重慶) を設け、地産地消体制を構築中という点が対中戦略の特徴。

🔮 今後の展望

300mm (アグラテ/クロル) とSiC (カターニア) への投資で次サイクルに備える。エッジAIマイコン (STM32N6) も新領域。

📊 詳細ビジネスデータ

🛍️ 商品詳細

STM32マイコン (年10億個規模)、SiC MOSFET (第4世代)、車載スマートパワー、MEMSセンサー (スマホ・車載)、モビルアイ向けEyeQ受託製造など。産業・車載の広範な標準部品群を持つ。

⚙️ アルゴリズム・メカニズム

SiCは基板 (自社+Soitec SmartSiC) からデバイス・モジュールまで垂直統合し、結晶欠陥制御と薄ウエハ化で効率を高める。STM32はエコシステム (開発ボード/ソフト) の厚みが参入障壁。

💰 売上の見込み

産業・車載の在庫調整で足元は減収局面だが、SiC・エッジAIマイコン (STM32N6) の採用拡大で2026年以降の回復を見込む。中国EV向けSiCの地産地消が成長オプション。

💸 売上の出どころ

車載・ディスクリート部門と、マイコン・デジタルIC・アナログ/MEMS部門がほぼ拮抗する2本柱。

👤 経営者履歴

CEO

2018年からCEO。仏電子産業の重鎮で、SiC投資と300mm拡張による「200億ドル売上」目標を掲げてきた。仏伊政府系株主の下で欧州半導体政策の中心人物。

CTO / 主席科学者

CTO職は公表されていない。技術開発は製品グループ別のR&Dと、CEA-Leti (仏研究機関) との長期連携が支える。

🇯🇵 日本企業との取引・関係

日本では車載・産業機器向けに供給し、ローム (6963)・ルネサス (6723) と競合。MEMSセンサーではソニー系・村田 (6981) と競争と協業が併存。
基本情報

上場・財務

本社
ジュネーブ (仏伊合弁、上場はパリ/NY/ミラノ)
創業
1987
上場
Euronext Paris
銘柄コード
STM
上場ステータス
上場済
売上高 (最新期)
2024年12月期 133億ドル
コンプライアンス

信用・米制裁

クレジット
none
銀行信用
健全
🇺🇸 米制裁
なし
グローバル

海外進出

資金流出
なし
出典・検証

📚 信頼性メタデータ

信頼度
🅱 専門メディア
最終確認
2026-07-31 03:58:37
検証者
fable-g7-gbfr-20260731

出典 URL

  • https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/c3403.html

最新動向

2026年4〜6月期は売上34億9,000万ドルでガイダンス中央値を上回り、粗利率は34.8%へ改善 (公式発表)。SiC売上は2026年に前年比2桁成長の見込みで、300mmシリコン・200mm SiCへの生産移行を推進中。データセンター向け売上目標を2026年10億ドル超・2027年20億ドル超へ引き上げた (800G/1.6T光通信・電源の需要増)。製造再編は2027年末完了予定で、完了後は四半期売上40億ドル水準で粗利率40%超を目指す。日本投資家視点では、SiCでローム (6963)、車載マイコンでルネサス (6723) と競合する欧州ベンチマーク。

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⚡ パワー半導体

CRRC Times (中車時代電気)

株洲中車時代電気(CRRC Times Electric)は2005年設立、中国中車(CRRC)傘下の軌道交通牽引システム(国内首位)とパワー半導体の大手。IDM(垂直統合型)として大電力サイリスタ・IGBT・IGCT・SiCデバイスを内製し、鉄道・新エネ車・再エネ・産業向けに展開する。香港(3898)・科創板(688187)の両上場。本社は湖南省株洲市。

⚡ パワー半導体

StarPower (斯達半導)

StarPower Semiconductor(スターパワー)は2005年に沈華(MIT材料学博士)夫妻が浙江省嘉興市で創業したIGBT/SiCパワー半導体大手。新エネルギー車の主駆動インバータや太陽光/風力・産業向けにIGBTモジュール・SiC MOSFETを供給する。上海メインボード上場(603290)。自建産線で車規級SiCチップの量産を進める。

⚡ パワー半導体

インフィニオン テクノロジーズ

シーメンスの半導体部門が1999年に独立した、パワー半導体の世界最大手。車載・産業・データセンターの電力変換を主戦場とし、シリコン (CoolMOS / OptiMOS)、炭化ケイ素 (CoolSiC)、窒化ガリウム (CoolGaN) の3材料を同一の製品体系で揃える点が競合との差になる。2025年9月期の売上高は146億6,200万ユーロ、部門利益率17.5%。AIデータセンター向けは同社が最も強く投資する成長領域で、2026年9月期に約15億ユーロ、2027年9月期に約25億ユーロの売上を計画する。

⚡ パワー半導体

三菱電機パワーデバイス製作所

三菱電機パワーデバイス製作所は、三菱電機(証券コード6503)のパワー半導体事業の中核生産組織で、福岡県福岡市西区今宿東1-1-1に本部を置き、熊本県合志市御代志997番地と広島県福山市大門町にも拠点を持つ。SiCおよびSiのパワーデバイスを手がけ、産業機器、家電、自動車、電鉄などに向けたパワーモジュールやインテリジェントパワーモジュールを生産する。前工程の増強として、熊本工場泗水地区(熊本県菊池市)にSiC 8インチウエハの新工場を2025年10月に竣工した。三菱電機はSiCを含む革新的なパワーデバイスにより高効率なモーター制御・電力変換を実現し、カーボンニュートラルに貢献するとしている。

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