📦 製品の詳細 部品・ユニット

キオクシアBiCS FLASH（3次元フラッシュメモリ 第8〜第10世代） KIOXIA BiCS FLASH 3D Flash Memory (Gen 8 / 9 / 10)

メモリセルを縦に積む3次元 NAND 型フラッシュメモリ。キオクシアが三重県四日市市と岩手県北上市の2工場で造り、自社の SSD・UFS・メモリカードに載せるほか、チップとしても売る。量産の主力は218層の第8世代で、332層・1テラビット (Tb) の TLC (1セルに3ビット) の第10世代は2026年7月3日にサンプル出荷を始めた。第8世代からは CMOS (制御回路) とメモリセルを別のウエハーに造って貼り合わせる CBA 技術を使う。2026年3月期の売上高2兆3,376億円の大半がこのメモリを載せた製品で、チップ単体の価格は公表していない。

🏢 キオクシア の企業ページ

詳細解説

製品の区分
3次元 NAND 型フラッシュメモリ。メモリセルを多層に積み、セル間の干渉を減らして大容量・高信頼・低消費電力を両立する不揮発性メモリ。前身の東芝が1987年に NAND 型フラッシュメモリを、2007年に3次元構造を発表した (会社の沿革) ssl4.eir-parts.net
量産世代
有価証券報告書 (2026年6月24日提出) 時点で第8世代 (218層) を量産。TLC (3ビット/セル) と 2Tb の QLC (4ビット/セル) がある。2026年度末に生産量 (記憶容量ベース) の80%超を第8世代にする計画 (投資家向け説明会 (Investor Day 2026、2026年6月2日) のスライド) ssl4.eir-parts.net
第10世代 (332層)
1Tb TLC のサンプル出荷を2026年7月3日に開始。北上工場第2製造棟で生産し、主にエンタープライズ・データセンター向け SSD に載せる。量産はサンプル出荷の約1年後に市場を見て判断 (2026年6月の投資家向け説明会の質疑応答)。QLC 版は2026年8月4日にサンディスクと連名で技術を発表 kioxia.com
第9世代
第8世代系の230層メモリセルと最新 CMOS 回路を組み合わせ、投資を抑えて高性能を狙う。1Tb TLC は2026年7月30日サンプル出荷 (AI PC・スマートフォン向け)。512Gb TLC (第5世代系120層) は2025年7月25日にサンプル出荷。2Tb QLC は2026年8月12日に技術を発表 kioxia.com
開発の方針
積層数を増やして大容量・高密度を追う系統 (第10世代、その先の第11世代) と、積層数を抑えたセルに最新 CMOS を組み合わせて高性能を追う系統 (第9世代) の「二軸戦略」。各世代でビット密度50%以上の改善を織り込む (会社説明) kioxia-holdings.com
市場での位置
ビット生産量のシェアは29% (サンディスク分を含む、米調査会社テックインサイツ NAND Market Report Q1 2026 (2026年1〜3月版)、2025年4月〜2026年3月のビット生産量) ssl4.eir-parts.net

🏭 製造工場

この製品を作る工場と、それぞれの役割。会社の発表・有価証券報告書・官公庁の資料で確かめた拠点だけを載せた。

工場所在地役割備考出所
四日市工場三重県四日市市前工程 (ウエハー加工)。1992年設立。2022年10月竣工の第7製造棟を含む6つの製造棟を棟間搬送でつなぐ統合生産。帳簿価額3,408億円、従業員6,788人 (2026年3月末)。第8世代を生産し、第8世代向け前工程設備の取得を2027年3月期も計画ssl4.eir-parts.net
北上工場 (第1・第2製造棟)岩手県北上市前工程。第2製造棟 (K2) は2025年9月に稼働し、第8世代に続き2026年7月から第10世代を生産。免震構造。帳簿価額2,841億円 (2026年3月末)。運営するキオクシア岩手 (従業員1,846人) は2027年4月1日にキオクシアに吸収合併される予定kioxia.com
北上工場 第3製造棟 (K3・計画)岩手県北上市K2 の南側に建設。2029年度中の稼働開始を目標に2026年8月に土地整備を開始。建設時期や設備投資の詳細は市場を見て決め、投資は政府の支援が前提kioxia.com
後工程 (組み立て・テスト)公表されていない (外部委託)有価証券報告書は2022年時点でメモリ製品の組立工程を上海の後工程工場に委託していたと記し (都市封鎖で一時閉鎖)、台湾子会社 (キオクシア半導体台湾) が委託品の生産管理を行う。委託先の社名と現在の全委託先は公表されていない。地政学リスクを見据えた後工程拠点計画を進めると記すssl4.eir-parts.net

⚙️ 技術・仕組み

どう動くか。方式・構造・制御・材料を、会社の技術資料と特許・論文で確かめた範囲で書いた。

CBA (CMOS directly Bonded to Array)
メモリセルの制御を担う CMOS 回路とメモリセルアレイを2枚のウエハーに別々に造り、ウエハー接合で貼り合わせる。それぞれに適した工程で造れ、熱処理を最適化できる (投資家向け説明会)。ビット密度と NAND インターフェース速度を同時に上げる。第8世代から量産に採用 kioxia.com · kioxia-holdings.com
OPS (On Pitch Select Gate Drain)
選択ゲート分離体をメモリストリングの間に置き、データを記録しないダミーのメモリホール (ダミーメモリストリング) を削る (有価証券報告書の注記)。ビット線が短くなりワード線の容量が減るため、密度と速度が上がる。第8世代から採用 kioxia.com · ssl4.eir-parts.net
第10世代の仕様
332層 (第8世代の1.5倍)。NAND インターフェース速度は毎秒4.8Gbit (第8世代比33%増)、ビット密度59%増、書き込み時の電力効率18%・読み出し時30%改善 (会社発表)。投資家向け説明会では読み出しの処理量15%以上・書き込み30%以上の向上も示した kioxia.com
積層数を332層に抑えた理由
積層を増やし過ぎると工程数と設備投資が増えウエハーコストが上がる上、読み書き時に活性化する層が増えて消費電力が増え、層を薄くするため保持電荷が減って信頼性が落ちるとキオクシアは説明する。会社試算では400層超で造る場合より GB 当たりのコストが約10%低く、電力効率で約10%、セル信頼性で約35%有利 kioxia-holdings.com
第10世代 QLC の技術
第8世代比で最大60%のビット密度向上、37Gb/平方mm 超 (会社・サンディスク調べ、2026年8月4日時点)。Toggle DDR6.0 と SCA (コマンドとアドレスを別の線で送る方式、Separate Command Address) でデータ転送速度を毎秒4.8Gbit に上げ、PI-LTT (終端回路の電源を分離する方式、Power-Isolated Low-Tapped Termination) で出力時の電力効率を上げる kioxia.com
第9世代 2Tb QLC の技術
既存のメモリセルアレイに最新 CMOS 回路を組み合わせ、6プレーン構造で読み書きの帯域と電力効率を第8世代 2Tb QLC から改善。NAND インターフェース速度は毎秒4.8Gbit kioxia.com
32枚積層パッケージ (後工程)
2Tb の第8世代 QLC チップを154ボール BGA に32枚積み、高さ2mm 未満で8TB にする。ウエハーを薄く削る加工、材料設計、ワイヤボンディングの技術で実現し、245.76TB の SSD、LC9 につながった kioxia.com
共同開発
3次元フラッシュメモリの開発と前工程の生産をサンディスクと共同で行う (26年以上の合弁)。第10世代・第9世代の技術発表は両社連名 kioxia.com

主要諸元

項目値出所
第8世代218層。TLC と 2Tb QLC。CBA・OPS 採用ssl4.eir-parts.net
第9世代1Tb TLC (230層メモリセル+最新 CMOS、毎秒4.8Gbit)、512Gb TLC (120層)、2Tb QLC (6プレーン、毎秒4.8Gbit)kioxia.com
第10世代332層。1Tb TLC (毎秒4.8Gbit、ビット密度59%増)。QLC 版は37Gb/平方mm 超kioxia.com
搭載製品第8世代: CM9・CD9P・LC9・NX1・BG8・EG7・XG10 (2・4TB)・UFS 5.0/4.1・車載 UFS 4.1・EXCERIA G3 SSD。第10世代: CM10 (E3.S・E1.S)。第6世代: BG6・XG10 (512GB・1TB)・BG7 256GBkioxia.com

🔩 各部品と部品メーカー

部品は諸元表と発表で存在を確かめたものを並べ、メーカーは会社か部品メーカーの発表、有価証券報告書、分解調査の報道で供給元を確かめられたときだけ社名を書いた。確かめられない部品は「公表されていない」。載っていない会社は「関与していない」ではなく「公表資料で確かめられていない」。確度 A は会社の一次資料、B は報道。

部品品名・型式メーカー銘柄国・製造拠点根拠
シリコンウエハー (300mm) 公表されていない 公表されていない —
公表されていない
 有価証券報告書は「材料となるシリコンウエハー上に微細な集積回路を作りこむ」と記すのみで、供給元は開示していない A
フォトマスク 半導体製造用フォトマスク
関連会社がフォトマスクを製造販売するが、供給関係は非開示
 公表されていない — 有価証券報告書は35%出資の関連会社ディー・ティー・ファインエレクトロニクス (川崎市幸区) を「半導体製造用フォトマスクの製造及び販売」と記すが、キオクシアへの供給は開示していない B
前工程製造装置 (成膜・エッチング・露光など) 公表されていない 公表されていない — 製造合弁3社がリースや借り入れで調達した設備をキオクシアが無償貸与で使う構造は有価証券報告書に記載があるが、装置メーカー名は開示していない。みずほ東芝リースなどから賃借する製造設備の年間賃借料は644億5,400万円 (合弁3社分、2026年3月期) A
CMOS 回路ウエハー・メモリセルアレイウエハー CBA 用の2枚のウエハー キオクシア
自社の四日市・北上工場で加工
 — 日本
四日市工場・北上工場
 会社発表: 別々に製造した CMOS 回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーをウエハーボンディングで貼り合わせる A
パッケージ (格子状の端子を持つ154ボール BGA など)・ボンディングワイヤ 公表されていない 公表されていない —
公表されていない (後工程は外部委託)
 32枚積層の後工程技術は会社発表にあるが、材料・委託先の社名は開示していない A

🔗 部品製造サプライチェーン

材料から部品・組み立て・販売までを、上流から下流の順に並べた。

  1. 1開発
    サンディスクと共同開発。横浜の研究開発施設 (2023年6月稼働) と先端技術研究所 (2024年4月新設) が次世代メモリを担う。研究開発費は2026年3月期1,411億円
    企業: キオクシア・サンディスク
  2. 2設備調達
    製造合弁3社 (フラッシュパートナーズ・フラッシュアライアンス・フラッシュフォワード) が両社からの借り入れやリースで生産設備を調達し、四日市・北上に設置。キオクシアが製造を受託し無償貸与の設備で生産
    企業: 製造合弁3社・みずほ東芝リースほか
  3. 3前工程
    四日市・北上で加工したウエハーを合弁3社に販売し、合弁3社からキオクシアとサンディスクへ50%ずつ販売。両工場の生産能力の約80%を合弁で共有し、約20%はキオクシア単独
    企業: キオクシア・キオクシア岩手
  4. 4後工程
    組み立て・テストは外部に委託。有価証券報告書は2022年時点でメモリ製品の組立工程を上海の後工程工場に委託していたと記し (都市封鎖で一時閉鎖)、台湾子会社 (キオクシア半導体台湾) が委託品の生産管理を行う。委託先の社名と現在の全委託先は公表されていない
    企業: 台湾子会社 (キオクシア半導体台湾)・委託先 (非公表)
  5. 5販売
    チップは自社の SSD・UFS・カードに載せるほか、米国・中国・台湾・韓国・シンガポール・ドイツの販売子会社を通じて顧客に売る。アップルが売上の20.4% (2026年3月期)
    企業: キオクシアアメリカほか
  6. 6公的支援
    経済産業省の特定半導体生産施設整備等計画: 四日市第7製造棟 (第6世代) に約929億円 (2022〜2025年度に交付)、四日市・北上 (第8・9世代) に最大1,500億円 (2026年3月末の未交付分は約318億円)
    企業: 経済産業省

🏗️ 製造ライン

工場の中でこの製品がどう作られるか。工程の順に、ラインの構成・設備・自動化・検査・生産能力を、会社の発表と工場見学の記録で確かめた範囲で書いた。

  1. 1前工程 (ウエハー加工)
    シリコンウエハーに数百の工程で回路を作る。四日市では6棟を棟間搬送でつなぎ、AI・ビッグデータを使うスマートファクトリーで稼働率を上げる。第8世代以降は CMOS ウエハーとセルアレイウエハーを別々に加工
    設備・企業: 四日市工場・北上工場 (キオクシア)
  2. 2ウエハー接合 (CBA)
    2枚のウエハーを高精度に貼り合わせる。メモリセルアレイ側のウエハーを反転させて接合する (2025年5月の会社説明)
    設備・企業: キオクシア (装置メーカーは非公表)
  3. 3後工程 (薄化・積層・ワイヤボンディング・封止)
    ウエハーを薄く削り、2Tb ダイを最大32枚積層してワイヤボンディングし、154ボール BGA に封止する。外部委託 (2022年時点の委託先は上海の後工程工場、有価証券報告書)
    設備・企業: 委託先 (非公表)、生産管理は台湾子会社 (キオクシア半導体台湾)
  4. 4増産投資
    設備投資は2026年3月期2,837億円、2027年3月期は約4,500億円 (前工程設備と建屋)、2026〜2028年度は年平均約4,700億円。当面は四日市第7製造棟と北上第2製造棟の空きスペースに設備を入れ、2030年以降は新棟が要るとキオクシアは説明
    設備・企業: キオクシア

💴 販売価格と補助金

型番・グレード税込価格 (円)時点出所
BiCS FLASH チップ (全世代)公表していない。法人向けの相対取引で、見積もり2026-11-01kioxia.com
価格の動き (会社の説明)2026年7〜9月の売上増の理由を「データセンター向け顧客の需要による平均販売単価の大幅な上昇」と説明。単価の数字は公表していない2026-10-30ssl4.eir-parts.net
項目額 (円)備考出所
経済産業省 特定半導体生産施設整備等計画 (2022年7月26日認定)四日市第7製造棟 (第6世代) に最大約929億円。2022〜2025年度に交付済みkioxia.com
同 (2024年2月6日認定)四日市・北上 (第8・9世代、北上第2製造棟を含む) に最大1,500億円。未交付分は2026年3月末で約318億円kioxia.com

🛒 購入方法

経路内容出所
法人向け (国内)特約店 (緑屋電気・光アルファクス・エー・ディーデバイス・ミタチ産業・和田電機・ヤマト無線、2026年10月1日時点) か、会社の問い合わせフォームからサンプル・購入を相談kioxia.com
法人向け (海外)キオクシアアメリカ (カリフォルニア州)、キオクシア中国 (上海)、台湾、韓国、シンガポール、ヨーロッパ (ドイツ) の販売子会社ssl4.eir-parts.net
長期契約データセンター・エンタープライズ顧客と複数年の売買契約 (LTA) を進め、2028年の出荷量の約50%を長期契約にする考え (2026年6月)kioxia-holdings.com

🛠️ アフターサービス・保守サービス

項目内容出所
チップ単体の保証公表されていない。法人向けの個別契約によるkioxia.com
技術資料製品サイトで BiCS FLASH の技術資料 (PDF) を公開。フラッシュメモリの誤り訂正 (ECC)・不良ブロック管理・ウエアレベリング (書き込み回数の平準化) などの技術解説は UFS のページで公開kioxia.com · kioxia.com

🌏 海外輸出

仕向け地内容出所
米国・中国・台湾など外部顧客向け売上 (拠点所在地ベース、2026年3月期) は米国1兆988億円、中国3,819億円、台湾3,009億円。販売子会社キオクシアアメリカの売上高は1兆1,009億円ssl4.eir-parts.net
輸出管理有価証券報告書は米中対立や各国規制で主要顧客が中国市場で販売できなくなると売上が減るリスクを記す。チップ単体の外為法・米国の輸出管理規則 (EAR) の該非は公表されていないssl4.eir-parts.net

📈 販売の実績

期間指標値単位備考出所
2026年3月期売上高 (全社)2兆3,376億円円用途別: SSD & ストレージ1兆3,626億円、スマートデバイス7,600億円、その他2,150億円ssl4.eir-parts.net
2026年7〜9月売上高 (全社)2兆4,800億円円営業利益1兆9,947億円ssl4.eir-parts.net
2025年4月〜2026年3月ビット生産量シェア29%サンディスク分を含む。米調査会社テックインサイツssl4.eir-parts.net

💰 金額

項目値備考出所
設備投資 (2026年3月期)2,837億円 (支払いベース、無形資産を含む)ssl4.eir-parts.net
設備投資計画 (2027年3月期)約4,500億円 (四日市・北上の前工程設備と建屋)ssl4.eir-parts.net
サンディスクとの投資見込み2032年までに日本で総額約5兆円 (政府支援が前提)。過去25年の設備投資は約9兆円kioxia.com
資産取得に対する補助金の受領額2025年3月期437億円、2026年3月期564億円 (サンディスク分を除く)ssl4.eir-parts.net
NAND 市場のビット需要の伸び (会社想定)2025〜2028年に年率22% (米調査会社テックインサイツの予測をキオクシアが引用)kioxia-holdings.com

解析 — 部品・製造・販売の特徴

BiCS FLASH はキオクシアの売上のほぼ全てを支える部品で、2026年7〜9月の売上高2兆4,800億円は平均販売単価の上昇で押し上げられた。供給側の鍵は世代交代だ。キオクシアは2026年度末に生産量 (記憶容量ベース) の80%超を第8世代へ移し、第10世代の量産はサンプル出荷の約1年後をめどに市場を見て判断する。332層にとどめた設計は、他社が積層数を競う中で GB 当たりのコストと電力効率を優先した選択といえる。生産能力の約80%をサンディスクと分け合う構造のため、増産の判断は単独では決まらない。当面は四日市第7製造棟と北上第2製造棟の空きスペースで、キオクシアが想定するビット需要の年率22%の伸びに対応する。2030年以降の生産には北上第3製造棟が要り、その稼働目標は2029年度だ。

公表されていないこと

  • 工場ごとのウエハー生産能力 (月産枚数) は公表されていない
  • 後工程 (組み立て・テスト) の委託先の社名と、現在の全委託先は公表されていない (2022年時点で上海の後工程工場に委託)
  • シリコンウエハー・製造装置・パッケージ材料の供給元は公表されていない
  • 第10世代の量産開始時期は「サンプルの約1年後」と説明されるのみで、確定していない
  • チップ単体の販売価格・GB 当たりコストの実額は公表されていない

出所

  1. キオクシアホールディングス 有価証券報告書 2026年3月期 (2026-06-24)
  2. 2027年3月期 第2四半期 (中間期) 決算短信 (2026-10-30)
  3. Investor Day 2026 プレゼンテーション資料 (スクリプト付き) (2026-06-02)
  4. Investor Day 2026 質疑応答集 (2026-06-02)
  5. 第10世代BiCS FLASH のサンプル出荷を開始 (2026-07-03)
  6. 北上工場第2製造棟において第10世代3次元フラッシュメモリの生産を開始 (2026-07-03)
  7. 第9世代BiCS FLASH 1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始 (2026-07-30)
  8. 業界最高のビット密度を実現する新しい3次元フラッシュメモリ技術を発表 (2026-08-04)
  9. 新しい高性能QLC 3次元フラッシュメモリ技術を発表 (2026-08-12)
  10. 北上工場 新製造棟 (K3棟) の建設について (2026-08-27)
  11. キオクシアとサンディスク、日本で約5兆円を投資 (2026-08-27)
  12. 大容量化への道を切り拓く革新的技術 (CBA・OPS・32枚積層) (2026-11-01)
  13. 3次元フラッシュメモリ BiCS FLASH 製品ページ (2026-11-01)
  14. 生成AI向け業界初の245.76 TB NVMeエンタープライズSSDの開発について (2025-07-22)
  15. 第8世代BiCS FLASH TLCを採用したエンタープライズ向けNVMe SSDを発表 (2025-05-16)
  16. 特定半導体生産施設整備等計画の認定について (2024年) (2024-02-06)
  17. 四日市工場の特定半導体生産施設整備等計画の認定について (2022年) (2022-07-26)
  18. 法人のお客様向け製品のお問い合わせ (特約店一覧) (2026-10-01)
  19. 第9世代BiCS FLASH 512Gb TLC製品のサンプル出荷を開始 (2025-07-25)
  20. 民生・産業機器用UFS 4.1/3.1 (フラッシュメモリの技術解説) (2026-11-01)

出所との照合日: 2026年11月1日。数字は出所の書類のまま。株価・時価総額は扱わない。

キオクシア のほかの製品

キオクシア エンタープライズSSD（CM9・CM10・LC9・PM7） キオクシア クライアントSSD（BG8・BG7・XG10・EG7） キオクシア データセンターSSD（CD9P・CD8P・NX1・XD8） キオクシアAiSAQ（SSDを使う生成AI向けベクトル探索ソフト） キオクシアEXCERIA（個人向けSSD・microSD・SDメモリカード） キオクシアUFS・e-MMC（スマートフォン・組み込み機器向け） キオクシアXL-FLASHとGPシリーズ（低遅延フラッシュと超高IOPS SSD） キオクシアとサンディスクの製造合弁（四日市・北上の前工程） キオクシア車載用UFS（UFS 4.0・4.1）

🧰 ツール・特集の入口

一次データで動く 14 本 — 銘柄の絞り込み・供給網・比較・一次データの台帳・解説・規制レンズ (すべて無料)

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