成膜とは
読み: せいまく Deposition (CVD / ALD) 半導体の用語
成膜とは、ウエハの表面に薄い膜を積む工程。CVDは気体の化学反応で膜を作り、ALDは原子1層ずつを精密に積む。構造が立体になるほどALDの比重が増す。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。抜粋は体系解説でこの語が出てくる箇所から引いた。続きはリンク先にある。
第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
…誘電率の高い絶縁膜と金属のゲートを組み合わせる方式 (HKMG) では、酸化ハフニウムの成膜に原子層堆積 (ALD) が要る。45ナノ以降のすべての世代がこれを使う。 素子が小さくなると二酸化ケイ素のゲート絶縁膜は1ナノメートルを切り、電子が膜をすり抜ける電流が急に増える。誘電率25の酸化ハフニウムなら同じ容量を4ナノメートルの厚さで作れるが、その厚さを均一に積む手段が原子層堆積しかない。 3.4 不純物を混ぜる — 原子30個の数え違いが動作を変える 電流の出入り口を作るため、ホウ素・リン・ヒ素をシリコンに打ち込む。3ナノ以下では、混ぜた不純物の個数のばらつきが動作を左右する: 電流の通り道は30×10×5ナノメートル。ここに入るホウ素原子は約30個しかない。 ±5個ずれるだけで、動き始める電圧が±100ミリボルト変わる。同じ円板から取ったチップでも1個ずつ性質が違うことになる。 対策…
第V部 産業と勢力図 ⑨ 主要企業の比較 — 工程ごとに誰が立っているか
受託製造・メモリー・装置と材料・設計専業・詰まっている場所の5つの角度で比べる。比較ツールの8つの型と行き来できる。 9.1 受託製造 (ファウンドリー) の比較 9.2 メモリー各社の比較 9.3 装置と材料 — 日本の持ち分が最も厚い層 JSRのEUV用感光材は、日本の持ち分が最も厚い場所である。世界のEUVの工程はこの材料を通る。 官民ファンドがJSRを9,000億円で買い取り上場廃止としたのは (2023年)、この位置づけによる。 ディスコは後工程で円板を切り分ける装置で世界の8割を占め、置き換えられる装置が他にない。 信越化学 + SUMCO でシリコンウエハ世界 60% を寡占。 9.4 設計専業 (ファブレス) の比較 9.5 先端の世代が7ナノで止まる理由 — 4つそろわないと進めない 先端の世代は設計まではできても、製造の段で止まる。理由は輸出規制だけではない。 露光装置…
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出典・注記: Postation 編集部の書き下ろし (2026-09-03)
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