半導体企業 2 entries

半導体企業

中芯国際 (SMIC)、長江存儲 (YMTC)、長鑫存儲 (CXMT)、寒武紀 (Cambricon) 等の中国 IC 企業。

すべて (30) 🏭 ファウンドリ (2) 💾 メモリ (2) ⚙️ 製造装置 (5) 📐 設計(ファブレス) (13) ⚡ パワー半導体 (2) 🧪 材料 (2) 🔬 研究機関 (3) 💻 EDA/ソフトウェア (1)

国: 🌍 すべて (4) 🇨🇳 中国 (2) 🇯🇵 日本 (1) 🇺🇸 米国 (1)

        🔬 半導体実力 Tier
                  
            EMERGING
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capability = category + process node + capacity + market_cap + patent - 米制裁(×0.4) / 日本関係 = AIST/RIKEN/東大/Tokyo Electron/Renesas との連携・競合判定 / 5 応用分類 = 産業/民生/車載/軍事宇宙/通信DC

🧬 半導体技術体系解説 — 設計理由の深堀り (リソグラフィ/ALD/Memory Wall/Yield 数式等) → 📊 比較ツール (8 戦略 preset + 日本 18 機関 ref) →

🏢 半導体企業 › 💾 メモリ (2 件)

    🌱 EMERGING  

💾 メモリ capability 55/100

CXMT (長鑫存儲)

长鑫存储技术有限公司 (ChangXin Memory Technologies、合肥長鑫) / CXMT

🛰️ 通信・DC 📱 民生用

🇯🇵 🟡 競合 KIOXIA (NAND) / Micron (DRAM) の中国市場代替

中国 DRAM 国産化の旗艦企業、Samsung/SK Hynix/Micron の 3 強寡占を打破する戦略的位置付け。**DDR4/DDR5/LPDDR4-5/LPDDR5X** を量産。月産能力 250K wafer (2025) → 500K (2027 目標)。世界 DRAM 市場シェア推定 4-5% (2025) → 10%+ (2027)。HBM2 試作中、HBM3 開発加速。

🔬 17nm/18.5nm DRAM 🏭 月産12万枚 (北京・合肥) 💾 DRAM: DDR4 (8Gb/16 📅 2016

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    🌱 EMERGING  

💾 メモリ capability 52/100 ⚡ 先端ノード

YMTC (長江存儲)

长江存储科技有限责任公司 (Yangtze Memory Technologies Co.) / YMTC

📱 民生用

🇯🇵 🟡 競合 KIOXIA (NAND) の中国市場代替

中国 NAND フラッシュ国産化の旗艦、Samsung/SK Hynix/Micron/Kioxia/WD の 5 強寡占に挑戦。独自 **Xtacking** 3D NAND アーキテクチャ (CMOS 層と Memory 層を分離製造後接合) で世界初の 232 層 NAND (X3-9070) を 2022-08 発表 → Samsung/Micron に先行。月産 200K wafer。

🔬 232層 3D NAND 🏭 月産15万枚 (目標30万枚) 💾 3D NAND: X1-6070 ( 📅 2016

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📚 信頼性とソース

本データベースの情報は、企業 IR (公式年次報告書)、上場規則に基づく開示資料、香港証券取引所、上海科創板、米 SEC、SIPRI、ロイター、ブルームバーグ、日経等の一次情報源を統合・翻訳・構造化したものです。Editorial Manifesto / データソース →