半導体製造装置とは
読み: はんどうたいせいぞうそうち Semiconductor Manufacturing Equipment 半導体の用語
半導体製造装置とは、前工程・後工程の各段を担う装置群。露光はASML、成膜・エッチングはApplied Materials・Lam Research・東京エレクトロンが大手で、設備投資の景気循環を映す。
3段で深く知る — 基礎・高級・投資家視点
1行の定義から、体系解説の該当箇所へそのまま降りられる。各段の抜粋は解説本文の冒頭で、続きはリンク先にある。
第II部 作る ③ プロセス開発・製造技術
半導体製造の最前線。リソグラフィ波長から CMP まで、なぜそれぞれの工程が必要で、なぜ中国は EUV を持てないかの構造的理由を解説。 3.1 リソグラフィ — なぜ EUV が支配的になったか Rayleigh 式: CD = k₁ × λ / NA 光波長 λ を短くするか NA (開口数) を大きくするか k₁ を下げるかの三択。EUV は λ を 1/14 に短縮 = 1 回露光で 7nm 以下を実現する究極の解。 nm DUV (193nm Immersion) — 設計理由 ArF エキシマレーザー、波長 193nm 光路に純水 (n=1.44) → NA 1.0 超を実現 SAQP (4 回露光) で 7nm 相当も可能だが歩留まり爆発 SMIC の 7nm はこれで量産 (歩留まり 30-50%) 中国国産化: SMEE が 90nm 量産、28nm 検証中 EUV (1…
第V部 産業と勢力図 ⑧ 産業・応用 — 5 セグメント詳細
応用分野ごとの技術要件・代表企業・市場規模。当サイトの /chip 半導体 DB の 5 応用分類と直結。 主要チップ: 要求性能: 世界主要: 中国主力: 日本主力:
第V部 産業と勢力図 ⑨ 主要企業比較 — 中国・日本・米国・台湾韓国
Foundry / Memory / 装置・材料 / Fabless / 構造的ボトルネック の 5 角度比較。/chip/compare の 8 戦略 preset と相互参照可能。 9.1 Foundry 比較 9.2 メモリ業界比較 9.3 装置・材料 — 日本の絶対優位 JSR EUV フォトレジスト = 日本の最強カード。世界のあらゆる EUV 工程はこのレジストを通る。 経産省が JSR を 9000 億円で実質国有化 (2023) したのはこの戦略性ゆえ。 Disco は世界 80% シェアの後工程ダイシング装置で、中国国産代替不可能。 信越化学 + SUMCO でシリコンウエハ世界 60% を寡占。 9.4 設計 (Fabless) 比較 9.5 中国半導体 構造的ボトルネック — なぜ 7nm で止まるか 中国半導体の現実は 「設計はできる、製造で壁」。これは米中対立だけ…
関連する用語
出典・注記: Postation 編集部の書き下ろし (2026-09-03)